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不同栅结构的部分耗尽NMOSFET/SIMOX的总剂量辐照效应研究

钱聪 , 张恩霞 , , 张正选 , 张峰 , 林成鲁 , 王英民 , 王小荷 , 赵桂茹 , 恩云飞 , 罗宏伟 , 师谦

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.04.012

研究了在改性注氧隔离(SIMOX)材料上制备的具有环栅和H型栅结构的部分耗尽NMOS晶体管在三种不同偏置状态的总剂量辐照效应.实验表明在10keV的X-射线总剂量辐照下,器件的背栅、正栅阈值电压负向漂移和漏电流都控制在较小的水平;在2Mrad(SiO2)的辐照下仍能正常工作.研究证实了无论哪种栅结构,对于背栅,PG均为最劣偏置,其次是OFF偏置,而ON偏置下器件受辐照的影响最小;而对于正栅,ON均为最劣偏置.通过拟合计算出了绝缘埋层(BOX,即埋氧)中的饱和净正电荷密度Not和空穴俘获分数α.

关键词: 绝缘体上硅(SOI) , 总剂量辐照效应 , 环栅结构 , H型栅结构

部分耗尽SOI MOSFET总剂量辐射效应的最恶劣偏置状态

俞文杰 , 张正选 , 张恩霞 , 钱聪 , , 田浩 , 陈明 , 王茹

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.06.008

通过实验研究了部分耗尽SOI NMOSFET总剂量辐射效应与辐射时的偏置状态的关系,实验结果表明TG(Transition Gate)是最恶劣的偏置状态.随后分别用MEDICI模拟软件和数值模型模拟掩埋氧化层中的电场强度与空穴俘获率.模拟结果合理地解释了实验结果,掩埋氧化层中的高电场和高空穴俘获率是TG为最恶劣偏置状态的主要原因.

关键词: SOI , 总剂量辐射 , 背沟道 , 掩埋氧化层

部分耗尽环栅CMOS/SOI总剂量辐射效应研究

, 张恩霞 , 钱聪 , 张正选

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.04.013

采用硅离子注入工艺对注氧隔离(SIMOX)材料进行改性,在改性材料和标准SIMOX材料上制作了部分耗尽环型栅CMOS/SOI反相器,并对其进行60Co γ射线总剂量辐照试验.结果表明,受到同样总剂量辐射后,改性材料制作的反相器与标准SIMOX材料制作的反相器相比,转换电压漂移小的多,亚阈漏电也得到明显改善,具有较高的抗总剂量辐射水平.

关键词: 离子注入 , 注氧隔离 , 绝缘体上硅(SOI) , 总剂量辐射效应

总剂量辐射下的NMOS/SOI器件背栅阈值电压漂移模型

, 张正选

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.04.020

SOI(绝缘体上硅)器件在总剂量辐照下的主要性能退化是由于SOI器件的背栅阈值电压漂移引起的背沟道漏电.本文首先采用二维有限元方法,对辐射在SOI器件的埋氧层中的感生氧化物电荷进行模拟,然后分析此氧化物电荷对器件的外部电学特性的影响,建立了器件在最劣偏置下辐射引起的背栅MOSFET的阈值电压漂移模型,提取背栅MOSFET受辐射影响参数,以用于在SOI电路设计中准确的评估辐射对SOI电路的影响.模拟数据和试验数据具有很好的一致性.

关键词: 埋氧层 , 绝缘体上硅 , 总剂量辐射效应 , 模型 , 背栅

SOI NMOS晶体管在高剂量的X射线与60Coγ射线辐射作用下的背栅阈值电压漂移饱和效应的研究及比对

田浩 , 张正选 , 张恩霞 , , 俞文杰 , 王茹

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.06.016

利用标准SIMOX材料制作了部分耗尽环型栅NMOS晶体管,并在ON偏置条件下分别对其进行了10keV X射线及60Coγ射线总剂量辐照实验.实验结果表明,在两种辐射条件下NMOS晶体管的背栅阈值电压漂移量都会随着辐照剂量的升高而趋于饱和.实验分析并研究了这种现象的机理,并发现在较低的辐照剂量下60Coγ射线造成的背栅阈值电压漂移量较大,但在高剂量条件下 X射线造成的漂移量将超过60Coγ射线.

