陈京兰
,
胡凤霞
,
高书侠
,
王中
,
高智勇
,
赵连城
,
宫声凯
,
徐惠彬
金属学报
研究了Ni52Mn24Ga24合金单晶在磁场作用下能产生的目前最大的磁致伸缩应变.发现了该材料的双向相变应变效应以及磁场对此的增强现象在1.2 T磁场的作用下,可逆的相变应变达4%以上.实现这一结果的关键条件是马氏体变体的择优取向报道了获得马氏体变体的择优取向样品的单晶生长特性和后处理方法.根据前人报道的理论模型分析了实验结果,指出磁感生应变的物理机制是磁场提供的Zeeman能驱动变体间孪晶界的移动.
关键词:
Ni52Mn24Ga24
,
null
,
null
陈京兰
,
胡凤霞
,
高书侠
,
王中
,
高智勇
,
赵连城
,
宫声凯
,
徐惠彬
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2001.04.004
研究了Ni52Mn24Ga24合金单晶在磁场作用下能产生的目前最大的磁致伸缩应变.发现了该材料的双向相变应变效应以及磁场对此的增强现象在1.2 T磁场的作用下,可逆的相变应变达4%以上.实现这一结果的关键条件是马氏体变体的择优取向报道了获得马氏体变体的择优取向样品的单晶生长特性和后处理方法.根据前人报道的理论模型分析了实验结果,指出磁感生应变的物理机制是磁场提供的Zeeman能驱动变体间孪晶界的移动.
关键词:
Ni52Mn24Ga24
,
形状记忆
,
磁致伸缩
熊丽
,
李美成
,
邱永鑫
,
张保顺
,
李林
,
刘国军
,
赵连城
功能材料
采用分子束外延(MBE)在GaAs衬底上生长GaSb薄膜,为了减小因晶格失配度较大所引起的位错密度,采用低温GaSb作为缓冲层.通过X射线双晶衍射仪和原子力显微镜分析得出,当低温GaSb缓冲层的厚度为20nm时,GaSb外延层中的位错密度最小,晶体质量最好.此外,缓冲层和外延层的厚度共同对GaSb薄膜晶体质量和表面形貌产生影响.
关键词:
分子束外延
,
GaSb
,
缓冲层
,
厚度
殷景华
,
蔡伟
,
王培林
,
郑玉峰
,
王中
,
李美成
,
赵连城
功能材料
采用XPS、XRD、AFM测试技术,研究退火温度对PtSi/Si异质结薄膜硅化物形成、分布及硅化物薄膜表面形貌的影响.测试结果表明,低温退火,薄膜中相分布顺序为Pt→Pt2Si→PtSi→Si;高温退火,相分布顺序为Pt→Pt2Si+PtSi→PtSi→Si或Pt+PtzSi+PtSi→PtSi→Si.退火温度高,薄膜中晶粒尺寸大,表面粗糙.
关键词:
退火温度
,
PrSi/Si异质结
,
硅化物
,
薄膜
,
表面形貌
高智勇
,
陈枫
,
蔡伟
,
赵连城
,
王文洪
,
陈京兰
,
吴光恒
功能材料
研究了外磁场对Ni52Mn24.6Ga23.4(%,原子分数)单晶马氏体相变及其相变应变的影响,并对磁场增强相变应变的微观机制进行了探讨.研究结果表明无外加磁场时,NiMnGa合金发生马氏体相变时可产生约0.3%的收缩形变,沿单晶[100]方向施加外磁场,其相变应变随磁场的增加而呈近线性增加.当外磁场强度为6.37×105A/m时,应变量达到最大值(3.5%).磁场作用下冷却形成的马氏体虽然孪晶亚结构不变,但自协作组态消失,并伴随有孪晶板条的增厚.磁场对马氏体相变应变的增强效应来自于磁场作用下的马氏体变体的择优取向.
关键词:
磁性形状记忆合金
,
马氏体相变
,
相变应变
李美成
,
殷景华
,
蔡伟
,
赵连城
,
陈学康
,
杨建平
,
王菁
功能材料
PtSi红外探测器是一种重要的光电器件,在军事和民用方面均起着非常重要的作用.高质量硅基PtSi薄膜的制备是高性能器件研制的基础.本文介绍了溅射、分子束外延、脉冲激光沉积和激光分子束外延等制备PtSi薄膜的方法.并评述了PtSi红外探测器的最新应用研究进展及发展趋势.
关键词:
红外探测器
,
纳米薄膜
,
脉冲激光沉积
,
激光分子束外延
熊丽
,
李美成
,
邱永鑫
,
张保顺
,
李林
,
刘国军
,
赵连城
稀有金属材料与工程
研究了用分子束外延(MBE)在GaAs衬底上生长GaSb薄膜的工艺.为了减小因晶格失配度较大所引起的位错密度,采用低温GaSb作为缓冲层,有效降低了外延层中的位错密度,提高了晶体质量.通过X射线双晶衍射仪和原子力显微镜测试分析,得到低温GaSb缓冲层的优化生长参数:厚度为20 nm,生长速率为1.43 μm/h,Ⅴ/Ⅲ束流比为2.0.并在此基础上研究了GaSb薄膜的发光特性:GaSb薄膜的光致发光光谱主要由束缚激子(BE4)和施主一受主对(D-A)辐射复合发光峰组成,在50 K时其发光峰强度最强,半峰宽最窄.
关键词:
分子束外延
,
GaSb
,
缓冲层
,
发光特性
赵连城
,
杨建华
,
刘乃华
,
张春生
,
雷廷权
,
顾华
,
何永枢
金属学报
用高温金相显微镜、扫描电镜和正电子湮没技术研究了空位型晶体缺陷对Cu-Al-Zn-Mn-Ni合金马氏体逆转变和形状记忆效应的影响。正电子湮没Doppler增宽线形参数和寿命谱测量以及金相组织观察和晶体结构分析结果表明,马氏体逆转变起始温度、逆转变温度区间宽度以及形状记忆最大恢复率随淬火冷却介质温度的显著变化可以用空位型晶体缺陷浓度的变化给予较好的解释.
关键词:
熊丽
,
李美成
,
邱永鑫
,
张保顺
,
李林
,
刘国军
,
赵连城
功能材料
用分子束外延(MBE)法在GaAs(100)衬底上生长GaSb薄膜,得到了GaSb薄膜的优化生长工艺条件.为了降低因晶格失配度较大所引起的位错密度,采用低温(LT)GaSb作为缓冲层,研究了缓冲层的生长速率对GaSb薄膜二维生长的影响,并以此说明缓冲层在GaSb薄膜生长中所起的作用.通过X射线双晶衍射仪和原子力显微镜测试分析,得到当低温GaSb缓冲层的生长速率为1.43μm/h时,GaSb外延层中的位错密度最小,晶体质量最好.
关键词:
分子束外延
,
GaSb
,
缓冲层
,
生长速率
