杜启云
,
李然
,
戴海平
,
孙方
,
孟春江
,
崔跃峰
,
蔺光亚
,
梁让
膜科学与技术
doi:10.3969/j.issn.1007-8924.2002.06.008
介绍采用膜集成技术处理鄂尔多斯羊绒集团公司洗毛、印染、漂洗和离子交换床再生等工业废水.该系统采用水膜除尘技术用废水冲洗发电厂烟道气,吸收烟道气中的酸性气体;在水力除灰过程中,由于烟道灰的吸附而使废水脱脂、脱色;经沉降除渣;曝气氧化除硫离子;超滤除菌除浊;反渗透脱盐等过程使热电厂烟道气达标排放,工业废水得到深度处理,变成软水供热电厂和生产车间回用.该系统日处理生产废水1 500 m3,水收率70%.日回收烟道灰60 m3,用于生产空心砖.
关键词:
膜
,
集成技术
,
废水处理
张振华
电镀与精饰
doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2012.04.007
从实验验证、成本分析两个方面对甲基磺酸亚锡和硫酸亚锡为主盐的镀哑光锡电解液在镀液性能和镀层性能进行比较,验证了甲基磺酸亚锡镀哑光锡在镀层和镀液方面的性能优势,在成本上,对甲基磺酸亚锡镀哑光锡和硫酸亚锡镀哑光锡做对比分析,发现二者成本接近,综合研究结论为:甲基磺酸亚锡为主盐镀哑光锡在未来几年内,有取代硫酸亚锡的趋势.
关键词:
甲基磺酸亚锡
,
硫酸亚锡
,
镀层性能
,
镀液性能
,
成本
刘飒
,
刘绍璞
,
谢锂纱
,
胡小莉
,
宋彦琪
应用化学
doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2009.08.019
在0.05 mol/L(pH=1.3)的HCl介质中,十二烷基苯磺酸钠(SDBS)与亚甲蓝(MB)通过静电引力和疏水作用力形成 2: 1的离子缔合物,导致溶液共振瑞利散射(RRS)、二级散射(SOS)和倍频散射(FDS)急剧增强,光谱最大散射强度分别位于310、648和341 nm,并在一定范围内与MB的浓度成正比,对于MB的检出限(3σ)分别为1.2×10-9 g/mL(RRS法)、1.4×10-9 g/mL(SOS法)和1.7×10-9 g/mL(FDS法).据此建立了光散射法测定痕量亚甲蓝的新方法.用于人血清样品中亚甲蓝含量的检测,回收率在94.4%～103.7%之间.实验优化了反应条件,考察了共存物质的影响,讨论了反应机理和散射光谱产生及增强的原因.
关键词:
十二烷基苯磺酸钠
,
共振瑞利散射
,
二级散射
,
倍频散射
,
亚甲蓝测定
单萌
,
周国红
,
王士维
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.01001
以商业α-Al2O3粉体为原料, MgO为烧结助剂, 采用放电等离子烧结技术(SPS)制备亚微米晶氧化铝陶瓷. 系统研究了烧结温度、烧结助剂含量对亚微米晶氧化铝陶瓷的致密化过程及显微结构的影响. 分析结果表明, 1250℃以及0.05wt%分别是最佳的烧结温度和烧结助剂含量; 在此条件下获得的亚微米晶氧化铝陶瓷, 其相对密度达到99.8%TD(theoretical density),平均晶粒尺寸约0.68μm,显微硬度(HV5)达到20.75GPa,在3～5μm中红外范围内直线透过率超过83%. 当MgO掺杂量超过0.1wt%时, 第二相MgAl2O4形成, 引起光散射, 降低红外透过率.
关键词:
α-Al2O3
,
MgO
,
spark plasma sintering
,
sub-micron grain
单萌
,
周国红
,
王士维
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.05.027
以商业α-Al2O3粉体为原料,MgO为烧结助剂,采用放电等离子烧结技术(SPS)制备亚微米晶氧化铝陶瓷.系统研究了烧结温度、烧结助剂含量对亚微米晶氧化铝陶瓷的致密化过程及显微结构的影响.分析结果表明,1250℃以及0.05wt%分别是最佳的烧结温度和烧结助剂含量;在此条件下获得的亚微米晶氧化铝陶瓷,其相对密度达到99.8%TD(theoretical density),平均晶粒尺寸约0.68 μm,显微硬度(HV5)达到20.75GPa,在3-5μm中红外范围内直线透过率超过83%.当MgO掺杂量超过0.1wt%时,第二相MgAl2O4形成,引起光散射,降低红外透过率.
关键词:
α-Al2O3
,
MgO
,
放电等离子烧结
,
亚微米晶
张溪文
,
董博
,
洪炜
,
娄骁
,
张守业
,
韩高荣
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2002.03.035
本文简要介绍了磁光隔离器的理论、结构和分类,并提出了该器件今后发展的几个问题,最后介绍了几种磁光材料.
关键词:
光隔离器
,
磁光材料
,
法拉第旋转角
,
薄膜
韩茹
,
杨银堂
,
贾护军
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.04.014
基于器件物理分析的方法,结合沟道电势二维解析模型,分析比较了漏极引致势垒降低效应(DIBL effect)对6H-及4H-SiC MESFET沟道势垒,阈值电压,以及亚阈值电流的影响,并研究了其温度特性.研究表明DIBL效应的存在使SiC MESFET的沟道势垒最小值随栅长及温度发生变化,并带来阈值电压及亚阈值电流的变化.栅长越大,温度越高,亚阚值倾斜因子Ns越小,栅压对沟道电流的控制能力增强,最终造成亚阈值电流随栅压的变化越快.
关键词:
碳化硅MESFET
,
沟道电势
,
漏极引致势垒降低效应
,
阈值电压
于永红
,
杜丕一
,
王瑞春
,
韩高荣
,
翁文剑
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.03.014
介绍了一种具有柱状结构的a-Si:H/nc-Si复合光导层的液晶光阀,复合光导层是通过热蒸发和等离子体辉光放电沉积方法,采用Al诱导a-Si:H制成的.经过测试,这种柱状结构薄膜具有电导各向异性,其横向电导率小于纵向电导率.用这种薄膜制成的液晶光阀其分辨率达到500lp/inch.
关键词:
液晶光阀
,
柱状结构
,
a-Si:H/nc-Si复合薄膜
,
光导层
李立清
,
曾台彪
,
梁飞
电镀与涂饰
doi:10.3969/j.issn.1004-227X.2007.07.005
介绍了甲基磺酸亚锡的合成原理和实验步骤,分析了产物成分,研究了实验条件对甲基磺酸亚锡产率的影响.结果表明,本工艺合成路线简单,产物为白色固体,产率高,产品纯度高,最佳工艺为温度140 ℃,反应时间5.5 h,最好使用直径为3 mm的锡粒.
关键词:
甲基磺酸亚锡
,
合成原理
,
产率
,
纯度
