罗来马
,
谌景波
,
王昭程
,
卢泽龙
,
徐楠
,
黄龙
,
吴玉程
材料热处理学报
采用化学活化预处理对PC塑料基体进行化学镀前预处理,然后通过化学镀在预处理后的PC塑料基体上成功获得了铜镀层.通过场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)研究分析了PC塑料活化预处理前后表面形貌、化学镀过程中不同时间所获得的铜镀层、化学镀后的铜镀层的表面形貌,探讨了化学镀PC塑料表面镀铜层生长机理.结果表明:采用化学活化预处理对PC塑料基体进行活化处理,预处理后的塑料基体直接进行化学镀铜处理,铜镀层均匀致密良好;Cu颗粒的形核、长大和聚集过程为:化学镀溶液中的反应物在PC表面缺陷(台阶或凹坑)处吸附,发生氧化-还原反应沉积出Cu颗粒;先沉积的Cu粒子以线型方式长大,其长大过程为纳米级Cu粒子聚集过程,并不断重复,形成物理团聚的Cu胞;最后Cu胞与Cu胞之间融合,从而形成紧密结合、致密的铜镀层.
关键词:
化学活化预处理
,
化学镀铜
,
生长机理
卢泽龙
,
罗来马
,
黄新民
,
谌景波
,
程继贵
,
朱流
,
吴玉程
材料热处理学报
采用激光辐照处理对Al2O3陶瓷基板进行预处理,经过超声波辅助化学镀在Al2O3陶瓷基板表面成功制备了化学镀铜层.利用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)和能谱(EDS)研究分析了激光辐照预处理前后Al2O3基板表面形貌和Al2O3基板化学镀铜表面以及截面形貌,划痕形貌,并与传统贵金属Pd活化预处理化学镀铜进行对比.试验结果表明:激光辐照处理后Al2O3基板表面出现了大量的微孔和纳米级颗粒凸起,这些表面缺陷易于吸附外来物质成键,实现化学镀铜过程,其中镀层与基底也有较好的结合力;与传统Pd活化预处理化学镀铜对比发现,激光辐照处理避免了繁琐的工艺和贵金属带来的污染,同时生成的化学镀铜层颗粒与颗粒之间融合更好.
关键词:
Al2O3陶瓷基板
,
激光辐照处理
,
化学镀铜
罗来马
,
谌景波
,
卢泽龙
,
程继贵
,
吴玉程
材料保护
活化处理是塑料表面金属化成功与否的关键,继而影响到后续化学镀的质量.从贵金属活化、现代技术辅助贵金属活化和非贵金属活化3个方面对塑料表面活化处理的研究现状进行了综述.着重对现代技术辅助贵金属活化工艺,如微波辐照、激光辐照等技术,非贵金属活化工艺如嫁接有机介质中间层、接枝共聚改性、等离子辐照等工艺进行了总结;介绍了新型活化处理工艺的一般过程和活化效果,指出了化学镀前活化处理未来的研究方向.
关键词:
化学镀
,
塑料表面
,
贵金属活化
,
现代技术辅助
,
非贵金属活化
唐艳秋
,
张星祥
,
李新娥
,
任建岳
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20122703.0385
常用的图像传感器由于电荷耦合器(CCD)和模数转换器(ADC)的限制,动态范围大约只有60 dB,与人眼的动态范围(110 dB)不符,导致获取的图像丢失部分细节信息.针对这一问题,提出了基于小波变换的图像动态范围扩展技术.通过对同一场景进行多次拍摄,获得不同曝光时间的源图像,对源图像运用多尺度小波变换分解为高频部分和低频部分.将基于人眼的视觉灰度识别特性的方法应用于低频部分的处理中,运用不同的权重值进行处理,尽可能保留图像的背景信息.对高频部分运用局部最大方差准则进行融合,尽量保留图像的边缘特性.将融合后的高频部分和低频部分利用逆小波变换进行重构.试验结果表明,重构后的图像与适度曝光的图像相比,在高亮度区域和低亮度区域的细节信息得到了复原,动态范围得到了显著的扩展.
关键词:
动态范围
,
小波变换
,
图像融合
于名讯
,
丁文皓
,
李云南
,
何华辉
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2007.07.003
以电磁理论为基础,对两层结构的毫米波/厘米波兼容吸收涂层的设计方法进行了分析,并根据理论分析的结果进行了系列吸波涂层的实验.理论分析和实验结果表明,先分别以电损耗和磁损耗为主,采用单层结构分别对毫米波和厘米波实现较好的吸收,然后以厘米波吸收层作为内层,以毫米波吸收层作为外层,并进一步改善内外层之间的阻抗匹配,利用两层结构可以对毫米波和厘米波实现较好的兼容吸收.
关键词:
兼容吸波涂层
,
毫米波
,
厘米波
王海泉
,
陈秀琴
材料导报
综述了目前国内外吸波材料的研究动态,介绍了传统吸波材料以及新型吸波材料,如铁氧体吸波材料、碳纤维结构吸波材料、纳米吸波材料、手性吸波材料,多晶铁纤维吸波材料,导电高聚物吸波材料,雷达红外兼容吸波材料的研究状况.
关键词:
吸波材料
,
隐身技术
,
吸收剂
,
纳米材料
罗发
,
周万城
,
焦桓
,
赵东林
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2003.03.011
研究了由SiC(N)纳米吸收剂制备的SiC(N)/LAS吸波材料的介电性能,对影响介电性能的吸收剂的含量、吸波材料烧结温度和碳界面层等因素进行了较为全面的研究.结果表明,在1080℃以下烧结温度对陶瓷致密度的影响较大而对陶瓷介电常数的影响较小;在1080℃以上烧结温度对烧结致密度的影响较小,对陶瓷介电常数的影响较大.吸波材料介电常数的实测值与计算值之间存在很大的差异.这种差异是吸波材料制备过程中纳米级的SiC(N)促进了碳界面层形成,导致了在较高温度烧结时吸波材料介电常数对温度的敏感性,使吸波材料介电常数的实测值与计算值之间出现了很大的差异.形成的碳界面层复介电常数的虚部较高,使吸波材料对电磁波的损耗进一步升高,从而使吸波材料的吸波性能得到增强.
关键词:
纳米SiC(N)
,
LAS玻璃陶瓷
,
介电常数
,
界面层
,
吸波材料
