孙大志
,
赵梅瑜
,
罗豪甦
,
瞿翠凤
,
金绮华
,
姚春华
,
林盛卫
,
殷之文
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2000.05.030
本文研究了准同型相界处铌镁酸铅-钛酸铅(PMNT)陶瓷材料的介电压电性能，合适的组份和烧结，可使PMNT陶瓷材料具有较好的压电性能，d33达540pC/N，kt达0.50以上. 观察了不同烧结工艺下陶瓷材料的微观结构，烧结时间过长不仅使晶粒尺寸变大，亦可造成晶粒快速生长. 对化学组成和微观结构与压电性能之间的关系进行了讨论.
关键词:
PMNT
,
压电
,
介电
,
微观形貌
王依琳
,
吴文骏
,
毛文东
,
赵梅瑜
无机材料学报
研究了Bi2O3-V2O5系复合添加剂对Ni-Cu-Zn铁氧体的烧结及其磁性能的影响.研究表明,Bi2O3-V2O5系复合添加剂具有促进晶粒生长的作用,随着添加量的增加,样品断面形貌显示大晶粒增多,X射线衍射分析表明,过多的添加剂引起少量的杂相析出,晶界变宽。然而,适当量的Bi2O3-V2O5系复合添加剂能使普通Ni-Cu-Zn铁氧体的烧结温度降至875℃以下,烧结时间缩短为30min,烧结样品的磁导率可达195(10MHz)。
关键词:
低温烧结
,
soft ferrite
,
sintering aids
卞建江
,
赵梅瑜
,
姚尧
,
殷之文
无机材料学报
本文就BMT陶瓷B位Ta非化学计量比对其烧结性、微观结构及微波分电性能的影响进行了研究．发现：（1）位Ta过量可促进BMT的烧结，而Ta缺量则阻碍其烧结．（2）B位离子有序度不仅同缺陷的数量有关，而且还同其缺陷类型有关．B位Ta缺陷的存在阻碍其有序度的提高．（3）BMT样品的Q·f值随Ta过量的增加而降低．相对介电常数则随之增加．
关键词:
位非化学计量比
,
null
,
null
,
null
傅剑
,
李承恩
,
赵梅瑜
,
姚烈
,
周家光
,
陈建和
材料导报
介绍了国内外在PZT压电陶瓷材料低温烧结方面的研究进展.并对降低PZT压电陶瓷材料烧结温度的各种方法进行了评逑.
关键词:
低愠烧结
,
PZT
,
压电陶瓷材料
,
烧结助剂
,
热压烧结
,
颗粒度
姚尧
,
赵梅瑜
,
吴文骏
,
王依琳
无机材料学报
本文以BaTiO3和TiO2为原材料，采用传统制备工艺，混合后粉料于不同合成温度（800～1150℃）和保温时间（1／60～64h）进行固相合成反应·基于XRD相分析结果，得出合成温度为1000～1150℃、保温时间为4～32h时，反应产物均为单相Ba2Ti9O20粉体．并得出：组成元素Ba和Ti分布均匀性是影响Ba2Ti9O20生成的一个重要工艺因素．
关键词:
固相反应
,
null
,
null
王依琳
,
吴文骏
,
毛文东
,
赵梅瑜
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2003.03.015
研究了Bi2O3-V2O5系复合添加剂对Ni-Cu-Zn铁氧体的烧结及其磁性能的影响.研究表明,Bi2O3-V2O5系复合添加剂具有促进晶粒生长的作用,随着添加量的增加,样品断面形貌显示大晶粒增多.X射线衍射分析表明,过多的添加剂引起少量的杂相析出,晶界变宽.然而,适当量的Bi2O3-V2O5系复合添加剂能使普通Ni-Cu-Zn铁氧体的烧结温度降至875℃以下,烧结时间缩短为30min.烧结样品的磁导率可达195(10MHz).
关键词:
低温烧结
,
软磁铁氧体
,
烧结助剂
王依琳
,
赵梅瑜
,
吴文骏
,
李蔚
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2005.03.016
讨论了低温烧结(Zr0.8Sn0.2)TiO4微波介质陶瓷的晶相组成与制备工艺、掺杂离子的关系,结果表明:粉体的合成温度对烧结体的晶相构成有很大的影响,进而影响材料的谐振频率温度系数τf,稍高的合成温度有利于提高α-PbO型ZST相的稳定性,使谐振频率温度系数τf由107 ppm/℃降至20.88 ppm/℃.采用Nb5+离子掺杂能更有效地抑制烧结过程中游离氧化物相的析出,当Nb5+达到0.15mol%时,920℃烧结样品的介电常数为25,谐振频率温度系数τf为-2.44 ppm/℃,品质因数Q·f达4868GHz(5GHz).
关键词:
低温烧结
,
晶相组成
,
微波介质
卞建江
,
赵梅瑜
,
殿之文
无机材料学报
利用DTA／TGA、XRD、SEM等分析手段，研究了不同起始原料制备的BMT合成过程及其烧结行为，发现以Ta2O5·xH2O为起始原料，可减少合成过程中产生的中间相，在较低的温度下合成单相BMT，改善了其烧结性．
关键词:
合成过程
,
null
,
null
卞建江
,
赵梅瑜
,
殷之文
无机材料学报
本工作就添加V2O5对Ba（Mg1／3Ta2／3）O3烧结性及微波介电性能的影响进行了研究和讨论．实验结果发现，添加少量V2O5能明显改善BMT陶瓷的烧结性，当V2O5的添加量为0．1mol％时，烧结体密度可达理论密度的98％同时较纯BMT陶瓷烧结温度降低150℃左右．此时样品仍具有较高的微波介电性能：Q·f＝62450GHz；εγ＝25．
关键词:
BMT
,
addition
,
V2O5
,
sinterability
