樊龙
,
黎宇坤
,
陈韬
,
李晋
,
杨志文
,
袁铮
,
邓博
,
曹柱荣
,
胡昕
无机材料学报
doi:10.15541/jim20140346
碘化铯(CsI)薄膜因对X射线及紫外光具有高的光电转换效率而倍受关注。在核物理、高能物理以及天体物理研究的推动下，研制高量子效率(QE)、性能稳定的CsI薄膜光阴极成为了近年来研究的热点。然而，目前人们对某些影响其性能的因素还不完全清楚或确定。本文综述了CsI薄膜光阴极的最新研究进展，总结了影响QE的因素和光阴极的老化机理，重点关注了一些存在争议的问题，并对其研究发展方向进行了探讨。
关键词:
CsI薄膜
,
光阴极
,
量子效率
,
受潮老化
,
辐照老化
,
综述
刘洪涛
,
桑文斌
,
袁铮
,
闵嘉华
,
詹峰
稀有金属材料与工程
采用有限元方法,对晶体结晶结束位置处的晶体内部热应力分布进行了数值模拟,结果表明:晶体在石英安瓿内壁附近,变径处以及头部尖端处的热应力较大,应力值约在108 N/m2数量级,晶体中部热应力分布较小且比较均匀,约为107 N/m2.为了防止晶体在生长过程中头部尖端处以及变径处的位错延伸至晶体内部,提出了在不同生长阶段采用不同下降速度,并且在晶体下降至变径处采用"回熔"操作的新工艺.实验结果表明:利用新工艺生长的晶体位错密度明显降低,约为2×10 2 cm-2,同时显著地提高了晶体的利用率.
关键词:
CdZnTe晶体生长
,
热应力模拟
,
探测器
袁铮
,
桑文斌
,
钱永彪
,
刘洪涛
,
闵嘉华
,
滕建勇
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00195
通过在富Te环境下生长In掺杂CdZnTe晶体, 实验研究了不同掺In量对晶体电学性能的影响, 重点讨论了不同掺In量与晶体电阻率、载流子浓度及迁移率之间的关系. 并对CdZnTe晶体中In掺杂的补偿机理进行了分析探讨. 结果表明, 当In掺杂量为5×1017cm-3时, 得到了电阻率达1.89×1010Ω· cm的高阻CdZnTe晶体.
关键词:
探测器
,
CdZnTe
,
In doping
,
electrical properties
袁铮
,
桑文斌
,
钱永彪
,
刘洪涛
,
闵嘉华
,
滕建勇
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.01.038
通过在富Te环境下生长In掺杂CdZnTe晶体,实验研究了不同掺In量对晶体电学性能的影响,重点讨论了不同掺In量与晶体电阻率、载流子浓度及迁移率之间的关系.并对CdZnTe晶体中In掺杂的补偿机理进行了分析探讨.结果表明,当In掺杂量为5×1017cm-3时,得到了电阻率达1.89×1010Ω·cm的高阻CdZnTe晶体.
关键词:
核探测器
,
CdZnTe
,
In掺杂
,
电学性能
王丽娟
,
刘峥
材料导报
在总结近年来国内外有关磁性高分子微球研究成果的基础上,阐述了磁性高分子微球的结构类型、特点、目前的各种制备方法、袁征以及在分析化学领域的最新应用进展,指出了当前研究中需要解决的问题.
关键词:
磁性高分子微球
,
制备
,
分析化学
,
应用
刘龙江
,
黄遥
,
唐芳
,
陈晓春
材料导报
在室温条件下,分别以硝酸银和氯化钠为银源与氯源,采用直接化学沉淀法进行合成,获得了稳定的氯化银粉末.采用X射线衍射(XRD)和透射电镜(TEM)分析测试技术对氯化银粉末物相和微观结构进行袁征,实验结果表明,合成的样品均为氯化银,无单质银存在,并且氯化银颗粒平均尺寸为110 nm左右.
关键词:
氯化银
,
纳米粒子
,
直接化学沉淀法
,
室温
孔祥鹏
,
赵煜
,
张林香
,
王俊文
材料导报
氮化钛(TiN)是近年来发展起来的一种新型无机材料,具有优良的物理和化学性质.介绍了新型材料氮化钛的结构、性质、用途以及近年来国内外对氮化钛粉体制备方法的研究进展,同时引述了一些制备经验,并展述了工艺流程与产物袁征结果等.
关键词:
氮化钛
,
制备
,
纳米粉体
李海红
,
张万喜
,
樊志鹏
,
邓鹏飏
高分子材料科学与工程
通过酯化反应制备了乙烯-乙烯醇.丙烯酸(EVOH-AA)接枝型材料,并用红外光谱对接枝产物进行了袁征.凝胶抽提结果表明,由于乙烯基双键的引入,难于辐射交联的EVOH在较低的辐射剂量下就可以辐射交联.具备成为强化交联剂的可能.通过研究改性EVOH与聚乳酸共混物的辐射效应,发现聚乳酸进入交联网格,证明改性EV0H具有一定的强化辐射交联剂的作用.
关键词:
乙烯-乙烯醇共聚物
,
丙烯酸
,
接枝
,
辐射交联
