邓书康
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董国俊
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杨晓坤
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刘虹霞
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侯德东
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李明
人工晶体学报
采用电子束蒸发技术在衬底温度为180℃条件下生长具有Ge覆盖层的非晶Si薄膜,并于500℃、600℃、700℃真空退火5h.采用Raman散射、X射线衍射(XRD)、全自动数字式显微镜等对所制备薄膜的晶化特性进行研究.结果表明,Ge覆盖层具有诱导非晶Si薄膜晶化的作用,且随着退火温度的升高a-Si薄膜晶化越显著.具有Ge覆盖层非晶薄膜经500℃退火5h沿Si(400)方向开始晶化,对应晶粒尺寸约为4.9 nm.将退火温度升高到700℃时,非晶硅薄膜几乎全部晶化,晶化多晶Si薄膜在Si(400)方向表现出很强的择优取向特性,晶粒尺寸高达23.3μm.与相同条件下制备的无Ge覆盖层的非晶Si薄膜相比,晶化温度降低了300℃.
关键词:
多晶硅薄膜
,
电子束蒸发
,
非晶硅
,
Ge诱导晶化
鲁云华
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赵洪斌
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迟海军
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董岩
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肖国勇
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胡知之
绝缘材料
以1,4-双(4-氨基-2-三氟甲基苯氧基)苯(6FAPB)为含氟二胺单体,均苯四甲酸二酐(PMDA)和1,2,3,4-环丁烷四酸二酐(CBDA)为二酐单体,经低温溶液缩聚反应得到聚酰胺酸,再经热酰亚胺化处理制备出含氟共聚聚酰亚胺(CPI)薄膜.采用红外(IR)、紫外(UV-Vis)、溶解性测试等对CPI进行结构与性能表征,考察两种二酐单体的不同物质的量之比对共聚聚酰亚胺光学性能和溶解性的影响.结果表明:随着脂环二酐CBDA摩尔配比的增加,CPI薄膜在410 nm处的光透过率逐渐增加,薄膜颜色逐渐变浅,溶解性有所改善.
关键词:
聚酰亚胺
,
共缩聚
,
含氟
,
结构与性能
吴双成
电镀与精饰
总结记录了一百多年来我国出版的电镀书籍名录,可以从一个侧面反映出我国电镀业的曲折发展的历史过程.电镀业与其他行业相比,是一个较小的行业.本文对了解电镀工业发展历程,以及学习电镀技术、撰写文章、学术研究有一定的帮助.
关键词:
电镀
,
表面处理
,
图书
,
目录
材料保护
回顾了我国镀镍40年的发展史,列出了典型的镀镍基本配方,对光亮剂的研制进展予以了论述.最后说明了镀镍管理和维护的重要性.
关键词:
镀镍
,
光亮剂
,
管理与维护
沙永志
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曹军
,
王凤岐
,
孙启发
钢铁
21世纪炼铁工业发展的重点是节能与环保.我国与先进国家相比,在炼铁节能和环保方面存在较大差距,主要问题是能耗高、污染严重.为解决这一问题,必须对现有生产进行大规模的技术改造,实施各种节能降耗和环保技术,如精料技术、高炉喷煤、烧结烟气脱硫等.
关键词:
炼铁
,
节能
,
环保