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4 inch低位错密度InP单晶的VGF生长及性质研究

赵有文 , 段满龙 , 卢伟 , 杨俊 , , 刘刚 , 高永亮 , 杨凤云 , 王风华 , 王俊 , 刘京明 , 谢辉 , 王应利 , 卢超

人工晶体学报

采用高压垂直温度梯度凝固法(VGF)生长了非掺、掺硫和掺铁的4 inch直径(100)InP单晶,获得的单晶的平均位错密度均小于5000 cm-2.对4 inch InP晶片上进行多点X-射线双晶衍射测试, 其(004)X-射线双晶衍射峰的半峰宽约为30弧秒且分布均匀.与液封直拉法(LEC)相比, VGF-InP单晶生长过程的温度梯度很低,导致其孪晶出现的几率显著增加.然而大量晶体生长结果表明VGF-InP晶锭上出现孪晶后,通常晶体的生长方向仍为(100)方向,这确保从生长的4 inchVGF-InP(100)晶锭上仍能获得相当数量的2~4 inch(100)晶片.由于铁在InP中的分凝系数很小,掺Fe-InP单晶VGF生长过程中容易出现组份过冷,导致多晶生长.通过控制生长温度梯度及掺铁量,可获得较高的掺铁InP单晶成晶率.对VGF-InP单晶的电学性质、位错密度及位错的分布特点、晶体完整性等进行了研究.

关键词: 磷化铟(InP) , 垂直温度梯度凝固(VGF) , 孪晶 , 组份过冷

低位错密度4 inch GaSb(100)单晶生长及高质量衬底制备

杨俊 , 段满龙 , 卢伟 , 刘刚 , 高永亮 , , 王俊 , 杨凤云 , 王凤华 , 刘京明 , 谢辉 , 王应利 , 卢超 , 赵有文

人工晶体学报

采用液封直拉法(LEC)生长了4 inch直径(100)GaSb单晶并进行了衬底晶片的加工制备.通过优化热场,可重复生长出非掺和掺Te 整锭(100)单晶,单晶锭的重量为5~8 kg, 成晶率可达80%以上.4 inch(100)晶片大部分区域的位错腐蚀坑密度小500 cm-2,其(004)双晶衍射峰的半峰宽为29弧秒,表明晶片衬底的完整性相当好.晶体生长过程中固液界面较为平坦,因而晶片表现出良好的横向电学均匀性.经研磨和机械化学抛光,制备出具备良好平整度和表面粗糙度的开盒即用衬底晶片.通过控制本征受主缺陷浓度和掺杂浓度,制备出具有良好近红外透光率的n型GaSb单晶衬底.

关键词: 锑化镓(GaSb) , 液封直拉法(LEC) , 单晶 , 衬底

AlN原料的钨网炉高温提纯

刘京明 , 刘彤 , 杨俊 , 陶东言 , 段满龙 , , 赵有文 , 李百泉

材料科学与工程学报 doi:10.14136/j.cnki.issn.1673-2812.2015.04.026

商品氮化铝粉料中含有高浓度的氧、碳及金属杂质,需经过高温提纯处理后才能用于物理气相法氮化铝晶体生长.与感应加热相比,钨网电阻加热可有效避免碳、氧等的二次沾污,势必具有良好的提纯效果.本文采用钨网炉对AlN原料进行高温烧结提纯处理,通过X射线能谱仪(EDS)、气体分析技术(IGA)和辉光放电质谱仪(GDMS)对烧结处理后AlN的杂质含量进行了测试分析,结果表明经钨网炉高温烧结处理后,AlN原料中杂质含量明显降低,其中的氧、碳去除效果显著.还进一步分析了杂质挥发、原料损耗随温度、时间变化的规律.

