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USb2单晶的生长、磁性和输运性质研究

谢东华 , 赖新春 , 谭世勇 , 张文 , 刘毅 , 冯卫 , 张云 , 刘琴 , 朱燮刚

稀有金属

采用Sb自助熔剂法成功生长高质量的USb2单晶,并研究了磁化率、电阻、磁阻和比热容等性质.研究表明,中等关联强度的USb2中的5f电子具有巡游和局域双重特征.USb2中的5f电子在260 K附近开始发生相干,203 K由顺磁态转变为反铁磁态,进行费米面的重构.在113 K以下局域的5f电子与传导电子发生第一次杂化使费米面附近电子结构发生变化.在54 K以下通过第二次杂化使得费米面附近形成了杂化能隙.在更低温度下晶体场效应对物理性质也产生了一定的影响.

关键词: USb2 , 助熔剂法 , 磁化率 , 输运性质

Be/CuCrZr合金扩散连接的界面行为

叶林森 , 谌继明 , 谢东华 , 王锡胜 , 许泽金 , 陈伟

稀有金属材料与工程

在不同表面粗糙度的Be侧镀Ti/Cu中间层,采用热等静压技术将铍与CuCrZr合金进行扩散连接.通过AES、SEM(EDS)、室温剪切试验和XRD等分析其镀层形貌及成分、界面特性与相结构.结果表明:9 μm Ti、35 μm Cu镀层带征较为均匀,影响扩散连接强度的元素较少,采用双靶单侧镀复合膜的工艺有利于减少Ti镀层的氧化;界面剪切强度明显提高,最高可达243 MPa,Be表面粗糙度的不同对强度影响不明显;Be-Ti连接强度高,剪切断裂均发生在Cu镀层.

关键词: 表面粗糙度 , Be , CuCrZr合金 , 镀层 , 热等静压 , 扩散连接

热等静压对铀基钛镀层的影响

张羽廷 , 张鹏程 , 谢东华 , 王庆富 , 刘婷婷

稀有金属材料与工程

采用扫描电镜(SEM),能谱仪(EDS),X-射线衍射仪(XRD)等方法,研究了U上磁控溅射Ti镀层在600 ℃,0.5 h,150 MPa条件下热等静压(HIP)处理对其表面界面特性及界面扩散的影响.结果表明:经HIP处理后,镀层致密性提高,膜基结合强度也提高,U、Ti在界面的扩散受到压力的抑制.

关键词: 热等静压(HIP) , 铀/钛 , 界面扩散

退火温度对纯钒组织和性能的影响

谢东华 , 刘柯钊 , 鲜晓斌 , 叶林森 , 陈艳平

稀有金属材料与工程

研究了不同退火温度对热等静压(HIP)纯钒组织和力学性能的影响.结果表明,纯钒的退火过程呈明显的回复、再结晶、晶粒长大3个阶段;随退火温度升高,板条状马氏体含量减少,温度高于950℃退火时板条状马氏体消失;随着退火温度的升高,纯钒的拉伸强度降低,塑性先增加后降低;塑性在950℃退火时达最大值,延伸率、断面收缩率分别为35.2%、64%.

关键词: , 热等静压 , 退火 , 组织 , 力学性能

纯钒制备及其性能

鲜晓斌 , 叶林森 , 冷邦义 , 谢东华 , 谢茂林 , 迟永刚

稀有金属材料与工程

采用热等静压(HIP)技术制备纯钒,利用材料试验机、OM、SEM、TEM和TGA等测试纯钒的力学性能并观察其拉伸断口形貌、进行热重分析.结果表明:热等静压温度在1250 ℃以上可以实现全致密化;随温度的升高,抗拉强度、屈服强度均先降低后增加,延伸率及断面收缩率呈相反趋势变化,在1250 ℃综合性能最佳,抗拉强度、屈服强度分别为701,634 MPa,延伸率为22.4%;断口形貌表现出滑断、微孔聚集等不同的断裂方式,不同温度制备的纯钒试样晶粒大小没有显著变化,均观察到板条马氏体组织存在; 氧化行为符合抛物线规律,活化能为118 kJ/mol.

