吕银祥
,
蓝碧健
,
季欣
,
金兰
,
徐伟
功能材料
制备了含巯基的共轭有机分子-[4-[(N-(2-巯基乙基),N'-甲基)胺基]苯基]三氰基乙烯(TAPE),以分子自组装方法制作了结构为"Au/ TAPE /Au(纳米颗粒)"的分子整流器件.用扫描隧道显微镜(STM)测试了该器件的电流-电压(I-V)性质,在偏压为±0.95V时,有最高整流比为22.7;考察了顶电极制备工艺前、后单分子膜的电性能.用掠角反射红外光谱对单分子有机层进行了表征.
关键词:
分子整流器
,
金纳米颗粒
,
分子自组装
,
TAPE
蓝碧健
,
吕银祥
,
蔡永挚
,
邹振光
,
徐伟
功能材料
以分子自组装的方法在金电极表面制备了"2-巯基-5-磺酸基苯并咪唑(MBIS)"的单层有机分子膜,并用掠角反射红外光谱(RAIRS)对其进行了表征. 覆盖有MBIS单分子层的金膜表面具有明显的亲水性,其接触角为31.3°,而纯金膜表面的接触角为106.6°.用扫描隧道显微镜(STM)测试了MBIS单分子膜的整流性质,测得在偏压±1V时的整流比为20.6.末端含有磺酸基的MBIS单分子层膜能够忍受真空热蒸发方法蒸镀金属顶电极的冲击,因此容易用通常的热蒸镀方法制备夹层器件."金/MBIS单层分子膜/银"器件首次测得的整流比为11.8(±2V),随后20次连续测量显示整流比为6.62～8.95(±2V)."金/MBIS单层分子膜/铜"器件的整流比约为4(±1V),整流器件之间有良好的稳定性及重现性.
关键词:
单分子膜
,
分子自组装
,
不对称
,
整流
,
MBIS
张宝砚
中国材料进展
详细叙述了新型蓝相液晶聚合物的分子设计、制备、特殊的光学性能和聚合物的蓝相性能与温度、分子结构的关系,讨论了蓝相聚合物的产业化及应用等.所报道的最宽的聚合物蓝相区间从-180 ℃开始直至160 ℃以上消失.
关键词:
蓝相
,
液晶
,
聚合物
,
光学应用
王汝政
,
沈曼
,
刘建军
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2005.04.004
蓝相Ⅲ(BPⅢ)是液晶中蓝相的一个子相.它是具有特殊性质的相态.它的结构和性质不同于BPⅠ和BPⅡ.近年来,BPⅢ的理论和实验研究有了很大的突破.在理论上BPⅢ的研究主要体现在其结构和相变上.不同的BPⅢ结构模型的建立,为它的结构的确定提供了很好的研究方法.BPⅢ-ISO相变为热力学相变.相变临界点的存在对BPⅢ的物理性质的研究有着重要的意义.实验上,通过各种手段(光的反射与选择性光散射、电场等)对液晶BPⅢ的结构研究证明和否定了理论上所主张的一些BPⅢ的结构模型,但是有些实验结果很难处理.目前,关于BPⅢ的结构之谜还不能被揭开.由BPⅢ理论和实验研究的简要论述,可以引发出BPⅢ结构研究的新的理论方法.BPⅢ的织构呈无规则形状,这就有可能在理论上从特定的模型出发建立起非线性方程,计算所得方程的结果可能存在混沌解.
关键词:
液晶
,
蓝相Ⅲ
,
相变
倪水彬
,
朱吉亮
,
钟恩伟
,
陆建钢
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20122706.0719
蓝相液晶由于其特有的扭曲双螺旋结构,具有快速响应特性与宏观上的光学各向同性.通过聚合物稳定的方法,可以提升其热稳定性,但是也导致了驱动性能下降,磁滞效应增强等问题.文章通过研究手性掺杂和聚合物网络对蓝相液晶材料体系的作用以及不同温度下的磁滞效应,探索蓝相液晶器件光电特性的影响因子,为改善蓝相液晶材料的光电特性提供理论上的支持.
关键词:
蓝相液晶
,
手性掺杂
,
科尔常数
,
磁滞效应
刘同军
,
杨德安
,
陈北明
,
邸利芝
,
李旭
稀有金属材料与工程
采用煅烧法和沉淀法在钴蓝颜料中引入Ba2+以进一步提高钴蓝颜料的光学性能.利用紫外可见光光谱分析(UV),X-射线衍射(XRD)方法对样品进行分析测试,研究和探讨了Ba2+的含量、配合料的球磨时间以及烧成温抖灶芾堆樟戏瓷渎实挠跋?特别是对波长439nm和600nm处的反射率的影响规律.结果表明,配合料球磨8h在1250℃下煅烧8h,制备的BaO含量为1.5%(质量分数)的样品能达到较好的光学性能.
关键词:
钴蓝颜料
,
反射率
,
掺杂
李宁
,
郑成武
,
张兴
,
周兴丹
,
李正强
,
华瑞茂
功能材料
介绍了蓝相液晶特殊的“双轴螺旋”结构,并解释了其三维晶格的形成.阐述了蓝相液晶在显示器件中的应用优势和原理.分类详细介绍了诸如聚合物稳定、纳米粒子稳定、“香蕉”型或“T”型分子诱发稳定、双液晶基元以及氢键稳定等拓宽蓝相温度范围的方法,分析了各自的特点和优势.最后对蓝相液晶的应用前景进行了展望.
关键词:
蓝相液晶
,
三维晶格
,
Kerr效应
,
聚合物稳定
温建康
,
阮仁满
,
周峨
,
张明明
,
王淀佐
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2007.06.020
研究了紫金山铜矿中主要目的矿物之一的蓝辉铜矿细菌浸出的过程和影响因素, 考察了蓝辉铜矿纯矿物的浸出特性. 实验室条件下细菌浸出蓝辉铜矿纯矿物的适宜参数为: 接种量50%; 培养基中Fe2+氧化量为60%. 20 d浸出周期内蓝辉铜矿浸出率可达80%以上. 通过向纯矿物浸出体系中添加黄铁矿探讨其强化浸出效果. 结果表明: 以1∶2或1∶1重量比添加黄铁矿能明显加快蓝辉铜矿的细菌浸出速率. 通过对蓝辉铜矿和黄铁矿在浸出介质中静电位的测定表明, 添加黄铁矿后能在浸出体系中形成较强的原电池效应, 促进目的矿物的溶解.
关键词:
硫化铜矿
,
细菌浸出
,
蓝辉铜矿
,
紫金山铜矿