关键词: 氮化铝 , 钨网炉 , 杂质 , 提纯

半绝缘磷化铟中与非化学配比有关的深能级缺陷

赵有文 , , 段满龙 , 孙文荣 , 杨子祥 , 吕旭如 , 王应利

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.04.015

在不同的化学配比条件下制备了半绝缘磷化铟材料,其中包括配比和富铟熔体中的铁掺杂以及磷气氛和磷化铁气氛下高温退火非掺杂晶片.在这些半绝缘磷化铟材料中检测到了与非化学配比有关的深能级缺陷.通过对大量的原生掺铁和非掺退火半绝缘磷化铟材料中的缺陷的研究,发现原生深能级缺陷与材料的电学参数质量密切相关.迁移率低、热稳定性差的掺铁半绝缘磷化铟材料中有大量的能级位于0.1~0.4eV之间的缺陷.高温退火非掺磷化铟抑制了这些缺陷的产生,获得了迁移率高、均匀性好的高质量半绝缘材料.根据这些结果,我们提出了一种通过控制化学配比制备高质量半绝缘磷化铟材料的方法.

关键词: 磷化铟 , 半绝缘 , 缺陷

化学气相传输法生长ZnO单晶及性质研究

赵有文 , , 魏学成 , 段满龙 , 李晋闽

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.02.045

利用化学气相传输法生长了ZnO单晶.在无籽晶自发成核的条件下,使用碳辅助增强质量传输方法,得到了晶粒尺寸达4mm×10mm的ZnO晶体.利用长有GaN层的蓝宝石晶片作为衬底,得到了直径为30mm、厚2mm左右的ZnO单晶体.比较了不同温度条件下晶体生长的结果并进行热力学过程和现象了分析.用光荧光谱和X射线双晶衍射研究了ZnO晶体的性质.

关键词: 氧化锌 , 化学气相传输 , 单晶生长

TiN对Sialon陶瓷结构和性能的影响

杨建 , 薛向欣 , 谢朋 , , 王文忠

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2002.01.013

系统地评述了TiN第二相的引入对Sialon陶瓷结构和各种性能的影响.研究表明TiN是十分有价值的Sialon陶瓷的结合剂.与传统工艺相比,通过原位复合技术制备的原位TiN/Sialon显示出更加优化的显微结构和更加优异的性能,具有十分广阔的应用前景.

关键词: Sialon , TiN/Sialon , TiN/O′-Sialon , 原位反应 , 显微结构 , 性能

德兴铜矿野外高位水池液位的无线传动态监控

朱永生 , 吴水生 , 廖庆华

黄金 doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2003.06.014

野外高位生产水池和生活水池的动态监控,是保证供水,防止溢流,有效降低生产成本的重要手段.无线传动态监控系统和管理网络的建立使人们装上了监控的眼睛.

关键词: 动态监控 , 生产水 , 生活水 , 水池液位 , 水质指标 , 无线传系统

基于积分方法的二维平行剪切层声场预测

于潮 , 李晓东

工程热物理学报

本文采用二维Ffowcs Williams&Hawkings(FW-H)方程对平行剪切层声场辐射特性进行了研究.近流场时间精确数据通过计算气动声学(Computational Aeroacoustics,CAA)技术数值模拟获得,声场信息则通过FW-H方程对近流场内的可穿透积分面进行积分获得.该方法首先采用具有解析解的涡/尾缘干涉问题进行了校核,进一步采用CAA/FW-H匹配技术对二维平行剪切层声辐射问题进行了预测,计算结果表明,积分解与计算域内的CAA数值解吻合较好.

关键词: FW-H方程 , 计算气动声学 , 涡/尾缘干涉 , 剪切层

808nm高功率量子阱结激光器及其电噪声特性

胡贵军 , 石家纬 , 张素梅 , 齐丽云 , 李红岩 , 张锋刚

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.037

介绍了808nm高功率量子阱结半导体激光器的结构和器件特性,测试了器件的低频电噪声,讨论了噪声与频率、注入电流及器件质量的关系.结果表明,808nm高功率量子阱结半导体激光器的阈值电流在老化初期随时间的延续而降低,其噪声在低频段主要为1/f噪声,且在阈值附近有最大值,器件噪声与器件质量有一定的相关性.

关键词: 半导体激光器 , 高功率 , , 噪声

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