虞玲
,
金德玲
无机材料学报
降低陶瓷材料表面电荷的积累一直是俄歇分析技术能否成功应用于该类材料必须解决的首要问题. 通过实验认为：陶瓷材料试样减薄法可以用来降低表面电荷.采用这种方法，样品可分析区域大小仅依赖于电子束斑尺寸. 因而，用Microlab 310--F热场发射扫描俄歇微探针分析仪能在几十纳米的微区内，获取结构信息和除氢氦外的化学成分信息，突破了陶瓷材料在低电压、低电流下约几十微米的分析范围. 在此基础上，挑选了掺Dy的α-Sialon ，掺Y、La的α-Si3N4与以Al2O3为基体加入SiC晶须, 并通氮气氛处理的三种高性能陶瓷作为实验对象，分析和研究它们的晶粒、界面的成份、化学态和结构.发现α-Si3N4和α-Sialon陶瓷中的Si(LVV, KLL)峰位都会向低能端漂移,峰位分别为: 84eV 和1613eV. Si--N--O的结合态又使Si(LVV)峰继续漂移到80eV左右. 掺Y、La的α-Si3N4的玻璃相区, Si至少以两种或者两种以上的化学态存在.掺Dy的α-Sialon陶瓷的局部区域内有四种组分不同的固溶相及三种组分不同的晶间相. 另外, 在SiC与SiC-BN-C纤维补强复合陶瓷材料的断裂面，观察到从SiC基体拔出的纤维表面的大部分是残留的C层与C-BN交界层.
关键词:
俄歇分析， 高性能陶瓷
张锐
,
高濂
,
虞玲
,
郭景坤
无机材料学报
利用歧化反应原理,在SiC颗粒表面包覆金属Cu.通过俄歇电子能谱(AES),分析粒度分布对Cu包覆SiC颗粒相分布均匀性的影响.SiC颗粒的粒度分布范围过宽,Cu倾向于包覆在大颗粒表面而无法分散到细小颗粒表面.减小粒度分布范围,纳米SiC颗粒同样能被Cu均匀包覆.应当控制纳米SiC颗粒在一个较小的分布范围,以保证理想的Cu包覆效果和两相分散均匀性.
关键词:
包覆
,
phase homogeneity
,
size-distribution
,
disproportionation reaction
张锐
,
高濂
,
虞玲
,
郭景坤
无机材料学报
选用工业生产的纳米SiC粉料;利用歧化反应原理,分解出Cu颗粒,并与纳米SiC颗粒组成分散均匀的复合粉体;SEM和Auger电子探针形貌显示复合粉体颗粒呈球形;EDS、AES等检测结果表明,金属Cu颗粒包覆在纳米SiC颗料表面,从而使两相在纳米尺度范围内保持理想的均匀分散状态.
关键词:
纳米SiC
,
Cu
,
dispersion
,
disproportionation
虞玲
,
金德玲
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2000.05.024
降低陶瓷材料表面电荷的积累一直是俄歇分析技术能否成功应用于该?类材料必须解决的首要问题. 通过实验认为：陶瓷材料试样减薄法可以用来降低表面电荷.采用这种方法，样品可分析区域大小仅依赖于电子束斑尺?寸. 因而，用Microlab 310--F热场发射扫描俄歇微探针分析仪能在几十纳米的微区内，获取结构信息和除氢氦外的化学成分信息，突破了陶瓷材料在低电压、低电流下约几十微米的分析范围. 在此基础上，挑选了掺Dy的-Sialon ，掺Y、La的-Si3N4与以Al2O3为基体加入SiC晶须, 并通氮气氛处理的三种高性能陶瓷作为实验对象，分析和研究它们的晶粒、界面的成份、化学态和结构.?发现-Si3N4和-Sialon陶瓷中的Si(LVV, KLL)峰位都会向低能端漂移,峰位分别为: 84eV 和1613eV. Si--N--O的结合态又使Si(LVV)峰继续漂移到80eV左右. 掺Y、La的-Si3N4的玻璃相区, Si至少以两种或者两种以上的化学态存在.掺Dy的-Sialon陶瓷的局部区域内有四种组分不同的固溶相及三种组分不同?的晶间相. 另外, 在SiC与SiC-BN-C纤维补强复合陶瓷材料的断裂面，观察到?从SiC基体拔出的纤维表面的大部分是残留的C层与C-BN交界层.
