郭文涛
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谭满清
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焦健
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郭小峰
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孙宁宁
人工晶体学报
为了在高功率980 nm激光器工艺中制备高质量、均匀性好、致密性高的SiO2薄膜,本文研究了PECVD的反应压强、射频功率、SiH4与N2O流量比对SiO2薄膜的沉积速率和BOE腐蚀速率的影响.实验采用BOE腐蚀速率来反映SiO2薄膜的致密性,采用傅里叶红外光谱仪得到SiO2薄膜的红外吸收特性,采用原子力显微镜(AFM)观察SiO2薄膜的表面形貌.通过优化各工艺参数最终获得了BOE腐蚀速率为9.18 nm/s的SiO2薄膜.
关键词:
PECVD
,
SiO2薄膜
,
致密性
,
BOE腐蚀速率
谭满清
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陆建祖
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李玉鉴
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.028
以实验数据为基础,运用人工神经网络方法,建立了电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECRPlasmaCVD)淀积硅的氮、氧化物介质膜的折射率、速率与气流配比Q(N2)/Q(SiH4)和Q(O2)/Q(SiH4)关系的数学模型,此模型在给定气流配比Q(N2)/Q(SiH4)和Q(O2)/Q(SiH4)时所预测的成模折射率跟实验值符合得很好,为ECRPlasmaCVD淀积全介质光学膜的工艺打下坚实的基础.
关键词:
ECRPlasmaCVD
,
人工神经网络
,
气流配比
,
折射率
,
淀积速率