许业文
,
何忠伟
,
徐政
,
孙丹峰
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2005.04.014
概述了低压ZnO压敏电阻的重要添加剂的作用,阐述了其电性能"三参数"(压敏电压梯度、非线性系数和漏电流)的影响因素.用低压ZnO压敏电阻的基本配方,以及在此基础上分别添加Co2O3、MnCO3、Co2O3+MnCO3四种配方制备样品作对比实验.发现Co2O3、MnCO3掺杂后都能引起压敏电压梯度升高,非线性系数显著提高,漏电流明显降低,且效果Co2O3+MnCO3大于MnCO3大于Co2O3.对造成上述差别的原因进行了深入分析.
关键词:
钴和锰掺杂
,
低压ZnO压敏电阻
,
压敏电压梯度
,
非线性系数
,
漏电流
许业文
,
范卓维
,
徐政
,
孙丹峰
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2006.03.013
在最高温度950℃、1050℃、1150℃、1250℃4个温度下,采用2种配方:98.3%ZnO-0.7%Bi2O3-1.0%TiO2(摩尔分数),相应的无TiO2配方99.3%ZnO-0.7%Bi2O3(摩尔分数),分别制备样品进行对比研究.发现前者在950℃和1050℃的烧结温度下,没有形成明显Bi2O3偏聚的晶界;在1150℃和1250℃下,却形成了清晰的富铋晶界.而后者在950℃、1050℃、1150℃、1250℃4个温度下均形成了非常明显且清晰可辨的ZnO晶粒和晶界.通过XRD及相对峰强分析,发现了Bi2O3和TiO2在低压ZnO压敏电阻中的相变过程,并对其在烧结过程中的作用提出新的解释.
关键词:
低压氧化锌压敏电阻
,
烧成温度
,
氧化铋
,
二氧化钛
,
晶粒晶界
罗岚
,
徐政
,
许业文
,
刘庆峰
,
刘茜
材料导报
组合材料芯片技术是近几年发展起来的一种快速发现、优化和筛选新型功能材料的方法.要充分发挥其在无机功能材料研究领域的优势,必须解决3个问题:①材料芯片的设计;②材料芯片的高速并行制备;③材料芯片的快速表征.其中材料芯片的制备是整个技术应用的前提,开发适用于高密度材料芯片制备的技术有着非常重大的意义.综述了无机功能材料芯片新的制备方法--物理气相顺序沉积,并简述了相关设备的特点和功能.
关键词:
组合材料芯片技术
,
物理气相顺序沉积
,
掩膜技术
何忠伟
,
许业文
,
徐政
,
孙丹峰
无机材料学报
发现了ZnO压敏陶瓷中的锥状或柱状“突起物”现象.通过能谱发现“突起物”的物质构成是ZnO,而且是ZnO晶粒生长形成的实体,并非气体在ZnO中形成的气泡.进一步论证了这种现象是ZnO极性生长造成的,并从内因和外因两个方面进行了分析.内因是ZnO的极性晶格结构和结晶形态,外因是ZnO压敏陶瓷中Bi2O3液相提供了极性生长得以显现的物化环境,并且通过单独添加Bi2O3的97mol%ZnO+3mol%Bi2O3配方和100mol%纯ZnO配方制备样品进行对比实验,验证了Bi2O3的作用.
关键词:
氧化锌压敏陶瓷
,
protuberance
,
polar growth
,
crystal structure
,
Bi2O3 liquid phase
何忠伟
,
许业文
,
徐政
,
孙丹峰
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2005.05.016
发现了ZnO压敏陶瓷中的锥状或柱状"突起物"现象.通过能谱发现"突起物"的物质构成是ZnO,而且是ZnO晶粒生长形成的实体,并非气体在ZnO中形成的气泡.进一步论证了这种现象是ZnO极性生长造成的,并从内因和外因两个方面进行了分析.内因是ZnO的极性晶格结构和结晶形态,外因是ZnO压敏陶瓷中Bi2O3液相提供了极性生长得以显现的物化环境,并且通过单独添加Bi2O3的97mol%ZnO+3mol%Bi2O3配方和100mol%纯ZnO配方制备样品进行对比实验,验证了Bi2O3的作用.
关键词:
氧化锌压敏陶瓷
,
突起物
,
极性生长
,
晶格结构
,
氧化铋液相
周春苹
,
李兴德
,
朱杉
玻璃钢/复合材料
按照CCAR25.613条款“材料与结构许用值”的要求,民用飞机雷达罩需进行许用值设计.本文通过研究确定了进行雷达罩玻璃纤维复合材料设计许用值试验的试验项目、试验采用的标准、试验环境、试验件数量以及试验数据的处理方法等,并将采用ASTM标准测试得到的许用值试验数据与用GB标准得到的测试数据进行了比较.结果表明,按照ASTM标准进行玻璃纤维复合材料结构设计许用值试验得到的数据分散性小,许用值的测试数据高,避免了采用国内标准导致的性能数据低的情况.该设计许用值已成功应用于新型涡扇支线飞机雷达罩的设计和静力试验.
关键词:
雷达罩
,
玻璃纤维复合材料
,
结构许用值