李凯
,
谢二庆
,
王立
,
孙彦诤
,
崔新宇
,
买胜利
功能材料
室温硫化硅橡胶(RTV胶)可以有效防止空间高压太阳阵产生二次放电事件.本文以地面模拟实验为基础,研究RTV胶在空间高压阵抗二次放电方面的防护作用.实验表明RTV胶明显提高了高压阵二次放电阈值电压;经高能电子辐照后,RTV胶防护样品串间发生耦合放电.通过对经高能电子辐照前后样品RTV胶的红外分析对比,讨论了空间高能电子辐照环境对RTV胶防护二次放电性能的影响.
关键词:
RTV胶
,
防护技术
,
高压太阳阵
,
二次放电
,
耦合放电
武丽慧
,
张永哲
,
韩立中
,
康翠萍
,
赵建果
,
谢二庆
材料导报
静电纺丝是一种简单而常用的制备纳米线的方法.为了得到具有均匀颗粒以及附着性良好的薄膜从而应用于染料敏化太阳能电池光阳极,采用在电纺丝前驱体溶液中加入乙醇胺的方法,成功制备了与衬底附着良好的TiO2纳米晶薄膜,并制备了不同厚度的TiO2纳米晶薄膜,详细探讨了TiO2膜的厚度对电池各个重要参数的影响.
关键词:
静电纺丝
,
乙醇胺
,
均匀纳米颗粒
,
太阳能电池
邵乐喜
,
刘小平
,
谢二庆
,
贺德衍
,
陈光华
无机材料学报
采用由普通炸药爆轰制备的金刚石纳米粉对光滑硅衬底进行了涂覆预处理，研究了金刚石薄膜经徐覆和研磨预处理的两种衬底上的生长行为及其演化过程．结果表明，纳米粉处理能在显著提高成核密度的同时，大大缩短长成连续膜所用的时间；薄膜的生长由前后相继的两个阶段所构成，即确定晶面形成前球状颗粒的成长与融合和晶面的逐渐显露与晶粒长大过程．经足够长的生长时间后，所得薄膜具有结构致密、晶面清晰、晶形完整和表面平整度高的特征，特别适合于高致密性自支持薄膜的生长．而研磨处理衬底上生长的薄膜一旦成核，便有确定晶面的显露，但却出现明显的二次成核和孪晶，所得薄膜的致密性与表面平整度均不及徐覆处理的好．文中还对结果进行了简要讨论．
关键词:
金刚石纳米粉
,
CVD diamond thin films
,
growth behavior
邵乐喜
,
刘小平
,
谢二庆
,
贺德衍
,
陈光华
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2002.01.019
采用由普通炸药爆轰制备的金刚石纳米粉对光滑硅衬底进行了涂覆预处理,研究了金刚石薄膜经涂覆和研磨预处理的两种衬底上的生长行为及其演化过程.结果表明,纳米粉处理能在显著提高成核密度的同时,大大缩短长成连续膜所用的时间;薄膜的生长由前后相继的两个阶段所构成,即确定晶面形成前球状颗粒的成长与融合和晶面的逐渐显露与晶粒长大过程.经足够长的生长时间后,所得薄膜具有结构致密、晶面清晰、晶形完整和表面平整度高的特征,特别适合于高致密性自支持薄膜的生长.而研磨处理衬底上生长的薄膜一旦成核,便有确定晶面的显露,但却出现明显的二次成核和孪晶,所得薄膜的致密性与表面平整度均不及涂覆处理的好.文中还对结果进行了简要讨论.
关键词:
金刚石纳米粉
,
CVD金刚石薄膜
,
生长行为
马紫微
,
苏玉荣
,
谢毅柱
,
赵海廷
,
刘利新
,
李健
,
谢二庆
材料导报
HfO2薄膜的结构和光学性能与反应溅射时使用的气压有很强的依赖关系.薄膜的晶粒生长取向、生长速率和折射率明显受溅射气压的影响.所有的薄膜均为单斜相,晶粒尺寸在纳米量级.薄膜的折射率在1.92～2.08范围内变化,透过率大于85％.结果表明,这些HfO2薄膜很适宜用作增透膜或者高反膜.此外,通过Tauc公式推出光学带隙在5.150～5.433eV范围内变化,表明样品是良好的绝缘体.
关键词:
HfO2薄膜
,
溅射法
,
光学性能
,
光学带隙
王涛
,
潘孝军
,
张振兴
,
李晖
,
谢二庆
中国稀土学报
利用直流磁控反应式共溅射方法制备了GaN:Tb薄膜. XRD结果显示,该薄膜为纳米晶结构,根据Scherrer公式,计算得到了GaN薄膜晶粒的平均大小为4.8 nm; 紫外可见谱表明在可见光区薄膜的平均透过率大于75%,同时利用Tauc公式计算得到了薄膜的光学带隙为3.07 eV; 测量了薄膜的室温光致发光谱,获得了Tb3+在可见光区(位于497.0,552.4,594.2以及627.8 nm)的本征发光.
关键词:
反应溅射
,
nc-GaN薄膜
,
Tb掺杂
,
光致发光
,
稀土
张俊丽
,
傅杰财
,
郭小松
,
刘滨
,
谢二庆
材料导报
采用热丝化学气相沉积法在玻璃衬底上沉积硅薄膜,采用扫描电子显微镜、拉曼光谱分析表征样品的形貌和结晶性,较为系统地研究了硅烷浓度、衬底到热丝的距离对硅薄膜生长过程及各种性质的影响,结果表明,较高的衬底温度及较低的硅烷浓度有利于薄膜的结晶.
关键词:
热丝化学气相沉积
,
硅薄膜
,
硅烷浓度
,
衬底与热丝距离
,
衬底温度
马紫微
,
谢二庆
,
林洪峰
,
宁长春
,
刘肃
,
贺德衍
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.04.003
利用射频溅射法在Si衬底上制备了SiCN薄膜,并利用X射线衍射(XRD)、红外吸收谱(FTIR)和X射线光电子谱(XPS)对薄膜的结构、成份及化学键合状态进行了分析.结果表明,室温制备的SiCN薄膜为非晶状态,并形成了Si-C、Si-N和C-N键;而在高温下(衬底温度为800oC),薄膜中含有SiCN的晶体成分.此外,还利用原子力显微镜(AFM)对薄膜的表面形貌进行了研究,并进一步研究了样品的场发射性能.在场强为24V/μm时,最大发射电流可达3.3mA/cm2.
关键词:
SiCN薄膜
,
XRD
,
IR
,
XPS
,
AFM
,
场发射
谢二庆
,
王文武
,
姜宁
,
贺德衍
无机材料学报
利用离子注入的方法在Si（111）衬底上制备出了具有六方结构的稀土硅化物YSi2埋层,并对其进行了结构及电学特性的研究.钇注入剂量为1×1018Y+cm-2,注入能量为100keV.利用X射线衍射（XRD）及卢瑟福背散射技术（RBS）得到了注入样品的结构相.结果显示,在对衬底Si进行Y离子注入的过程中就已经形成了YSi2相,在随后的红外光辐照退火过程中,样品呈现出了取向生长的趋势.利用RBS的测量分析了注入层中的Y离子在样品不同深度处的浓度分布.利用四探针法对刚注入的样品进行了红外光辐照过程中的原位方块电阻测量,结果显示,当退火温度升到160℃时,样品中形成了斜方的YSi亚稳相;而240℃则对应着YSi-YSi2的相转变点。
关键词:
硅化钇
,
In-situ sheet resistance
,
ion implantation
