胡云钦
,
邱林俊
,
代波
,
魏贤华
,
任勇
,
葛妮娜
,
龙震
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.12.025
采用直流磁控溅射法在不同溅射功率和工作气压条件下沉积 Cu 薄膜,对其进行 X射线衍射、原子力显微镜、电阻率测试,分析了工艺参数对 Cu 薄膜的沉积速率、微观结构和电阻率的影响。通过紫外光刻技术将Cu薄膜制成桥箔,采用电爆测试平台获得Cu桥箔的电爆参数,研究了Cu薄膜的晶粒尺寸、择优取向对其电爆性能的影响。结果表明：随溅射功率的增大,Cu薄膜的沉积速率增加、晶粒尺寸增大、Cu(111)晶面择优取向特性变差,且电阻率降低；随溅射工作气压增大,Cu薄膜的沉积速率降低、晶粒尺寸减小、Cu(111)晶面择优取向越明显,且电阻率增加。对于相同桥区参数的 Cu 桥箔,晶粒尺寸越小,其爆发时刻就越早；Cu (111)晶面择优取向越明显,其爆发电流和峰值功率就会越大。
关键词:
Cu薄膜
,
磁控溅射
,
桥箔
,
电爆性能
水嘉鹏
,
陈秀梅
,
王灿
材料研究学报
用葛摆测量了a-PdCuSi合金的内耗-温度曲线,证明在该合金的Tg和Tx温度附近有两个内耗峰P1和P2.P2峰是与非晶晶化有关的内耗峰,而P1峰可能是弛豫型的内耗峰.分析了倒扭摆和Collette摆的灵敏度,阐述了这两种摆不适用于测量a—PdCuSi类合金的内耗峰.
关键词:
非晶态
,
null
,
null
L．B．Magalas
金属学报
根据有关术语、实验结果和理论处理方法的现有数据，对冷加工峰，200，220或250℃峰，Snoek-Koster（SK）峰，以及Snoek-Ke-Koster（SKK）峰进行了评估。并特别强调了葛庭遂教授（Ke）为理解冷加工峰所作的贡献。同时，对由（1）Schoeck，（2）Seeger，（3）王业宁等人，（4）Magalas和Ngai，以及（5） Ogurtani 等人发展的现有理论模型进行了简要的综述.
关键词:
Snoek-Koster峰
,
null
,
null
,
null
胥永刚
,
李宁
,
沈保罗
,
陈天富
,
邱绍宇
,
邹红
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2005.03.028
以自制的Fe-7Al-0.5Ti高阻尼合金为研究对象,利用葛氏倒扭摆仪研究了热处理温度和时间对合金自由振动的衰减能力的影响.数据显示,在900℃下保温2 h后经过水冷处理后合金的阻尼参数δ达0.163.另一方面合金900℃下晶粒尺寸在2 h以前长大明显,此时合金的阻尼性能很快增加,2 h后晶粒尺寸增加缓慢,该性能逐渐降低.
关键词:
Fe-7Al-0.5Ti阻尼合金
,
内耗
,
热处理工艺
,
微观组织
赵增祺
,
陈腓騢
,
李喜孟
,
杨大智
材料研究学报
用真空葛氏扭摆研究了CuZnAl 形状记忆合金平衡状态试样的内耗。在室温至500℃温度范围内,观测到两个弛豫型内耗峰,峰温分别为240℃和345℃(f≈1.7Hz)。通过改变频率测得240℃峰的弛豫激活能为27kcal/mol,345℃峰的弛豫激活能为42kcal/mol。计算了两个峰的τ_0值,确定345℃峰为α相中Zener 弛豫峰,240℃峰则是由β有序相内反向畴界某种点缺陷运动所产生。
关键词:
宋顺远
,
李宁
,
滕劲
,
颜家振
功能材料
通过真空感应电炉熔炼Fe-Mn合金、运用葛氏倒扭摆测量阻尼性能,结合SEM和TEM照片研究了Mn含量对Fe-Mn合金微观组织阻尼性能的影响.结果显示,随着Mn含量的增加,Fe-Mn合金的阻尼性能先增加后减小,在Mn含量为16.5％时取得峰值.原因在于,当Mn含量＜16.5％时,随着Mn含量增加,合金中扩展位错数量增加,同时α’马氏体数量减少直至消失,扩展位错的移动性能增加,合金的阻尼性能增加；当Mn含量＞16.5％以后,合金中的扩展位错数量减少,合金的阻尼性能降低.
关键词:
Fe-Mn合金
,
阻尼性能
,
扩展位错
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2003.11.006
根据有关术语、实验结果和理论处理方法的现有数据,对冷加工峰,200,220或250℃峰,Snoek-Koster(SK)峰,以及Snoek-Ke-Koster(SKK)峰进行了评估.并特别强调了葛庭燧教授(Ke)为理解冷加工峰所作的贡献.同时,对由(1)Schoeck,(2)Seeger,(3)王业宁等人,(4)Magalas 和Ngai,以及(5)Ogurtani等人发展的现有理论模型进行了简要的综述.
关键词:
Snoek-Koster峰
,
冷加工峰
,
Snoek弛豫
,
Cottrell气团
,
葛庭燧
,
内耗
,
机械波谱学
,
位错
,
固溶体
,
铁
,
碳
,
氮
宇慧平
,
隋允康
,
张峰翊
,
王学锋
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2003.06.022
为了数值模拟提拉(又名Czochralski)法获得单晶体的生长过程,本文采用有限容积法离散控制方程,采用非均匀的交错网格避免不合理的振荡压力场,采用三阶精度QUICK (Quadratic Upwind Interpolation of Convective Kinematics)格式离散对流项,采用延时修正来实施QUICK格式获得满足主对角占优的代数方程组,采用SIMPLE(Semi-implicit Method for Pressure Linked Equations)算法耦合压力和速度场,给出了基于上述方法的方程、算法,并发展了程序,计算了Wheeler标准问题,计算结果与文献相当一致,同时本算法能模拟计算高葛拉晓夫数时的流动,显示出非均匀网格QUICK格式模拟晶体生长的优越性;另外本文将这一算法运用到单晶硅的数值模拟中,计算结果令人满意.
关键词:
提拉法
,
QUICK格式
,
SIMPLE算法
,
交错网格
