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甲基磺酸亚锡与硫酸亚锡镀哑光锡的比较

张振华

电镀与精饰 doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2012.04.007

从实验验证、成本分析两个方面对甲基磺酸亚锡和硫酸亚锡为主盐的镀哑光锡电解液在镀液性能和镀层性能进行比较,验证了甲基磺酸亚锡镀哑光锡在镀层和镀液方面的性能优势,在成本上,对甲基磺酸亚锡镀哑光锡和硫酸亚锡镀哑光锡做对比分析,发现二者成本接近,综合研究结论为:甲基磺酸亚锡为主盐镀哑光锡在未来几年内,有取代硫酸亚锡的趋势.

关键词: 甲基磺酸亚锡 , 硫酸亚锡 , 镀层性能 , 镀液性能 , 成本

短沟道SiC MESFET亚阈值特性

韩茹 , 杨银堂 , 贾护军

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.04.014

基于器件物理分析的方法,结合沟道电势二维解析模型,分析比较了漏极引致势垒降低效应(DIBL effect)对6H-及4H-SiC MESFET沟道势垒,阈值电压,以及亚阈值电流的影响,并研究了其温度特性.研究表明DIBL效应的存在使SiC MESFET的沟道势垒最小值随栅长及温度发生变化,并带来阈值电压及亚阈值电流的变化.栅长越大,温度越高,亚阚值倾斜因子Ns越小,栅压对沟道电流的控制能力增强,最终造成亚阈值电流随栅压的变化越快.

关键词: 碳化硅MESFET , 沟道电势 , 漏极引致势垒降低效应 , 阈值电压

甲基磺酸亚锡合成工艺研究

李立清 , 曾台彪 , 梁飞

电镀与涂饰 doi:10.3969/j.issn.1004-227X.2007.07.005

介绍了甲基磺酸亚锡的合成原理和实验步骤,分析了产物成分,研究了实验条件对甲基磺酸亚锡产率的影响.结果表明,本工艺合成路线简单,产物为白色固体,产率高,产品纯度高,最佳工艺为温度140 ℃,反应时间5.5 h,最好使用直径为3 mm的锡粒.

关键词: 甲基磺酸亚锡 , 合成原理 , 产率 , 纯度

亚稳β-Ti合金设计方法

李群 , 王清 , 董闯 , 王英敏 , 羌建兵

钛工业进展

获得具有优异性能的亚稳β-Ti合金需要添加多种元素进行合金化，而如何有效进行合金的成分设计是亚稳β-Ti合金合金化的关键。系统总结了多组元亚稳β-Ti合金的设计方法，包括Mo当量法、电子理论法、计算机模拟计算法以及基于“团簇＋连接原子”结构模型的设计方法，其中基于团簇结构模型的设计方法是从局域微观原子结构出发进行合金成分设计，为合金设计开辟了新的设计思想。

关键词: 亚稳β-Ti合金 , 成分设计方法 , 团簇结构模型

机械合金化制备亚稳材料

胡壮麒 , 张海峰 , 刘智光 , 叶荔蕾 , 范国江 , 生红卫

机械工程材料 doi:10.3969/j.issn.1000-3738.2001.05.001

最近十几年来，机械合金化技术被广泛应用于制备和合成亚稳材料。这是一种通过固态反应生成具有亚稳结构和组织的新材料。在球磨过程中，原始粉末经受反复的破裂和冷焊，积聚大量的内部缺陷和储能，促使组织细化。实验中观察到突然的温升，非晶化，局部的熔化和亚稳相的形成。机械合金化也对力学性能产生很大影响，比较机械合金化技术和快淬技术制备同一种亚稳材料，发现在熔点降低，硬度和热稳定性等方面有差异。

关键词: 机械合金化 , 快淬法 , 亚稳材料 , 制备技术

金属形变后的亚结构特征

黄晓旭 , 蔡大勇 , 姚枚 , 刘庆 ,

材料科学与工艺 doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2000.01.008

利用SEM、TEM研究了单晶铝与多晶铜的形变显微组织特征并测定了形变显微组织中不同亚结构间的取向差．结果表明：形变单晶铝及多晶铜其原始晶粒发生位错分割而形成三类不同尺寸的亚结构，即形变带、胞块及位错胞；形变带由相互间隔的基体带和过渡带组成，形变造成的晶体转动主要集中在过渡带内，基体带由胞块及位错胞组成．

关键词: 塑性变形 , 显微组织 , 形变带 , 电子背散射花样

β-钨的亚稳性质

黄慧民 , 陈新民

金属学报

本文研究了β-W所含氧的性质。研究表明,非自燃β-W所含的氧可分为两部分:可逆化学吸附的氧和可能与β-W组成填隙式固溶体的填隙氧。β-W是金属W的一种亚稳相,而填隙氧的存在使β-W的亚稳晶格较为稳定。

关键词: 钨 , beta-tungsten , metastable phase , interstitial solid solution

室温轧制高纯铝亚结构的EBSD研究

中国材料进展

用背散射电子衍射(EBSD)技术测试了室温轧制高纯铝的微取向分布,提出了表征亚结构定量信息的概念并开发了分析软件,研究了亚晶的尺寸及其平均取向差的定量特征.结果表明,平均取向差(θcry)小于15°的亚晶数量占95%以上,其平均直径约6μm～7μm,随亚晶平均取向差增大,亚晶平均尺寸增大;亚晶尺寸与其自身平均取向差和周围亚晶平均取向差的平均值(θenv)有关,当θcry/θenv＞1时,其尺寸大于周围亚晶尺寸的平均值;反之也成立.

关键词: 高纯铝 , 轧制 , 取向 , 亚结构 , 背散射电子衍射(EBSD)