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高k材料Ta2O5结构与电学性质的研究

陈息林 , 余涛 , 吴雪梅 , , 诸葛兰剑

功能材料

利用双离子束沉积设备在p-Si(100)衬底上制备了Ta2O5基MOS电容,研究了不同辅源能量0、100、200、300eV下薄膜生长机制、内部结构以及电学性质的差异。实验结果显示,在辅源能量200eV下制备的Ta2O5薄膜具有最小的表面粗糙度和优异的界面特性。由C-V/I-V特征曲线表明,辅源能量200eV下制备的Ta2O5基MOS电容具有最小的平带电压偏移量、氧化层电荷密度以及漏电流。研究表明合适的辅源能量可有效改善薄膜生长机制,使薄膜由类岛状沉积转化为层状生长,从而提高晶粒均匀性、薄膜平整度以及致密性,使薄膜具有较好的电学性质。

关键词: 高k栅介质 , Ta2O5 , MOSFET器件 , 微结构 , 电学性质

内蒙古乌拉特浩尔忽洞金矿床的勘查与开发

高永军 , 行天伟 , 杨志刚

黄金 doi:10.11792/hj20130404

内蒙古太平矿业有限公司浩尔忽洞金矿是中国北方最大的露天开采黄金堆浸矿山.论述了浩尔忽洞金矿床的地质特征,总结了找矿标志,并重点阐述了地质找矿成果及开发规划,形成了科学论证、探矿会战、整体开发、科技领先、绿色和谐的矿业开发模式,对中国“十二五”期间利用找矿新机制实现找矿大突破有一定的借鉴.

关键词:

含氟共聚聚酰亚胺的合成与性能研究鲁云华,赵洪斌,迟海军,岩,肖国勇,胡知之

鲁云华 , 赵洪斌 , 迟海军 , , 肖国勇 , 胡知之

绝缘材料

以1,4-双(4-氨基-2-三氟甲基苯氧基)苯(6FAPB)为含氟二胺单体,均苯四甲酸二酐(PMDA)和1,2,3,4-环丁烷四酸二酐(CBDA)为二酐单体,经低温溶液缩聚反应得到聚酰胺酸,再经热酰亚胺化处理制备出含氟共聚聚酰亚胺(CPI)薄膜.采用红外(IR)、紫外(UV-Vis)、溶解性测试等对CPI进行结构与性能表征,考察两种二酐单体的不同物质的量之比对共聚聚酰亚胺光学性能和溶解性的影响.结果表明:随着脂环二酐CBDA摩尔配比的增加,CPI薄膜在410 nm处的光透过率逐渐增加,薄膜颜色逐渐变浅,溶解性有所改善.

关键词: 聚酰亚胺 , 共缩聚 , 含氟 , 结构与性能

用剖分压块測量平塑压时的接触摩擦力

张纪 , 谢刚朝 , 杜秋源 , 魏立羣

金属学报

<正> 近年来,常用剖分压块测量平塑压时的接触摩擦力,即所谓的“测摩器”。它能提供金属压力加工力和变形计算的重要参数——平均摩擦系数,以及作为研究金属压力加工摩擦和润滑的工具。 和德元;和;和的测摩器压一个试样。和;和等的测摩器压两个试样。等;和用弹性压缩剖分试样的方法标定

关键词:

化学镀NiCOB合金对人造金刚石抗氧化的影响

关长斌 , 周振 , 于金库

中国腐蚀与防护学报

化学镀NiCOB合金对人造金刚石抗氧化的影响关长斌,周振,于金库(燕山大学秦皇岛066004)人造金刚石由石墨十触媒合金在高温超高压下合成,因此是一种亚稳相,耐热性差。在空气中加热到700℃以上就会明显氧化和石墨化,使强度降低,影响应用。如制作磨具时,使热压烧结温度和焊接温度都受到限制。为了提高人造金刚石的氧化性能,目前国内外都采用镀单一的金属层,如镀Ni,Cu或Ti等[1~3],但效果均?...

关键词: null , Synthetic diamond , Resistance to oxidation

内蒙古商都项家村金矿床地质特征及矿床成因

密文天 , 辛杰 , 席忠 , 李长才 , 王文祥 , 武景龙

黄金 doi:10.11792/hj20151103

内蒙古商都项家村金矿床位于白云鄂博裂谷带东段南缘,金矿床的赋矿岩层为晚二叠世黑云母钾长花岗岩. 研究后确定2种矿体类型,分别为蚀变岩型和石英脉型. 区内的控矿构造为乌兰哈达—高勿素深大断裂带,该断裂具多期次和继承性的特征,是重要的导矿构造. 次级构造家村背斜北翼的层间断裂带为矿质赋存提供了空间,是重要的容矿构造. 项家村金矿床的发现为裂谷带南缘找矿指明了方向.

关键词: 项家村金矿床 , 地质特征 , 矿床成因 , 商都 , 内蒙古

锌在SO_2污染环境中的腐蚀规律

王振 , 郑逸苹 , 刘寿荣

中国腐蚀与防护学报

锌在SO_2污染环境中的腐蚀规律王振,郑逸苹,刘寿荣(中国科学院金属腐蚀与防护研究所沈阳110015)1前言在我国西南地区,由于地理环境的影响,酸沉降日趋严重.含硫煤燃烧所排放的SO2造成雨水酸化,酸沉降引起的腐蚀问题受到人们关注.因此,在该地区进行材料的腐蚀研究具有重要的现实意义.SO。在高湿条件下对大多数金属和合金有强烈的加速腐蚀作用[1].Sherry等[2-4]就高湿条件下低浓度SO....

关键词: null , Zinc , SO_2 polluted environment

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