吴玮巍
,
蒋益明
,
廖家兴
,
钟澄
,
李劲
腐蚀学报(英文)
采用外加恒定电位下腐蚀电流-温度扫描的方法分别研究了304、316不锈钢在不同浓度NaCl水溶液中的临界点蚀温度.得到了材料临界点蚀温度随Cl-浓度变化的关系曲线.在分析温度与Cl-浓度分别对钝化膜影响的基础上阐述了二者对不锈钢点蚀的综合作用机理.
关键词:
不锈钢
,
null
,
null
刘平
,
蒋益明
,
谢亨博
,
郭峰
,
李劲
材料研究学报
研究了用真空分层蒸镀法获得的金属/有机双层膜(Ag--TCNQ)中的层间扩散行为.根据Cu、Ag在与TCNQ形成络合物时表现出的相似性, 建立了异质元素标志法, 以Cu为标志元素,研究了金属有机络合物Ag--TCNQ形成过程中Ag扩散的微观机制.使用二次离子质谱(SIMS)分析了Cu、Ag元素在不同样品膜中的浓度分布及变化情况.结果表明, 不同于纯金属薄膜中Cu、Ag清晰的界面, 在络合物中的Cu与Ag之间存在交叉,说明两种离子之间存在着交换现象. 由此可以推断,薄膜中的扩散机制是Ag离子在Ag--TCNQ络合物中的换位扩散.
关键词:
材料科学基础学科
,
exchange diffusion
,
tracer
吴玮巍
,
蒋益明
,
廖家兴
,
钟澄
,
郭峰
,
李劲
腐蚀学报(英文)
采用外加恒定电位下腐蚀电流-温度扫描方法研究了0Cr25Ni7Mo4、304和316不锈钢在1 mol/L NaCl水溶液中的点蚀行为。利用不锈钢临界点蚀温度评价了材料的耐点蚀性能.测得0Cr25Ni7Mo4和316不锈钢的临界点蚀温度分别为79.5 ℃和15 ℃,304不锈钢在0 ℃以下.对0Cr25Ni7Mo4不锈钢材料优良耐点蚀性能的原因进行了分析讨论.
关键词:
不锈钢
,
null
,
null
徐建明
,
吴烜
,
傅卫
,
李劲
,
蒋益明
钢铁研究
doi:10.13228/j.boyuan.issn1001-0963.20140022
系统研究了900℃高温下,与SiC球对磨时,PTA-WC-1、HS-2、HT-3等材料的耐高温摩擦磨损性能.测量了高温摩擦磨损试验前后材料表面硬度、摩擦因数的变化;利用体视显微镜和扫描电镜(SEM)观察了磨痕形貌和深度;通过X射线能谱(EDX)分析了磨痕残留物成分.发现PTA-WC-1在硬度、磨痕深度和摩擦因数上的表现均劣于其他2种材料.其显微形貌和成分分析表明,正是高温下疏松易剥离的氧化层影响了材料的耐磨损性能.
关键词:
合金
,
高温
,
磨损
,
表面氧化
邓博
,
蒋益明
,
郝允卫
,
吴玮巍
,
廖家兴
,
李劲
中国腐蚀与防护学报
doi:10.3969/j.issn.1005-4537.2008.01.007
用电化学测量临界点蚀温度 (CPT) 的方法,研究 0.1 mol/L NaCl 溶液中F-浓度对316不锈钢点蚀行为的影响.结果表明:随着 F-浓度的增加,316不锈钢的CPT降低,开路电位也随之降低.在CPT以下,不锈钢发生亚稳态点蚀;在 CPT 之上,不锈钢发生稳态点蚀.用扫描电镜分析了临界点蚀温度前后点蚀形貌的变化.
关键词:
不锈钢
,
临界点蚀温度
,
F- Cl-
谢亨博
,
蒋益明
,
郭峰
,
万星拱
,
李劲
功能材料
采用真空蒸发的方法将有机电双稳材料PAR制成Al/PAR/Al夹层结构.详细研究了薄膜厚度、电极面积、退火处理和自然放置等因素对薄膜电性能的影响.结果表明,采用适当的工艺,能够获得性质均匀、电特性良好的电双稳薄膜(转变电压的分散性小于10%,延迟时间基本小于5μs,转变时间在20ns左右).Al/PAR/Al结构可以简单等效为电阻与电容的并联,而退火与自然放置将使薄膜结构趋于稳定.
关键词:
PAR薄膜
,
电双稳
,
制备工艺
郝允卫
,
蒋益明
,
邓博
,
钟澄
,
杨帆
,
李劲
材料热处理学报
通过表面机械研磨处理(SMAT)技术在纯Fe上制备纳米结构表层.利用X射线衍射(XRD)表征其平均晶粒尺度,使用氢脆技术表征样品表面机械研磨层的微观组织结构,用二次离子质谱仪(SIMS)测量Al在SMAT纯铁纳米结构表层中的扩散性能.结果表明,经过SMAT处理纯Fe表层形成平均尺寸约为31nm的组织.在300~380℃范围内Al在SMAT制备纳米晶Fe中的扩散系数比A;在粗晶纯Fe中扩散系数高6~7个量级.扩散激活能为134kJ/mol,低于传统扩散激活能.扩散性能的提高源于其中具有大量高位错密度的非平衡晶界.
关键词:
表面纳米化
,
低温扩散
,
表面机械研磨处理(SMAT)
蒋益明
,
万星拱
,
郭峰
,
谢亨博
,
刘平
,
李劲
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.03.015
发现了在室温下具有电双稳特性的聚合物材料聚对萘二甲酸乙二酯(PEN).通过真空蒸发方法制备的PEN薄膜,其表面晶粒尺寸小于100nm,粗糙度也为纳米量级,而且具有较高的热稳定性.在3.5V电压作用下,PEN薄膜可从高阻状态跃变到低阻状态,跃迁时间小于20ns.该材料有可能用于大容量存储器的制作.
关键词:
PEN薄膜
,
真空蒸发
,
电双稳