关键词: 热等静压 , 纯钒 , 性能 , 组织 , 氧化

UFeGa5单晶生长及晶体结构研究

谢东华 , 赖新春 , 陈秋云 , 张延志 , 徐钦英 , 罗丽珠

稀有金属材料与工程

采用镓自助熔剂的方法生长出了UFeGa5单晶,采用X射线衍射技术和Rietveld方法对UFeGa5晶体结构进行了研究.结果表明:生长出的UFeGa5单晶体结构完整,结晶性好.UFeGa5具有HoCoGa5型四方结构,空间群为P4/mmm(No.123),其晶格常数为a=0.42533(2) nm,c=0.67298(3) nm,并得到了透射电镜(TEM)实验验证.

关键词: UFeGa5 , 助熔剂法 , 晶体结构 , Rietveld方法

高温超高压烧结纳米 SiC的研究

谢茂林 , 罗德礼 , 鲜晓斌 , 冷邦义 , 谢东华 , 鲁伟员

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00811

采用高温超高压(HT-HP)技术在4.5GPa/1250℃/20min工艺条件下制备了添加2wt% Al2O3助烧结剂的纳米SiC 陶瓷. 采用X射线粉末衍射(XRD)、X光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、X射线能谱(EDX)、纳米压痕(Nano indenter)研究了烧结SiC陶瓷的物相 组成、晶粒大小、化学成分、微观结构、纳米压痕力学性能等. 结果表明: 采用超高压烧结, 可以在较低温度(1250±50℃)、较少烧结助剂用量下实现纳米SiC的致密烧结. 烧结体未发生相转变, 结构致密, 无孔隙, 晶粒尺寸为22nm, 晶格常数为0.4355nm;显微硬度为33.7GPa, 弹性模量为407GPa.

关键词: 超高压 , sinter , silicon carbide , alumina

热等静压处理对U/Al镀层界面特性的影响

谢东华 , 张鹏程 , 张羽廷 , 王庆富 , 刘婷婷

腐蚀学报(英文)

    采用扫描电镜(SEM)、能谱仪(EDS)X射线结构衍射仪(XRD)及拉伸实验等方法,研究了铀(U)上磁控溅射Al镀层在480,2小时,60 MPa条件下热等静压(HIP)处理对界面特性以及膜基结合强度的影响.结果表明:经HIP处理后,镀层密度达到了其理论密度;镀层由柱状晶转变为致密的层状结构,在界面处AlU元素形成了互扩散,并生成了金属间化合物UAl2UAl3;膜基结合形成了冶金结合,结合强度有所增强.

关键词: 热等静压 , uranium/aluminum coating , interface characteristics

热等静压处理对铀表面铝镀层耐腐蚀性能的影响

王庆富 , 张羽廷 , 谢东华 , 张鹏程 , 刘婷婷

稀有金属材料与工程

采用热等静压(HIP)技术对铀表面铝镀层进行处理,利用电化学测试技术、扫描电镜(SEM)及X射线能谱(EDS)对样品在50 μL/L Cl的KC1水溶液中的电化学腐蚀行为进行研究.结果表明:200℃,0.5 h,60 MPa HIP处理的铝镀层耐腐蚀性能优于未处理镀层;480℃,1.0 h,60MPa HIP处理镀层的耐腐蚀性能下降较为明显;HIP处理后样品的腐蚀特征为典型的局部腐蚀,在腐蚀过程中会出现镀层的破裂、剥落.

关键词: , 铝镀层 , 热等静压 , 电化学腐蚀

热等静压处理对U/Al镀层界面特性的影响

谢东华 , 张鹏程 , 张羽廷 , 王庆富 , 刘婷婷

腐蚀学报(英文) doi:10.3969/j.issn.1002-6495.2009.05.007

采用扫描电镜(SEM)、能谱仪(EDS)、X射线结构衍射仪(XRD)及拉伸实验等方法,研究了铀(U)上磁控溅射Al镀层在480℃,2小时,60 MPa条件下热等静压(HIP)处理对界面特性以及膜基结合强度的影响.结果表明:经HIP处理后,镀层密度达到了其理论密度;镀层由柱状晶转变为致密的层状结构,在界面处Al、U元素形成了互扩散,并生成了金属间化合物UAl2和UAl3;膜基结合形成了冶金结合,结合强度有所增强.

关键词: 热等静压 , U/hl镀层 , 界面特性

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