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直接敷铜工艺制备Cu/AlN材料的界面结构及结合性能

建军 , 王宇 , 汪暾 , 王亚黎 , 丁毛毛 , 李德善 , 翟甜蕾 , 林德宝 , 章蕾 , 吴志豪 , 施鹰

机械工程材料 doi:10.11973/jxgccl201701013

通过直接敷铜(DBC)工艺,在AlN陶瓷基板表面于1000~1060℃的敷接温度下制备Cu/AlN材料,利用机械剥离机、场发射扫描电子显微镜和X射线衍射仪分析了Cu/AlN的界面结合强度、界面微观形貌和物相组成.结果表明:铜箔和AlN陶瓷基板间的结合强度超过了8.00 N?mm-1,铜箔和AlN陶瓷之间存在厚度约为2μm的过渡层,过渡层中主要含有 Al2 O3、CuAlO2和Cu2 O 化合物;随着敷接温度升高,Cu/AlN的界面结合强度逐渐增大.

关键词: 表面金属化 , 直接敷铜工艺 , AlN陶瓷 , 界面结合强度

Si4+离子对Y3+:PbWO4晶体闪烁性能及辐照硬度的影响

张昕 , 廖晶莹 , 建军 , 沈炳孚 , 邵培发 , 李长泉 , 袁辉 , 殷之文

无机材料学报

Y3+离子掺杂钨酸铅晶体特殊的低剂量率辐照行为一般在晶体顶端表现更为明显,以往研究认为该现象起因于晶体中有效分凝系数<1的Na+、K+和Si4+等杂质在顶端的富集.本文研究了Si4+掺杂的Y3+:PWO晶体,对晶体顶端和晶种端的分段晶体测试了退火温度对晶体透过率和辐照硬度的影响,结果发现:在实验所涉及的掺杂浓度范围内,Si4+离子杂质对Y3+:PWO晶体的辐照硬度及透过率无影响,可以认为Y3+:PWO晶体特殊的低剂量率辐照行为和晶体中的Si4+离子含量无关.

关键词: 钨酸铅 , doping , radiation hardness , scintillation

熔体组成与PbWO4:Y3+晶体闪烁性能稳定性的关系

张昕 , 廖晶莹 , 建军 , 沈炳孚 , 邵培发 , 倪海洪 , 李长泉 , 殷之文

无机材料学报

部分PWO:Y3+晶体辐照后光产额升高,并且辐照硬度对退火温度较敏感.本文选取未掺杂及Sb、La3+、Y3+单掺和La3+/Sb、Y3+/Sb双掺的PWO样品进行对照实验,同时选取代表性晶体的顶部急冷料做了X射线荧光主量分析.结果发现:低剂量辐照后光产额升高现象只存在于含Y3+离子的PWO晶体中,并且这类晶体往往存在420nm吸收带;在改进Bridgeman法生长PWO晶体的后期,使熔体保持一定程度的负电性将有利于抑制该现象,即可有效地抑制同样是负电性的间隙氧进入晶体.结合测试数据,本文讨论了该现象的起因和机理,提出了掺杂剂的选择原则.

关键词: 钨酸铅 , doping , light yield , melt , radiation hardness

大尺寸PWO:(Sb,Y)晶体光谱特性的表征研究

建军 , 袁晖 , 杨培志 , 沈炳孚 , 曹顿华 , 廖晶莹 , 顾牡 , 殷之文

无机材料学报

报道了用改进的Bridgmam法生长的大尺寸PbWO4:(Sb,Y)晶体的光谱特性的表征研究.通过对依次切自大尺寸PbWO4:(Sb,Y)毛坯晶体的籽晶端、中间部位和顶端三块晶体(~23mm×23mm×20mm)的透射光谱、X射线激发发射光谱、紫外激发与发射光谱、发光衰减寿命、光产额和辐照损伤等方面的光谱性能测试,结果表明,Sb、Y双掺杂能显著改善PbWO4晶体的光谱性能,使晶体在短波330-420nm范围的透过率明显提高,光产额增加,抗辐照能力增强.但从籽晶端到顶端的性能存在一定的差异,说明大尺寸的PbWO4:(Sb,Y)晶体的均匀性还有待提高.

关键词: 改进的Bridgman法 , PbWO4:(Sb , Y) , spectroscopic properties

钨酸铅闪烁晶体的双掺杂性能研究

刘志坤 , 熊巍 , 袁晖 , 建军 , 陈良 , 周尧 , 曾阳 , 施鹰

人工晶体学报

本文采用坩埚下降法生长出了PbWO4:(F,Er)晶体和PbWO4:(F,Nd)晶体,并且对此两种晶体透过性能和闪烁发光性能进行了测试分析.透过光谱结果显示,PbWO4:(F,Er)晶体和PbWO4∶(F,Nd)晶体在350 nm至700nm范围内的透过率比纯的钨酸铅均有较大的提高.紫外激发发射光谱测试结果表明,通过双掺杂可以提高钨酸铅晶体闪烁发光的强度,并且PbWO4:(F,Er)双掺杂晶体在波长为527 nm处和546 nm处均形成了较强的发光峰.通过对掺杂晶体进行XRD分析可知,阴阳离子的同时掺入并未引起钨酸铅晶体结构的明显改变.

