邓泽超
,
王世俊
,
丁学成
,
褚立志
,
梁伟华
,
赵亚军
,
陈金忠
,
傅广生
,
王英龙
人工晶体学报
为研究纳米硅晶粒成核生长动力学过程,采用脉冲激光烧蚀(PLA)技术,在室温,50～200 Pa的氩气氛围中,通过引入垂直于烧蚀羽辉轴线的外加气流,在水平放置的衬底上沉积了一系列纳米Si晶薄膜.扫描电子显微镜( SEM)、拉曼(Raman)散射和X射线衍射(XRD)检测结果表明,未引入气流时,衬底上相同位置处晶粒尺寸随气体压强的增大逐渐减小；在距靶1 ～2cm范围内引入气流后,尺寸变化规律与未引入气流时相反.通过分析晶粒尺寸及其在衬底上的位置分布特点,结合流体力学模型和热动力学方程,分析得出在激光能量密度一定的条件下,环境气体压强、烧蚀粒子温度和密度共同影响着纳米晶粒的成核生长.
关键词:
脉冲激光烧蚀
,
硅纳米晶粒
,
外加气流
,
成核生长动力学
梁伟华
,
王秀丽
,
赵亚军
,
庞学霞
,
王英龙
材料导报
采用基于密度泛函理论的第一性原理的方法,对厚度为0.54～3.30nm纳米Si薄膜的电子结构、光学性质及弹性常数进行了计算.结果表明,纳米Si薄膜是直接带隙半导体材料;随着纳米Si薄膜厚度的减小,带隙逐渐增大;薄膜的光学吸收边发生蓝移,吸收带出现宽化现象;弹性常数、杨氏模量和泊松比呈现尺寸效应.
关键词:
纳米Si薄膜
,
第一性原理
,
光学性质
,
弹性常数
梁伟华
,
赵亚军
,
王秀丽
,
郭建新
,
傅广生
,
王英龙
人工晶体学报
利用基于密度泛函理论的第一性原理,对不同直径和浓度Au掺杂Si纳米线的态密度和磁性进行了计算.结果表明:杂质Au的形成能随Si纳米线直径的增大和掺杂浓度的降低而下降,这说明直径越小的Si纳米线掺杂越困难,杂质浓度越高的Si纳米线越不稳定.其磁性是由于Au d轨道和Si p轨道的p-d耦合而产生的；改变Au的掺杂浓度可改变Si纳米线的带隙,也改变了其磁矩的大小.
关键词:
Si纳米线
,
掺杂浓度
,
磁性
,
电子结构
许杨健
,
涂代惠
,
赵亚军
功能材料
用非线性有限元法分析了由ZrO2和Ti-6Al-4V组成的变物性梯度功能材料无限自由长板在对流换热边界下的稳态热应力问题,检验了方法的正确性,给出了该材料板的稳态热应力场分布,并与不考虑变物性时的结果进行了比较.结果表明:当M=1.0时,考虑变物性的最大拉应力比不考虑变物性减小70.5%,最大压应力减小62.5%;此外,材料组分的分布形状系数M、环境介质温度、对流换热系数和孔隙度P的变化对变物性梯度功能材料板的稳态热应力场分布均有明显的影响;在本研究相同条件下,当孔隙度系数A=3.99时,陶瓷侧拉应力最大.此结果为梯度功能材料的设计制备提供了准确的理论计算依据.
关键词:
梯度功能材料板
,
变物性
,
稳态热应力
,
对流换热边界
,
非线性有限元法
鲁云华
,
赵洪斌
,
迟海军
,
董岩
,
肖国勇
,
胡知之
绝缘材料
以1,4-双(4-氨基-2-三氟甲基苯氧基)苯(6FAPB)为含氟二胺单体,均苯四甲酸二酐(PMDA)和1,2,3,4-环丁烷四酸二酐(CBDA)为二酐单体,经低温溶液缩聚反应得到聚酰胺酸,再经热酰亚胺化处理制备出含氟共聚聚酰亚胺(CPI)薄膜.采用红外(IR)、紫外(UV-Vis)、溶解性测试等对CPI进行结构与性能表征,考察两种二酐单体的不同物质的量之比对共聚聚酰亚胺光学性能和溶解性的影响.结果表明:随着脂环二酐CBDA摩尔配比的增加,CPI薄膜在410 nm处的光透过率逐渐增加,薄膜颜色逐渐变浅,溶解性有所改善.
关键词:
聚酰亚胺
,
共缩聚
,
含氟
,
结构与性能
金属学报
第一期高路不锈翎中裂较的研究········……,..........................................…… ·········~······一李薰、贺潜菊、张振芳、孺梦菊、严媒、赵蕙田(l)高煊煊缸内化学平衡的考察n.矽一硫、矽一碳和矽一锰平衡······……都元满(13)从铅鼓夙攘烟崖富集锡拜回收铅的研究·······································…… ·············....
关键词:
金属学报
<正> 朱锡熊:由赵彭年和莫金璣同志所作“液态鎵-锑系合金中组分锑的蒸气压”一文的突验数据,可以进一步了解到有关Ga-Sb溶液的热力学性质。 赵、莫在720°,750°和780℃测定了x_(Sb)=0.30-1.00成分范围的Ga-Sb溶液中组元Sb的蒸气压,因原数据比较散乱,欲根据其原始数据进行分析,需要先对数据进行处理。先按原始数据画出三个温度的lg P_(Sb_4)-x_(Sb)的光滑曲线,由曲线读出不同x_(Sb)成分时的lg P_(Sb_4)值。固定溶液的成分,再以lg P_(Sb_4)对1/T作直线,由直线读出该成分对应于上述三个温度的1g P_(Sb_4),也即组元Sb的蒸气压。两次处理的曲线示于图1,取出的组元Sb的蒸气压(毫米汞柱)列于表1。
关键词:
