赵君芙
,
赵丹
,
梁建
,
马淑芳
,
许并社
材料导报
采用CVD法以金属镓(Ga)和氨气(NH3)为原料,在镀有Al膜的蓝宝石衬底上成功地制备了GaN多晶薄膜.采用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、场发射电子扫描电镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)和光致发光能谱(PL)对样品进行了成分、形貌、表面粗糙度和发光性能分析.结果表明,制备的GaN薄膜为结晶性较好的六方纤锌矿GaN多晶薄膜,用266nm的激光作为激发光源时,光致发光谱中除出现354nm的近带边发射峰外,同时还观察到中心波长位于530nm附近的黄光发光峰及中心波长位于约637nm的红光发光峰.
关键词:
半导体
,
GaN多晶薄膜
,
Al缓冲层
,
CVD法
梁建
,
赵国英
,
赵君芙
,
张华
,
贾伟
人工晶体学报
以氯化铟和无毒红磷为主要原料,十六烷基三甲基溴化铵为表面活性剂,采用溶剂热法低温合成磷化铟纳米线,并用X射线衍射仪(XRD)和场发射扫描电镜(FESEM)对所制备产物的结构和形貌进行了分析表征;能谱仪(EDS)和荧光分光光度计对所制备产物的成分,含量和发光性质进行了表征.结果表明:采用该方法制备出的磷化铟纳米线长短不同,最小直径为20 nm.在合适的条件下,改变反应温度、增加反应时间或改变碱溶液都可生长出高品质的磷化铟纳米线.
关键词:
溶剂热
,
磷化铟
,
十六烷基三甲基溴化铵
,
纳米线
梁建
,
危兆玲
,
李天保
,
赵君芙
,
李婧
,
许并社
功能材料
在两个微波合成体系中,考察了十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)的量对PbS形貌的影响,分别得出了星形和花状两种结构的最佳制备条件.结果显示在三水合乙酸铅为铅源、硫脲为硫源、二甲基亚矾(DMSO)作溶剂的体系中,加入0.1g CTAB,可形成完美的星形结构;不加CTAB时形成星形结构PbS的表面相对较光滑;当CTAB的加入量为0.05g时,则形成了纳米枝状结构.而在铅源、硫源和溶剂分别为硝酸铅、L-半胱氨酸和去离子水体系,加入0.05gCTAB时,可形成完美的花状结构;不加CTAB时,形成片状结构和部分立方体结构;当CTAB的加入量为0.025g时,虽然没有形成明显的花状结构,但是有组装成花状结构的趋势.同时结合实验和文献对星形结构和花状结构PbS的形成机理进行初步探讨.
关键词:
PbS
,
CTAB
,
微波法
,
星形
,
花状
李文漪
,
李刚
,
蔡峋
,
孙彦平
,
赵君芙
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2003.03.004
本文利用LPCVD法水解四异丙醇钛(TTIP)制备TiO2薄膜,研究了制备过程中水解TTIP的反应动力学.通过对沉积温度和沉积率关系的研究,计算出TTIP水解反应表观活化能为59.85kJ/mol.沉积温度不仅影响反应速率,还对TiO2薄膜结构、表面形貌有决定性的作用.XRD和Raman分析表明:TRIP水解法制备TiO2薄膜,薄膜结构主要依赖于沉积温度.180℃～220℃沉积TiO2薄膜为非晶态,240℃～300℃沉积为锐钛矿和非晶态混杂结构.在水分压对TTIP水解反应影响的研究中发现,水分压为零时,TTIP发生热解反应,TiO2沉积率不为零,热解反应240℃无锐钛矿特征峰出现.这说明水解反应制备TiO2有利于降低锐钛矿的生长温度.氧分子的加入可以消除TiO2薄膜表面的"针孔".