关键词:
俄歇分析
,
高性能陶瓷
张锐
,
高濂
,
虞玲
,
郭景坤
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2002.05.026
选用工业生产的纳米SiC粉料;利用歧化反应原理,分解出Cu颗粒,并与纳米SiC颗粒组成分散均匀的复合粉体;SEM和Auger电子探针形貌显示复合粉体颗粒呈球形;EDS、AES等检测结果表明,金属Cu颗粒包覆在纳米SiC颗粒表面,从而使两相在纳米尺度范围内保持理想的均匀分散状态.
关键词:
纳米SiC
,
Cu
,
分散
,
歧化反应
张锐
,
高濂
,
虞玲
,
郭景坤
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2002.06.039
利用歧化反应原理,在SiC颗粒表面包覆金属Cu.通过俄歇电子能谱(AES),分析粒度分布对Cu包覆SiC颗粒相分布均匀性的影响.SiC颗粒的粒度分布范围过宽,Cu倾向于包覆在大颗粒表面而无法分散到细小颗粒表面.减小粒度分布范围,纳米SiC颗粒同样能被Cu均匀包覆.应当控制纳米SiC颗粒在一个较小的分布范围,以保证理想的Cu包覆效果和两相分散均匀性.
关键词:
包覆
,
分散均匀性
,
粒度分布
,
歧化反应
电镀与涂饰
本期刊登的是2012年4月份国家知识产权局公布的有关表面处理系列类专利信息。如需专利全文，请与我部联系（联系人：吴海玲；电话：020-61302516）。
关键词:
柳泽民
连铸
针对718HL中板边部裂纹的形成机制进行研究，认为微裂纹不是轧制时产生的新裂纹，而是由于铸坯内弧横裂纹扩展形成。造成横裂缺陷的主要原因是铸坯玲却不均匀。通过保证连铸关键设备功能精度、优化二冷配水工艺以及加强保护浇铸，能够有效降低中板边裂缺陷。
关键词:
中板
,
边部裂纹
,
铸坯
,
横裂
何国梅
,
陈江溪
,
廖志楠
,
丁马太
,
陈立富
,
夏海平
功能材料
真空热处理法去除聚碳硅烷(poIycarbosi-lane,PCS)小分子时,因伴随着化学反应导致PCS结构变化而降低其纺丝性能.溶剂浸提法则无此之虞.研究结果表明,不同溶剂对PCS的溶解能力是不同的,依次为:甲醇<二甲基甲酰胺<乙二醇单甲醚<无水乙醇<乙二醇单乙醚<异丙醇<甲酸乙酯<乙酸甲酯<正丙醇.这一溶解能力体现为可溶PCS量的不同和可溶PCS分子量的不同两个方面.溶解能力较大的溶剂可以溶解分子量较大的PCS;溶解量也较多.由于溶剂的这一特性,溶剂浸提法不仅可以用来去除小分子的PCS,而且可以用来调节PCS的分子量及其分布,改善其纺丝性能,提高其原丝强度,而不改变PCS的分子结构.
关键词:
聚碳硅烷
,
溶剂
,
分子量
,
分子量分布
刘巧娜
,
王丽婧
,
赵兴茹
,
田泽斌
,
王山军
,
郑学忠
,
郑丙辉
环境化学
doi:10.7524/j.issn.0254-6108.2015.04.2014092204
2013年9月采集洞庭湖区三口四水入湖口，东、西、南洞庭湖湖区以及出湖口沉积物，采用同位素稀释高分辨气相色谱－高分辨质谱法测定了沉积物中的二英（ PCDD／Fs）．结果表明洞庭湖沉积物中二英的浓度范围为153—7144 pg·g－1 dw （干重），小河嘴最低，虞公庙最高．对比国内外其他淡水湖泊河流二英浓度，洞庭湖污染程度相对较低．二英污染水平依次为洞庭湖湖区＞出湖口＞入湖口，湖区内污染水平依次为南洞庭湖＞东洞庭湖＞西洞庭湖．主要同类物为OCDD，贡献率范围为77％—97％．PCDD／Fs的污染水平比1995年下降1—2个数量级，但和2004年污染水平相当．沉积物中二英的含量与水的流速成反比．洞庭湖出口处PCDD／Fs浓度相比入湖口和湖区浓度处于中间水平，表明洞庭湖中的二英可能会随水流进入长江中下游．
关键词:
洞庭湖
,
二英
,
水动力
,
沉积物
