朱航悦
,
赵亚萍
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陈琛
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刘彩虹
,
蔡再生
表面技术
doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2015.02.014
目的:改进制备聚吡咯/棉织物导电复合材料的原位界面聚合方法。方法将改进的一步三相聚合方式与传统二步二相聚合方式进行分析对比,探讨吡咯浓度、氧化剂用量、水相浴比和油相浴比等制备条件对复合材料导电性能的影响,对产物进行形貌表征,并初步探讨三相界面聚合经历的主要过程。结果确定了较优聚合工艺条件:吡咯浓度0.2 mol/L,氧化剂/单体用量比为1.5,水相浴比为10 mL/g,油相浴比为30 mL/g,吐温-80质量浓度为2 g/L,反应温度为0益,时间为2 h。该条件下,在棉织物表面获得了一层分布均匀且具有三维网状多孔结构形貌的导电聚吡咯膜。初步建立了反应模型:有机相中的表面活性剂胶束包裹吡咯单体,接近浸没于水相中的棉织物表面,在纤维吸附的Fe3+的引发作用下发生原位聚合。结论采用的水/纤维/油三相体系原位界面聚合方法具有耗时较短、操作简单、原料节省且适用于大面积制备等特点,可得到表面电阻在100~200Ω/sq的柔性导电复合材料。
关键词:
聚吡咯
,
棉织物
,
柔性导电材料
,
原位界面聚合
印仁和
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赵亚萍
,
戴迎春
,
张新胜
金属学报
利用循环伏安法等方法分析了水杨酸钠对电镀锌钢板上电聚合吡咯的作用. 结果表明, 水杨酸钠作为支持电解质, 对锌镀层表面起钝化作用, 抑制了Zn的溶解, 有利于吡咯的电聚合, 可在电镀锌钢板表面形成均匀致密的聚吡咯膜.
关键词:
水杨酸钠
,
electropolymerization
,
cyclic voltammetry
印仁和
,
赵亚萍
,
戴迎春
,
张新胜
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2004.02.011
利用循环伏安法等方法分析了水杨酸钠对电镀锌钢板上电聚合吡咯的作用.结果表明,水杨酸钠作为支持电解质,对锌镀层表面起钝化作用,抑制了Zn的溶解,有利于吡咯的电聚合,可在电镀锌钢板表面形成均匀致密的聚吡咯膜.
关键词:
水杨酸钠
,
电聚合
,
循环伏安法
,
吡咯
王博莲
,
赵亚萍
,
蔡再生
表面技术
为探索织物无钯活化化学镀银方法,以戊二醛交联壳聚糖作为织物预处理剂,探讨了壳聚糖交联时间、交联剂和壳聚糖用量、烘焙温度等对化学镀银锦纶织物的方阻和沉积速率的影响,并获得优化工艺.分析表明:用交联壳聚糖处理锦纶织物,最终得到的化学镀银层致密且与织物结合牢固,镀银织物的方阻也较小.
关键词:
戊二醛
,
壳聚糖
,
化学镀银
,
方阻
宋秉政
,
赵亚萍
,
蔡再生
表面技术
目的 优化联氨-氨配合体系化学镀纯镍的工艺条件.方法 以壳聚糖为织物的预处理剂,通过单因素实验,探讨化学镀镀液各组分的浓度和pH值、温度、施镀时间等因素对化学镀纯镍锦纶织物的方阻和增重率的影响.结果 最优化学镀工艺条件如下:乙酸镍质量浓度45 g/L,水合肼质量浓度20 g/L,硫酸铵质量浓度8 g/L,镀液pH值为9,施镀温度为75℃,施镀时间为2h.结论 采用此反应体系,锦纶织物经壳聚糖改性处理后,可在最优施镀工艺条件下得到纯镍镀层,且镀层致密,方阻较小.
关键词:
化学镀纯镍
,
水合肼
,
壳聚糖
,
方阻
赵永庆
,
曾卫东
,
林成
中国材料进展
赵永庆教授基于Access 2000关系数据库平台,采用面向对象的可视化编程语言Visual Basic开发了钛合金基本关系数据库;建立了一套可行的钛合金显微组织的定量分析方法与模型,实现了钛合金显微组织中相的体积分数、β晶粒大小、α条的厚度及丛域尺寸、α条的形态、位向分布等特征参数的定量描述.采用Feret Ratio建立了典型钛合金α相的统一表征模型;运用经验电子理论(EET)探讨了亚稳β钛合金的β相稳定性、贫化β相与富化β相分离及控制富化β相分解的微观机理,为实现亚稳β钛合金的成分理论设计提供理论基础.
关键词:
钛合金
,
数据库
,
显微组织
,
定量表征
,
成分理论设计
张振华
电镀与精饰
doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2012.04.007
从实验验证、成本分析两个方面对甲基磺酸亚锡和硫酸亚锡为主盐的镀哑光锡电解液在镀液性能和镀层性能进行比较,验证了甲基磺酸亚锡镀哑光锡在镀层和镀液方面的性能优势,在成本上,对甲基磺酸亚锡镀哑光锡和硫酸亚锡镀哑光锡做对比分析,发现二者成本接近,综合研究结论为:甲基磺酸亚锡为主盐镀哑光锡在未来几年内,有取代硫酸亚锡的趋势.
关键词:
甲基磺酸亚锡
,
硫酸亚锡
,
镀层性能
,
镀液性能
,
成本
韩茹
,
杨银堂
,
贾护军
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.04.014
基于器件物理分析的方法,结合沟道电势二维解析模型,分析比较了漏极引致势垒降低效应(DIBL effect)对6H-及4H-SiC MESFET沟道势垒,阈值电压,以及亚阈值电流的影响,并研究了其温度特性.研究表明DIBL效应的存在使SiC MESFET的沟道势垒最小值随栅长及温度发生变化,并带来阈值电压及亚阈值电流的变化.栅长越大,温度越高,亚阚值倾斜因子Ns越小,栅压对沟道电流的控制能力增强,最终造成亚阈值电流随栅压的变化越快.
关键词:
碳化硅MESFET
,
沟道电势
,
漏极引致势垒降低效应
,
阈值电压