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分别采用X光电子能谱(XPS)、俄歇电子能谱(AES)、傅立叶红外光谱(FTIR)以及弹性反冲探测(ERD)等方法,分析了三氯硅烷-氨气-氮气体系低压化学气相沉积(LPCVD)氮化硅(SiNx)薄膜的化学组成,并利用原子力显微镜(AFM)观察了SiNx薄膜的表面形貌.XPS分析结果表明,当原料气中氨气与三氯硅烷的流量之比小于3时获得富Si的SiNx薄膜,当流量之比大于4时获得近化学计量的SiNx薄膜(x=1.33).AES深度分析与XPS分析结果很好地吻合,在835cm-1产生的强红外吸收峰表明Si-N键的形成,ERD分析表明所制备SiNx薄膜中的氢含量很低(1.2at.%).AFM分析结果表明,所沉积的SiNx薄膜均匀、平整,薄膜的均方根粗糙度RMS仅为0.47nm.

关键词: 氮化硅 , 薄膜 , 化学组成 , LPCVD

无压烧结制备氧氮化硅陶瓷

徐鑫 , 黄莉萍 , 葛其明 , 符锡仁

无机材料学报

以β－Ｓｉ_３Ｎ_４和ＳｉＯ_２粉末为原料，以ＭｇＡｌ_２Ｏ_４为烧结添加剂，通过无压烧结制备出致密的Ｓｉ_２Ｎ_２Ｏ陶瓷材料．所得材料由柱状Ｓｉ_２Ｎ_２Ｏ颗粒和少量β－Ｓｉ_３Ｎ_４颗粒复合组成，研究了烧结温度对材料显微结构的影响，发现材料的断裂大部分是穿晶断裂．

关键词: 氧氨化硅 , pressurelessly sintering , microstructure , mechanical properties

无压烧结制备氧氮化硅陶瓷

徐鑫 , 黄莉萍 , 葛其明 , 符锡仁

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2001.01.028

以β-Si3N4和SiO2粉末为原料，以MgAl2O4为烧结添加剂，通过无压烧结制备出致密的Si2N2O陶瓷材料. 所得材料由柱状Si2N2O颗粒和少量-Si3N4颗粒复合组成，研究了烧结温度对材料显微结构的影响，发现材料的断裂大部分是穿晶断裂.

关键词: 氧氮化硅 , 无压烧结 , 显微结构 , 力学性能

罗丹明化学研究的新进展?

张来新 , 朱海云

合成材料老化与应用

简要介绍了罗丹明化合物的结构特征、合成、特性及应用，重点介绍了：①新型罗丹明类荧光探针的合成与性能研究；②新型罗丹明及香豆素类荧光探针的合成及其对金属离子的识别。并对罗丹明化学的发展进行了展望。

关键词: 罗丹明 , 合成 , 应用

莱康明发动机活塞腐蚀及其预防

陈亮 , 吴江

腐蚀与防护 doi:10.3969/j.issn.1005-748X.2008.05.008

活塞是发动机的重要受力、受热部件之一,其工作条件恶劣,容易出现热疲劳损伤;同时活塞上的局部腐蚀会产生应力集中源.由此严重影响到飞行安全.以美制NEW PIPER PA44-180双发飞机使用的莱康明航空活塞发动机的活塞为例,对其在成都地区的大气环境下腐蚀产生的原因进行了分析,并提出了相应的预防措施.

关键词: 活塞 , 腐蚀 , 预防 , 大气环境

一种潜在的激光制冷介质-罗丹明B掺杂PMMA

吴云龙 , 熊玉峰 , 房晖

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.03.023

报道了罗丹明B掺杂PMMA材料制作过程及材料吸收和荧光光谱实验.吸收光谱表明,PMMA样品从紫外到近红外范围存在较小的吸收.罗丹明B/PMMA样品吸收光谱主要反映罗丹明B的吸收特征,其吸收峰中心波长位于550nm.荧光光谱显示,以630nm激发,反斯托克斯荧光峰位于595nm,能量差为0.11eV.该材料辐射反斯托克斯荧光,可用于激光制冷领域的研究.

关键词: 激光制冷 , 反斯托克斯荧光 , 罗丹明B , PMMA

12-钨磷酸共振瑞利散射光谱法测定盐酸苯海拉明

许东坡 , 刘绍璞 , 刘忠芳 , 胡小莉

应用化学 doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2007.09.026

在pH值为0～1.5范围内,12-钨磷酸与盐酸苯海拉明(DP·HCl)反应形成缔合物后引起共振瑞利散射(RRS)强度显著增强,最大散射峰位于305 nm,散射强度与DP·HCl浓度在8.0×10-9～1.6×10-6 g/mL范围内成线性关系,据此建立了测定盐酸苯海拉明的RRS法.本法具有较高的灵敏度和良好的选择性,其检出限(3σ)为0.8×10-9 g/mL.用于尿样中盐酸苯海拉明的测定,回收率为96.0%～104.2%.结合量子化学AM1法计算结果讨论了反应机理.

关键词: 共振瑞利散射 , 钨磷酸 , 盐酸苯海拉明

外加交变电场情况下屏蔽明孤子自偏换特性研究

忽满利 , 李文慧 , 马志博 , 种兰祥 , 廖春艳

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2012.01.016

用微扰法从理论上计算了外加交变电场的光折变晶体中屏蔽明孤子的自偏转特性,在外加交变电场的有效电场方向与晶轴方向一致的情况下,晶体中形成屏蔽明孤子,其自偏转方向偏向晶轴反方向,并且孤子中心的偏转轨迹为一抛物线,当传播距离为一定值时,其偏转距离与外加交变电场值的三次方、光强调制度分别成正比,当孤子中心光强与暗辐射强度的比值为10时,光孤子的偏转距离最大.伴随自偏转的同时,光孤子中心的空间频率随着传播距离由低频向高频线性移动,导致光孤子的横截面振幅分布发生了变化,偏转方向的曲线斜率变大,反方向的曲线变得平坦.

关键词: 非线性光学 , 自偏转 , 微扰法 , 屏蔽明孤子 , 交变电场