关键词:
化学气相沉积
,
二氧化钛
,
水解
,
动力学
黄平
,
李婧
,
梁建
,
赵君芙
,
马淑芳
,
许并社
人工晶体学报
室温下,以CdSO4H1SeO3和Na2SO4为原料,采用二电极体系,利用电化学法在ITO玻璃基底上沉积了CdSe薄膜.采用高分辨x射线衍射仪(HRXRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)、紫外.可见.近红外(UV-VIS-NIR)分光光度计、荧光分光光度计(PL)对不同沉积电压下所制备的薄膜的晶体结构、形貌及光学性能进行分析表征.结果表明:所制备的薄膜为立方相CdSe,呈纳米颗粒状,部分粒子表现出不均匀团聚.紫外吸收光谱的吸收峰较体相CdSe有较大的蓝移,且导致禁带宽度发生改变,表现出量子尺寸效应.样品发射光谱表现出荧光现象,且单色性好.适当的沉积电压对CdSe薄膜的形貌和质量起关键作用,同时讨论了其反应机理.
关键词:
电化学沉积
,
CdSe薄膜
,
禁带宽度
,
沉积电压
马淑芳
,
梁建
,
赵君芙
,
孙晓霞
,
许并社
人工晶体学报
采用热蒸发沉积法,以砷化镓和氧化镓粉末为原料,以氧化铟为催化剂,在800 ℃的氩气气氛中,在(100)砷化镓基片表面上沉积生成GaAs/Ga2O3薄膜.以配有成分分析的场发射扫描电镜(FESEM)、X-射线衍射仪(XRD)、光致发光仪(PL)等测试方法对所得薄膜的成分、形貌、晶体结构和光学性能进行了表征.研究结果表明:薄膜以规整的波浪形均匀地覆盖在砷化镓基片表面上,所得薄膜为GaAs/Ga2O3复合多晶薄膜,光致发光峰为强的红光发射;薄膜的生长机理为固-气-固过程,薄膜中砷元素含量的增加与氧化铟的作用有关.
关键词:
砷化镓
,
薄膜
,
光致发光
,
生长机理
梁建
,
董海亮
,
赵君芙
,
黄平
,
马淑芳
功能材料
以乙酸铜、三乙醇胺和醇为原料,采用溶剂热法制备出了不同形貌的微米氧化亚铜颗粒.通过SEM和XRD对所制备产物的形貌和物相进行分析表征,结果表明,在适当的反应温度下,不同醇类作还原剂均可生成球形氧化亚铜微晶,但随着醇羟基数量的增加,球形氧化亚铜微晶的反应生成温度逐渐降低.同时,对醇在形成氧化亚铜微晶的反应过程中所起的作用进行了初步探讨.
关键词:
氧化亚铜
,
溶剂热法
,
醇
,
自由基
梁建
,
赵丹
,
赵君芙
,
马淑芳
,
邵桂雪
,
许并社
功能材料
为了解决硅衬底与GaN之间的晶格失配和热失配问题,实验尝试采用常压化学气相沉积法(APCVD),分别以金属镓(Ga)和氨气(NH3)为镓源和氮源,在加入A1、Au/Al两种金属缓冲层和不加缓冲层的硅衬底上生长氮化镓(GaN)薄膜.采用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、X-ray能谱仪(EDS)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)和光致发光能谱(PL)对样品进行了结构、成分、形貌和发光性能分析,结果表明,生成物均为六方纤锌矿结构的GaN多晶薄膜,但其形貌和发光性能各异.在加入金属缓冲层后,GaN薄膜的致密度和结晶性能均提高,而且其生长取向随之发生了显著变化,光强度也有所增强.最后,对在不同缓冲层上GaN薄膜的生长机理进行了初步探讨.
关键词:
GaN
,
薄膜
,
金属缓冲层
危兆玲
,
李天保
,
赵君芙
,
梁建
,
马淑芳
,
许并社
材料导报
PbX(X=S,Se)纳米结构材料因其良好的光电性能,在太阳能电池等方面有着较好的应用前景,目前已成为半导体领域的研究热点.概括和总结了几种制备PbX纳米材料的经典和新型方法,其中包括水热法、溶剂热法、化学气相沉积法、中孔材料模板法、熔盐籽晶法、纳米晶的取向附属物法和微波法等,并分析和讨论了各方法的特点及对应产物的特征.
关键词:
PbS
,
PbSe
,
制备方法
,
纳米结构
