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不同组分PZT压电薄膜的性能

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.02.005

采用sol-gel工艺在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了不同条件的锆钛酸铅(PZT)薄膜.分析了不同的前烘温度、不同锆钛比例对PZT薄膜的微观结构和电特性所产生的影响.SEM分析结果显示,铁电薄膜的晶化较完善,薄膜表面均匀致密.用X射线衍射分析了不同条件制备的PZT薄膜,表明薄膜的微观结构和取向不仅对热处理的条件非常敏感,而且也深受薄膜组分的影响.铁电测试表明对PZT(锆/钛=30/70),300℃热处理的薄膜具有最大的自发极化值.而对于不同锆钛比的薄膜,在准同型相界附近的53/47配比的PZT薄膜表现出最好的铁电性、介电性和最高的体电阻率.

关键词: 锆钛酸铅 , 溶胶-凝胶 , 前烘温度 , 薄膜组分 , 电滞回线

改进的溶胶-凝胶法制备不同厚度的PZT薄膜

刘梦伟 , 佟建华 , 王兢 , 董维杰 , 崔天宏 , 王立鼎

功能材料

采用改进的溶胶-凝胶技术,在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基底上制备了不同厚度的Pb(Zr0.50Ti0.50)O3薄膜,在600℃的退火条件下获得了晶格完善的钙钛矿结构.通过前驱体溶液的差热(DTA)、热重(TGA)实验以及PZT膜加热到不同温度的物相转化分析了PZT薄膜的相结构演化过程.采用X射线衍射仪和扫描电子显微镜表征了PZT薄膜的物相和微观形貌,用HP4194A阻抗分析仪测量了薄膜的介电性能.实验结果表明,随着退火循环次数的增多,PZT(111)相含量增加;薄膜的晶粒大小不随薄膜厚度改变;薄膜晶粒呈柱状生长;薄膜的介电常数随测量频率的增加而降低,随薄膜厚度增加而增加.

关键词: 溶胶-凝胶 , PZT薄膜 , 厚度 , 介电性能

采用“敏杰”提金剂堆浸工业试验研究及应用

刘金贵

黄金 doi:10.11792/hj20160716

“敏杰”提金剂具有低毒环保、浸出速度快、使用方法简单等优点，在碱性条件下替代NaCN浸金效果较好，可大大降低环境污染压力。张家口弘基矿业有限责任公司采用“敏杰”提金剂进行了金矿堆浸工业试验研究和生产应用，结果表明：在金矿石堆浸生产中，“敏杰”提金剂完全可以替代NaCN进行浸金，其生产技术指标与NaCN浸金相当，金浸出率达到50％以上，具有良好的经济效益、环境效益，可在黄金行业推广应用。

关键词: 低毒 , 环保 , “敏杰”提金剂 , NaCN , 金矿 , 堆浸

采用“敏杰”提金剂代替氰化钠的堆浸工业试验研究

李杰 , 邓劲松 , 容树辉 , 刘怀礼 , 刘玉雷 , 李志民 , 肖国洪

黄金 doi:10.11792/hj20140116

“敏杰”提金剂具有低毒环保、使用方法简单的优点,且在常规碱性条件下代替NaCN浸金效果好,并可大大降低环境污染的压力.对广西田林高龙黄金矿业有限责任公司鸡公山金矿石,采用“敏杰”提金剂的堆浸生产工业实践表明:在药剂消耗、成本费用及提高金浸出率等方面较采用NaCN有较大幅度改善;按其200万t/a矿石处理规模,年可增收节支561.6万元,大大降低了企业生产成本,取得了良好的经济效益和社会效益.这在国内黄金类似矿山有广泛的适用性,极具推广意义.

关键词: 堆浸 , 提金剂 , NaCN , 低毒 , 浸出率 , 经济效益

一维,二维和三维Si基纳米线的制备

胡卫兵 , 史伯安 , 但悠梦 , 谭志斗 , 吴少尉 , 朱艳秋 , 徐文光

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.03.011

在 Ar气氛中,SiC粉末分别在 Fe、 Co、 Fe:Co(1:1)的催化下,经一步反应制备了一维、二维和三维 Si基纳米线. SEM、 HRTEM、 EDX分析表明一维线状和二维网状 Si基纳米线由 C、 Si、 O组成,存在两类纳米线,一类是 SiOx包裹的 Si纳米线;另一类是 SiOx包裹的 SiC纳米线.三维Si基纳米线组成象花一样的结构,仅由 SiOx组成. SiOx和 Si是无定形结构,SiC是β-SiC单晶.

关键词: 一维 , 二维 , 三维 , Si基纳米线 , 制备

低维材料的研究

李燕 , 姜斌 , 邓宏 , 蒋书文 , 周晓燕

材料导报

主要论述了低维材料的制造方法、特异性能及在光电子和微电子器件领域的应用,包括介质超晶格、金属超晶格和一维量子线;介绍了我们分别采用激光分子束外延制备的BaTiO3/SrTiO3介质超晶格及其介电性能、直流磁控溅射法制备的强紫外光反射的Cu/Ti超晶格和宽禁带的一维ZnO量子线;描述了低维材料的发展前景.

关键词: 低维材料 , 介质超晶格 , 金属超晶格 , ZnO量子线

氮化镓低维材料

陈小龙

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.03.013

本文综述了本实验室近年来在半导体低维材料制备和结构方面的一些进展,内容包括纳米线、纳米带、量子点、纳米固体的制备和结构特征、纳米线径向生长动力学和表面形貌稳定性.

关键词: 氮化镓低维材料 , 生长动力学 , 形貌稳定性

基于二维方孔光栅的平面三维显示

孔令胜 , 王天聪 , 蔡盛 , 钟兴 , 张雷 , 徐开 , 金光 , 乔彦峰 , 贾继强

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2010.06.029

一维狭缝光栅实现平面三维显示具有低成本、光栅参数易于改变和无需对焦的优点,但存在遮挡画面影响亮度的缺点;二维透镜阵列具有全视差且深度感知自然的优点,但存在显示像素低和观察视角小的缺点.为了同时兼顾上述两种方案的优点,结合一维狭缝光栅和二维透镜阵列提出了一种基于二维方孔光栅的平面立体显示方案.Lighttools软件仿真实验结果表明:基于二维方孔光栅的平面三维显示原理可行.其像质因子略小于一维狭缝光栅的像质因子,但继承了一维狭缝光栅和二维透镜的优点,是实现平面三维显示的一种新的发展方向.

关键词: 平面三维显示 , 纵横视差 , 像质因子

一维结构中的发光特性

张雷 , 洪广言

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.02.018

具有低维结构尤其是一维结构的物质往往具有较特殊或更优异的性质.本文研究了具有一维结构的发光物质的发光特性与微观结构之间的关系,得到了某些规律,即在一维结构中,只有存在相对较短的M-O键才可能引起电荷迁移产生发光;在该化合物中M应为变价元素且低价态具有发光性质;一维键上的能量传输往往具有很高的发光猝灭浓度和可能存在发光中间体.

关键词: 一维结构 , 电荷迁移 , 发光