张锡健
,
马洪磊
,
王卿璞
,
马瑾
,
宗福建
,
肖洪地
,
计峰
,
王翠英
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.01.003
用射频磁控溅射法在不同衬底上制备出了 MgxZn1- xO薄膜. X射线衍射 (XRD)和原子力显 微镜( AFM)研究结果表明,薄膜为六角纤锌矿结构,具有( 002)方向择优取向;随氧分压增加,( 002) 衍射峰的角度变大,表征薄膜表面粗糙程度的方均根粗糙度减小.室温光致发光谱中有多个紫外 及可见光致发光峰,其中 344nm发光峰应来源于近带边发射.室温透射谱表明薄膜在可见光区具 有极高的透过率,薄膜的吸收边位于 340nm附近,进而估算出 MgxZn1- xO薄膜的带隙宽度为 3.59eV, 与光致发光结果一致.
关键词:
MgxZn1- xO薄膜
,
射频磁控溅射
,
光致发光
宗福建
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马洪磊
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薛成山
,
庄惠照
,
张锡建
,
马瑾
,
计峰
,
肖洪地
,
王书运
功能材料
将Zn粉末置于流量为500mL/min的NH3气流中,在600℃氮化温度下氮化120min的条件下,制备出高质量的Zn3N2粉末.用X射线衍射(XRD)测量了Zn3N2粉末的结构,Zn3N2粉末是具有立方结构的晶体,其晶格常数a为0.9788nm.用扫描电子显微镜(SEM)观察了Zn3N2粉末的表面形貌,发现Zn3N2粉末具有非常丰富的晶粒表面形貌.用透射电子显微镜(TEM)验证了晶粒形状的多样性.用高分辨电子显微镜(HRTEM)观察了Zn3N2粉末的内部结构.用波长为325nm的He-Cd激光器为激发光源,测量了Zn3N2粉末的光致发光谱,观察到在385nm处有强的光致发光峰.
关键词:
氮化法
,
Zn3N2
,
结构
,
光致发光
张锡健
,
马洪磊
,
王卿璞
,
马瑾
,
宗福建
,
肖洪地
,
计峰
功能材料
采用射频磁控溅射的方法在硅衬底上生长出高质量的Mg0.16Zn0.84O薄膜.用X射线(XRD)、原子力显微镜(AFM)分别研究了在200、400、600和800℃下空气中退火2h的Mg0.16Zn0 84O薄膜的结构、表面形貌.结果表明,Mg0.16Zn0.84O薄膜是六角纤锌矿结构,具有沿与衬底垂直的C轴的择优取向;随着样品退火温度的升高,(002)衍射峰强度明显增强,衍射峰半高宽(FWHM)由0.86°单调地降低到0.40°,晶粒大小明显增大,最大的高达400nm以上.用TV1900型双光束紫外可见分光光度计测量了淀积在蓝宝石衬底上的Mg0.16Zn0.84O薄膜室温的透射谱,得到可见光区的平均透过率约为95%,进而估算出Mg0.16Zn0.84O薄膜的带隙宽度约为3.58eV.
关键词:
MgZn1-xO薄膜
,
AFM
,
XRD
,
退火
余旭浒
,
马瑾
,
计峰
,
王玉恒
,
张锡健
,
程传福
,
马洪磊
功能材料
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出镓掺杂氧化锌(ZnO:Ga)透明导电膜,研究了薄膜的结构、电学和光学性质随薄膜厚度的变化关系.制备的ZnO:Ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(002)方向.随着薄膜厚度的增加,衍射峰明显增强,晶粒增大.薄膜的最低电阻率为3.9×10-4Ω·cm,在可见光范围内平均透过率达到了85%以上.
关键词:
磁控溅射
,
ZnO:Ga
,
薄膜厚度
,
光电性质
计峰
,
马瑾
,
王玉恒
,
余旭浒
,
宗福建
,
程传福
,
马洪磊
功能材料
采用常压化学气相沉积法(APCVD)在玻璃衬底上制备出SnO2薄膜,对薄膜的结构和光致发光性质及退火处理对薄膜结构和发光特性的影响进行了研究.制备SnO2薄膜为六角金红石结构,最大晶粒尺寸约为1000nm.室温光致发光(PL)谱测量表明,在396nm处存在强的发光峰.研究了退火处理对发光性质的影响,并对辐射机理进行了探索.
关键词:
APCVD
,
氧化锡薄膜
,
光致发光
计峰
,
马瑾
,
马洪磊
功能材料
采用射频磁控溅射方法在石英玻璃衬底上制备了SnO2:Sb薄膜.所制备的薄膜为四方金红石结构的多晶薄膜.PL谱表明,样品在396、450、500nm附近存在室温光致发射峰,发光峰的起因分别与SnO2薄膜中的氧空位缺陷及掺杂所致的施主一受主对之间的跃迁以及电子由其激发态向基态能级跃迁等因素有关.
关键词:
磁控溅射
,
SnO2:Sb薄膜
,
光致发光
宗福建
,
马洪磊
,
薛成山
,
杜伟
,
张锡建
,
马瑾
,
计峰
,
肖洪地
稀有金属材料与工程
将Zn粉末置于流量为500ml/min的NH3气流中,在600℃氮化120 min,制备出高质量的Zn3N2粉末.X射线衍射(XRD)表明Zn3N2粉末具有立方结构,其晶格常数为0.9788 nm.扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)观察发现Zn3N2粉末晶粒形状具有多样性.X射线光电子谱(XPS)表明Zn3N2的化学键状态与ZnO及金属Zn明显不同,表明N-Zn键的形成.用计算机模拟了Zn3N2晶体的立体结构,用高分辨电子显微镜(HRTEM)观察了Zn3N2粉末的内部结构,观察结果与Partin等提出的Zn3N2结构模型相符合.
关键词:
氮化法
,
Zn3N2
,
结构
,
化学键状态
余旭浒
,
马瑾
,
计峰
,
王玉恒
,
宗福建
,
张锡健
,
程传福
,
马洪磊
功能材料
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出高质量的镓掺杂氧化锌(ZnO:Ga)透明导电膜,对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究.制备的ZnO:Ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(002)方向.薄膜的最低电阻率达到了3.9×10-4Ωcm,方块电阻～4.6Ω/□,薄膜具有良好的附着性,在可见光区的平均透过率达到90%以上.
关键词:
磁控溅射
,
ZnO:Ga
,
光电特性
肖洪地
,
马洪磊
,
薛成山
,
马瑾
,
宗福建
,
张希键
,
计峰
,
胡文容
功能材料
在950℃氮化温度下,通过β-Ga2O3粉末与流动的NH3反应35min制备出GaN粉末.XRD、XPS、FTIR、TEM的测量结果表明:GaN粉末是六角纤锌矿结构的单晶晶粒,其晶格常数a=0.3191nm,c=0.5192nm;在粉末表面,Ga和N两种元素比约为1:1;GaN晶粒的形状为棒状.
关键词:
Ga2O3粉末
,
GaN粉末
,
氮化温度
马瑾
,
余旭浒
,
计峰
,
王玉恒
,
张锡健
,
程传福
,
马洪磊
稀有金属材料与工程
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出了镓掺杂氧化锌(ZnO:Ga)透明导电膜,研究了真空退火对薄膜结构、电学和光学特性的影响.结果表明:真空退火后,薄膜结构得到明显改善,电阻率由退火前的1.13×10-3Ω·cm下降到5.4×10-4Ω·cm,在可见光区的平均透过率也由未退火前的83%提高到退火后的90%以上.
关键词:
磁控溅射
,
ZnO:Ga
,
真空退火