关键词: 注氧隔离 , 绝缘体上硅(SOI) , 总剂量辐射效应 , MOS晶体管

复垦尾矿库重金属分布及生态风险评价

邓红卫 , , 周科平

中国有色金属学报

为评估尾砂矿生态风险,保护生态环境,实现可持续发展,研究某铅锌尾矿库中Pb、Zn、Cu、As 4种重金属的垂向分布并对其污染程度和潜在生态危害进行评价。除使用地累积指数法和生态风险指数法,结合地累积指数法和内梅罗综合指数法来评价多种重金属综合污染情况。结果表明:重金属在垂向上的分布不尽相同,复垦土层重金属含量较下层小但仍超过土壤背景值;土层与尾砂交界处,重金属出现富集现象,污染程度最大;尾砂层和深部区为中度或强污染。4种重金属元素Cu的污染最轻,Pb、Zn、As的在中度污染或强污染以上,对总的生态风险指数贡献率由大到小依次为 As、Pb、Zn、Cu。单纯覆土对减少尾矿库重金属危害效果不明显,应联合其他有效措施进行修复。

关键词: 尾矿库 , 复垦 , 重金属污染 , 生态风险评价

美国纽柯公司特福德中厚板厂

钢铁

美国纽柯公司特福德中厚板厂的板坯连铸机和轧机由达涅利公司提供.介绍了工厂的特点、工厂参数的精确调试和优化、产量和质量的提升.工厂的连铸机是世界上最宽的长漏斗形结晶器板坯连铸机,能够生产优质合格的产品并连续不断地打破了产能纪录.

关键词: 板坯 , 连铸 , 结晶器

美国纽柯公司特福德中厚板厂

B.DiGiusto

钢铁

美国纽柯公司特福德中厚板厂的板坯连铸机和轧机由达涅利公司提供。介绍了工厂的特点、工厂参数的精确调试和优化、产量和质量的提升。工厂的连铸机是世界上最宽的长漏斗形结晶器板坯连铸机,能够生产优质合格的产品并连续不断地打破了产能纪录。

关键词: 板坯;连铸;结晶器

流动注射化学发光法测定异丙

何树华 , 何德勇 , 章竹君

应用化学 doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2006.11.025

在酸性介质中,Ce(Ⅳ)氧化连二亚硫酸钠产生较弱的化学发光,异丙可以明显增强此发光,增加的发光强度与异丙的质量浓度在0.1~10 mg/L范围内呈良好的线性关系(r=0.999 7),由此建立了一种测定异丙的流动注射化学发光新方法,检出限为80 μg/L(3σ). 对1.0 mg/L的异丙连续平行测定11次,其相对标准偏差为3.3%. 用于测定环境水样和大米中异丙含量,回收率为96.1%~99.4%.

关键词: 化学发光 , 流动注射 , 连二亚硫酸钠 , 异丙

高效液相色谱-线性离子阱三级质谱法检测花生中涕灭及其代谢物涕灭砜、涕灭亚砜

杨欣 , 李鹏 , 赵云峰 , 吴永宁

色谱 doi:10.3724/SP.J.1123.2011.11027

建立了花生中涕灭及其代谢物涕灭砜、涕灭亚砜的高效液相色谱-线性离子阱三级质谱分析方法.样品经环己烷饱和的乙腈提取,凝胶渗透色谱净化后,用高效液相色谱-线性离子阱三级质谱法对样品中的目标物进行定性确证和定量分析.在Capcell PAK CR色谱柱上以含5 mmol/L NH4Ac-HAc的乙腈为流动相进行梯度洗脱分离.采用电喷雾离子源正离子模式进行三级选择离子监测,以涕灭-d3作为3个目标物的内标物.通过比较基质匹配曲线和纯溶剂标准曲线计算回收率评估基质效应.方法的线性范围为10 ~ 500μg/L,检出限为4~5μg/kg.涕灭、涕灭砜、涕灭亚砜在3个加标水平(10、20、40 μg/kg)的回收率为81.5%~115%,相对标准偏差为6.35%~ 15.1%.应用该方法对花生样品进行了测定,结果令人满意.

关键词: 高效液相色谱-线性离子阱三级质谱法 , 凝胶渗透色谱净化 , 涕灭 , 涕灭 , 涕灭亚砜 , 花生

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