谢生
,
陈松岩
,
何国荣
,
周海文
,
吴孙桃
功能材料
通过对InP/GaAs异质键合实验方法的研究,提出了包括表面活化处理、真空预键合和退火热处理的三步法,在350℃低温下实现了InP/GaAs异质材料的键合.界面电流-电压(I-V)特性的研究表明,350℃样品的界面过渡层极薄,电子主要以隧穿方式通过界面,而450℃的扩散使得过渡层增厚,界面电流-电压特性可视为双肖特基二极管的反向串联.同时,对键合样品也进行了拉力测试,实验结果表明450℃样品的键合强度优于350℃样品.最后,对InP/GaAs异质材料的键合机理进行了探讨.
关键词:
低温键合
,
磷化铟
,
砷化镓
,
I-V特性
,
键合强度
王浩
,
谢生
,
冯志红
,
刘波
,
毛陆虹
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.01.010
采用直流偏置应力法对蓝宝石衬底上的 In-AlN/GaN HEMT 器件的电流崩塌效应进行了研究。实验结果表明,在关态和开态应力后,器件直流特性明显退化,退化程度随偏置应力电压和应力时间的累积而增大。理论分析和器件仿真结果表明,关态应力引起的性能退化主要是由栅泄漏电流填充表面态形成的虚栅造成的;而开态应力引起的退化是沟道热电子被势垒层陷阱及表面态俘获产生的。因此,只有消除表面态和势垒层陷阱或者隔绝表面态形成的虚栅才能有效抑制电流崩塌。偏置应力引起的性能退化是可逆过程,在无外界激励时,经过10 d左右的静置,器件基本恢复初始性能。
关键词:
高电子迁移率晶体管
,
电流崩塌
,
偏置应力
,
铟铝氮
,
氮化镓
谢生
,
陈松岩
,
毛陆虹
,
郭维廉
功能材料
用直接键合技术在480℃实现了InP/GaAs的异质键合,用X射线光电子谱研究了样品的界面化学态.研究分析表明,InP/GaAs样品在480℃的键合过程中发生相互扩散(除P外),键合界面处形成了由InP、GaAs、InAs和GaP构成的中间过渡层,过渡层厚度约为6nm.
关键词:
晶片键合
,
X射线光电子谱
,
磷化铟
,
砷化镓
谢生
,
陈松岩
,
陈朝
,
毛陆虹
功能材料
采用PECVD方法制备了SiNx薄膜,用椭偏测厚仪、红外光谱仪和俄歇能谱仪研究了SiNx薄膜的性质.测试结果表明,SiNx薄膜的折射率随SiH4流量增加不断增大,当SiH4/NH3为38/8时,沉积SiNx薄膜的折射率为1.93,对应的Si/N比约为0.75.FTIR测试结果表明,随着SiH4/NH3流量的增加,N-H含量降低,Si-H含量升高,当SiH4/NH3为38/8时,SiNx薄膜的H含量最少.通过优化沉积条件和层厚度,将SiNx薄膜应用于InP材料的开管扩Zn中,并成功制备了平面结构的InP/InGaAs PIN探测器.
关键词:
氮化硅
,
等离子增强化学汽相沉积
,
钝化
,
磷化铟
,
开管Zn扩散
谢生
,
陈朝
,
毛陆虹
功能材料
为了在InP材料中获得精确的浅结扩散和低的接触电阻,同时防止InP表面层分解,提出了一种以Zn膜作扩散源、用快速热处理工艺进行Zn扩散的新方法.实验结果表明,该方法不仅可以获得约5×1018cm-3的空穴浓度,而且扩散界面平坦、无尖峰.用SiNx/SiO2和Al2O3图形掩膜制备的p-n结二板管的反向击穿电压分别为28和37V,进一步验证了扩散界面良好的电学特性.
关键词:
锌扩散
,
磷化铟
,
电化学电容-电压
,
电流-电压特性
王俊岭
,
王雪明
,
冯萃敏
,
李颖娜
,
赵欣
硅酸盐通报
植生混凝土已经被用于河岸护坡、公路护边、停车场、屋顶绿化、建筑物墙面绿化等工程中.它对生态平衡和自然环境的保护具有积极作用.此外,植生混凝土作为建筑材料的同时,在净化水质、修复生态环境、水土保持、调节环境温度等方面发挥着积极的作用.通过对国内外资料的分析,综述了植生混凝土的概念、特点、研究现状和工程应用情况,并提出了植生混凝土未来需研究的问题,对进一步深入研发和推广应用具有积极意义.
关键词:
植生混凝土
,
降碱
,
填料
,
强度
,
应用
陈泽民
,
孙涛
,
李松
,
柏万春
兵器材料科学与工程
doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2009.03.010
氮化钒是VT包芯线粉芯材料的一种,使用中对其粒度有严格要求,经过破碎后会产生很多细粉,不能直接使用.为充分利用细粉,拟定分级-造粒-干燥工艺对氮化钒粉末进行处理,干燥工艺是很重要的工序.分析干燥温度、原料粒径、初含水率以及粘合剂配比对氮化钒生球干燥过程的影响,并探讨生球干燥过程,发现干燥速度与时间的关系曲线呈"单峰"状和"双峰"状,分析这种现象的原因.
关键词:
氮化钒
,
干燥
,
干燥速度曲线
李钢
,
金同顺
,
尤娟
,
王露
,
吴启南
应用化学
doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2005.11.014
用XRD、SEM、ICP、TG等分析手段对生、煅磁石的物相、元素含量、形貌、晶粒大小、比表面积等进行了分析与比较.结果表明,磁石煅烧后保持了原有的主要物相Fe3O4,而Fe2O3基本消失,有害元素Cd和Pb含量明显降低,晶粒变大(从24.5 nm提高到35.7 nm),表面变疏松.与煅磁石在加热过程中一次失重相比,生磁石加热过程中,在367.9~422.1℃和568.8~594.1℃之间出现了2个失重台阶.
关键词:
中药
,
磁石
,
X射线粉末衍射
,
扫描电镜
,
微量元素