关键词: 钨酸铅晶体 , 掺杂改性 , 发光性能 , 透过率

Si4+离子对Y3+:PbWO4晶体闪烁性能及辐照硬度的影响

张昕 , 廖晶莹 , 建军 , 沈炳孚 , 邵培发 , 李长泉 , 袁辉 , 殷之文

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2002.05.005

Y3+离子掺杂钨酸铅晶体特殊的低剂量率辐照行为一般在晶体顶端表现更为明显,以往研究认为该现象起因于晶体中有效分凝系数<1的Na+、K+和Si4+等杂质在顶端的富集.本文研究了Si4+掺杂的Y3+:pwO晶体,对晶体顶端和晶种端的分段晶体测试了退火温度对晶体透过率和辐照硬度的影响,结果发现:在实验所涉及的掺杂浓度范围内,Si4+离子杂质对Y3+:pwO晶体的辐照硬度及透过率无影响,可以认为Ya+:pWO晶体特殊的低剂量率辐照行为和晶体中的Si4+离子含量无关.

关键词: 钨酸铅 , 掺杂 , 辐照硬度 , 闪烁性能

熔体组成与PbWO4:Y3+晶体闪烁性能稳定性的关系

张昕 , 廖晶莹 , 建军 , 沈炳孚 , 邵培发 , 倪海洪 , 李长泉 , 殷之文

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2002.06.005

部分PWO:Y3+晶体辐照后光产额升高,并且辐照硬度对退火温度较敏感.本文选取未掺杂及Sb、La3+、Y3+单掺和La3+/Sb、Y3+/Sb双掺的PWO样品进行对照实验,同时选取代表性晶体的顶部急冷料做了X射线荧光主量分析.结果发现:低剂量辐照后光产额升高现象只存在于含Y3+离子的PWO晶体中,并且这类晶体往往存在420nm吸收带;在改进Bridgeman法生长PWO晶体的后期,使熔体保持一定程度的负电性将有利于抑制该现象,即可有效地抑制同样是负电性的间隙氧进入晶体.结合测试数据,本文讨论了该现象的起因和机理,提出了掺杂剂的选择原则.

关键词: 钨酸铅 , 掺杂 , 光产额 , 熔体 , 辐照硬度

大尺寸PWO:(Sb,Y)晶体光谱特性的表征研究

建军 , 袁晖 , 杨培志 , 沈炳孚 , 曹顿华 , 廖晶莹 , 顾牡 , 殷之文

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2005.05.012

报道了用改进的Bridgmam法生长的大尺寸PbWO4:(Sb,Y)晶体的光谱特性的表征研究.通过对依次切自大尺寸PbWO4:(Sb,Y)毛坯晶体的籽晶端、中间部位和顶端三块晶体(~23mm×23mm×20mm)的透射光谱、X射线激发发射光谱、紫外激发与发射光谱、发光衰减寿命、光产额和辐照损伤等方面的光谱性能测试,结果表明,Sb、Y双掺杂能显著改善PbWO4晶体的光谱性能,使晶体在短波330~420nm范围的透过率明显提高,光产额增加,抗辐照能力增强.但从籽晶端到顶端的性能存在一定的差异,说明大尺寸的PbWO4:(Sb,Y)晶体的均匀性还有待提高.

关键词: 改进的Bridgman法 , PbWO4:(Sb,Y) , 光谱性能

全印刷碳纳米管薄膜晶体管构建及电性能研究

张祥 , 费斐 , 郭文瑞 , 聂书红 , 吴良专 , 建军 , 赵建文 , 崔铮

影像科学与光化学 doi:10.7517/j.issn.1674-0475.2016.02.136

利用纳米压印和电刷镀技术在PET基体上制作出大面积金源、漏电极阵列.分别采用钛酸钡复合材料为介电层,印刷银电极为顶电极,聚芴-二噻吩基吡咯并吡咯二酮(PF8DPP)分离的半导体碳纳米管为有源层,在柔性基体上构建出全印刷碳纳米管薄膜晶体管器件和反相器.全印刷碳纳米管薄膜晶体管的开关比和迁移率分别达到4×104和6 cm2·V-1·s-1,且器件表现出零回滞特性.构建的反相器在Vdd=8 V时,其增益可以达到12.

关键词: 纳米压印 , 电刷镀 , 半导体碳纳米管 , 聚合物 , 印刷电子 , 薄膜晶体管

阴离子掺杂钨酸铅晶体的生长与发光性能研究

建军 , 施鹰 , 王剑 , 袁晖 , 宋国新 , 陈良 , 陈俊锋

人工晶体学报

本文报道了阴离子F~-, Cl~-, I~- 和S~(2-)掺杂的PbWO_4晶体的生长与发光性能.通过对掺杂PbWO_4晶体的X射线粉末衍射、紫外可见区的透过光谱、光致激发、光产额和发光衰减特性进行了测试表征,结果表明:F~-掺杂能使PbWO_4晶体在短波方向的透过率明显提高,显著提高PbWO_4晶体的发光强度,但增加的发光强度主要来自于慢发光的贡献.而随着掺杂阴离子半径和电荷数的增加,PbWO_4晶体的发光强度逐渐降低,并且PbWO_4晶体吸收截止边逐渐向长波方向移动.

关键词: 阴离子掺杂 , PbWO_4晶体 , 光产额 , 发光衰减

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