刘金铭
,
赵小如
,
赵亮
,
张安
,
王丹红
,
邵继峰
,
曹萌萌
,
常晓
人工晶体学报
采用溶胶凝-胶法在普通玻璃衬底上制备了具有c轴择优取向的Al掺杂ZnO透明导电薄膜.实验中将热处理过程分解为预烧、空气退火和真空退火三个部分,研究了各个步骤对于ZAO薄膜晶体结构和光电性能的影响.结果表明, 500 ℃预烧550 ℃空气退火的薄膜,经过550 ℃,1×10-2 Pa真空退火后,其晶体结构和光电性能达到最佳,电阻率最低达到1.77×10-3 Ω· cm,可见光范围内的平均透过率约为85%.
关键词:
溶胶-凝胶法
,
Al掺杂ZnO(ZAO)
,
热处理
,
晶体结构
,
光电性能
段文芳
,
赵小如
,
段利兵
,
白晓军
,
史小龙
,
朱宇瑾
,
孙慧楠
人工晶体学报
采用溶胶-凝胶浸渍提拉法在玻璃衬底上制备Zn1-xLaxO(x=0～0.04)(LZO)薄膜,分别在空气、氮气和氩气条件下进行退火,探讨了不同退火气氛和不同镧掺杂浓度对其结构和光学性能的影响.XRD和SEM结果表明:氩气退火条件下ZnO的晶粒尺寸比空气退火条件下和氮气退火条件下的晶粒尺寸略小,且ZnO晶粒的尺寸随着镧掺杂浓度的增加而减小.薄膜光致发光(PL)测量表明:紫光发光带中心在氩气下退火相对于空气下退火存在略微的蓝移,而在氮气下退火则相反；ZnO紫光发光带的位置随着镧掺杂浓度的增加先红移而后蓝移.禁带宽度在镧掺杂量为2％时达到最小值,说明镧可以有效地调节ZnO的禁带宽度.
关键词:
溶胶-凝胶法
,
ZnO薄膜
,
镧掺杂
,
退火
,
禁带宽度
陈帅
,
赵小如
,
段利兵
,
白晓军
,
刘金铭
,
谢海燕
,
关蒙萌
材料导报
以SnCl2·2H2O和SbCl3为原料,利用溶胶-凝胶法制备了SnO2∶Sb薄膜.利用XRD观察了薄膜的结构特点,利用紫外可见分光光度计测量了薄膜的透过率,利用四探针测试系统表征了薄膜的电学性能.讨论了掺杂浓度以及SiO2缓冲层厚度对薄膜光电性能的影响.结果表明,随着掺杂浓度的增大,薄膜的电阻率先降低而后略有升高,当掺杂浓度为5％时,薄膜电阻率达到最小,为8.7×10-3Ω·cm;并深入研究了缓冲层对薄膜性能的改善作用:当掺杂浓度为5％时,随着缓冲层数的增加,薄膜方块电阻呈下降趋势,最小可达到95Ω/口,电阻率达到1.1×10-Ω·cm.
关键词:
溶胶-凝胶法
,
透明导电氧化物
,
Sb掺杂SnO2
,
缓冲层
谢海燕
,
赵小如
,
段利兵
,
白晓军
,
刘金铭
,
陈帅
,
史小龙
人工晶体学报
采用溶胶-凝胶法制备了MgxZn1-xO(x=0,0.1,0.2,0.3,0.4,0.5)纳米粉体.X射线衍射谱表明:在较高的温度(850℃以上)下退火,Mgx Zn1-xO纳米粉体从单一的纤锌矿结构相中分离出MgO相的掺杂浓度x约为0.13,且随着x的增加,MgO相含量呈指数型增长.室温光致发光谱显示:MgO相分离对紫外与绿光发射的相对强度有直接的影响,随着MgO相分离的出现,紫外发光峰蓝移,并随着MgO相的增加,紫外发光峰的强度受抑,绿光发光峰变强.样品的室温透过率显示:Mgx Zn1-xO的禁带宽度在x=0.1时达到最大值并受MgO相分离的影响而减小.
关键词:
溶胶-凝胶法
,
MgxZn1-xO纳米粉体
,
相分离
,
光学性能
王丹红
,
赵小如
,
谢海燕
,
刘金铭
,
白晓军
,
陈长乐
材料导报
采用溶胶-凝胶法在普通载玻片上制备出以ZnO为缓冲层、稀土Eu3+掺杂的TiO2薄膜,研究了ZnO缓冲层退火温度对TiO2∶Eu薄膜的光致发光性能以及晶体结构的影响.结果表明,随着ZnO层退火温度的升高,薄膜的PL谱增强,在500℃退火时达到最强；XRD显示,TiO2∶Eu3+/ZnO薄膜中有很强的ZnO(002)衍射峰,但是TiO2的(101)衍射峰却很微弱,且ZnO在500℃退火时TiO2的(101)衍射峰最弱.
关键词:
ZnO缓冲层
,
溶胶-凝胶法
,
光致发光
,
氧化钛
,
Eu掺杂
刘凯
,
赵小如
,
赵亮
,
姜亚军
,
南瑞华
,
魏炳波
人工晶体学报
采用溶胶-凝胶法在普通载玻片上制备出c轴择优取向的ZnO: Al(ZAO)透明导电薄膜,研究了溶胶pH值对其结构、表面形貌、电学和光学性能的影响.结果表明:随着pH值的降低晶粒尺寸增大;当溶胶pH值从8.4降低到6.8时,薄膜的电阻率先降低而后略有升高,当pH值为7.2时其电阻率达到最小值2.6×10-3 Ω·cm,进一步分析表明,溶胶pH值的变化影响了薄膜晶界散射,而后者又使载流子迁移率发生了变化;薄膜的透光率在可见光部分随着pH值的降低而升高,而禁带宽度则从3.36 eV降到3.32 eV.
关键词:
溶胶-凝胶法
,
透明导电薄膜
,
氧化锌
,
铝掺杂
刘波
,
赵小如
,
冯娴娴
,
刘凯
,
赵亮
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2009.04.011
掺杂氧化锌(ZnO)薄膜是一种新型的透明导电氧化物(TCO)材料,因有替代氧化铟锡(ITO)的潜能而成为当今TCO材料中的研究热点,其优异的光学和电学性能使其在平板显示器、太阳能电池等光电器件中具有光明的应用前景.文章对ZnO基半导体材料的结构和性能进行了介绍,综述了近年来以ZnO薄膜为基体的n型和p型掺杂的研究进展,并在此基础上对未来的发展方向进行了展望.
关键词:
氧化锌
,
透明导电
,
电阻率
,
透过率
刘涛
,
赵小如
,
金宁
人工晶体学报
采用溶胶凝胶法在普通载玻片上制备了Sn-Al共掺杂ZnO薄膜(ZASO薄膜).利用XRD、扫描电子显微镜、霍尔测试仪、双电测四探针测试仪和紫外-可见分光光度计等设备,研究了Sn-Al掺杂浓度、预烧温度对氧化锌薄膜的晶体结构和光电性能的影响.结果表明:预烧温度为500℃,Sn、Al掺杂浓度分别为1.0at％时,得到的ZASO薄膜的综合光电性能最好,晶粒尺寸较大,方块电阻可达3.3 kΩ/□,光学透过率达92.9％.
关键词:
溶胶凝胶法
,
Sn-Al掺杂ZnO薄膜(ZASO)
,
掺杂浓度
,
预烧温度
