荣延栋
,
阴生毅
,
胡跃辉
,
吴越颖
,
朱秀红
,
周怀恩
,
张文理
,
邓金祥
,
陈光华
功能材料
采用热丝辅助MWECR-CVD系统制备出了a-Si:H薄膜.应用傅立叶红外仪测量了薄膜的红外谱,用共面蒸铝电极法测量了薄膜的光电导.通过比较A样品(加入热丝)和B样品(未加热丝),得出在热丝辅助MWECR-CVD系统制备非晶硅薄膜过程中,热丝的光照对薄膜的抗衰退起到了关键作用,用该系统制备非晶硅薄膜,大大降低了薄膜中的总氢含量,提高了薄膜的稳定性,同时,Si-H键合体的摇摆模发生了红移.
关键词:
非晶硅
,
红外
,
光致衰退
吴越颖
,
胡跃辉
,
阴生毅
,
荣延栋
,
王青
,
高卓
,
李瀛
,
宋雪梅
,
陈光华
功能材料
我们用热丝辅助MW ECRCVD系统,在热丝温度分别为0、1350、1400、1450、1500、1600和1700℃时制备出a-Si:H薄膜.通过膜厚测定,红外光谱分析光、暗电导测量等手段,分析了其沉积速率、光敏性及光学带隙的变化规律.结果表明沉积速率和薄膜质量均得到明显的提高,沉积速率超过3nm/s,光暗电导之比提高到6×105.找到最佳辅助热丝温度为1450℃.通过对带隙值的分析,发现当带隙值在1.6~1.7范围内时,薄膜几乎都具有105以上的光暗电导之比.
关键词:
a-Si:H薄膜
,
热丝
,
光敏性
,
沉积速率
王青
,
阴生毅
,
胡跃辉
,
朱秀红
,
荣延栋
,
周怀恩
,
陈光华
功能材料
采用MW-ECR CVD方法制备的a-Si:H薄膜在模拟太阳光照射下进行光敏性(σp.σ d)和光致衰退测试.对比了有、无热丝辅助沉积的薄膜的光电特性,得出沉积温度是影响薄膜光敏性的主要因素,而适当温度的热丝辅助对于薄膜的光致衰退有一定延缓作用.
关键词:
氢化非晶硅
,
氢含量
,
光敏性
,
光致衰退
冯贞健
,
邢光建
,
陈光华
,
于春娜
,
荣延栋
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.01.003
用常规射频(RF)溅射系统,采用两步法在Si(111)衬底上制备出较高粘附性的立方氮化硼(c-BN)薄膜.沉积过程分为成核(第一步)和生长(第二步)两步,当由第一步变为第二步时,工作气体由Ar气变为Ar和N2的混合气体,衬底温度和偏压也降为较低的值.对不同生长阶段的薄膜进行了SEM、FTIR分析,对最后沉积的薄膜进行了XPS分析.结果表明:采用两步法在Si(111)衬底上沉积的c-BN薄膜内应力较之常规方法减小约11.3GPa,薄膜的B、N原子之比为1.01,c-BN的体积分数为88%,薄膜置于自然环境中6个月尚未有剥离现象.文中还讨论了c-BN薄膜的综合生长机制.
关键词:
c-BN薄膜
,
粘附性
,
两步法
宋占永
,
董桂霞
,
杨志民
,
马舒旺
材料导报
概述了流延成型工艺的特点及发展历程,比较了水基流延成型与传统流延成型技术的优缺点.针对特定的流延成型工艺过程进行了详细的介绍和理论分析,同时介绍了几种新型的流延工艺.最后对流延成型技术的研究和应用进行了展望,并提出了自己的见解.
关键词:
陶瓷
,
传统流延成型
,
水基流延成型
彭周
,
肖建中
,
梅思杨
,
荣立
,
李向东
硅酸盐通报
陶瓷粉体颗粒易在流延成形过程中产生取向性分布,使得流延坯体本身在烧结后容易出现收缩各向异性.采用图像处理的办法测量流延坯体中的颗粒取向,利用数据挖掘技术对所得结果进行整理.结果表明流延坯体中不同层位的颗粒具有不同的排列取向,上下层颗粒的丰度和各向异性率之间都呈幂函数关系.
关键词:
陶瓷颗粒
,
流延成形
,
图像分析
,
丰度
,
各向异性率
牛厂磊
,
王少洪
,
侯朝霞
,
胡小丹
,
陆浩然
,
薛召露
,
王浩
,
王彩
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2010.z2.010
以溶胶-凝胶法制得的纳米堇青石(2MgO-2Al2O3-5SiO2)粉体为原料,聚丙烯酸钠(PAAS)为分散剂,制备堇青石水基流延浆料并流延成型.对适于流延的堇青石粉体粒径、聚丙烯酸钠含量及流延坯片的微观形貌进行研究.结果表明:粉体粒径为600nm左右的堇青石粉体适用于制备水基流延浆料;分散剂聚丙烯酸钠最佳含量为1.5%(质量分数);得到的流延生坯微观结构均一,上下表面平整一致,不存在密度梯度,满足高频片式电感所用坯片的要求.
关键词:
水基流延
,
粒径
,
分散剂
,
微观结构
崔学民
,
欧阳世翕
,
黄勇
,
余志勇
,
吴立峰
,
汪长安
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2004.02.011
流延法作为制备片层材料的重要工艺已经被陶瓷研究者广泛应用.但是,有机流延体系带来的环境污染、毒性及易燃性等问题已被社会所关注.因此,研究无毒、无污染的水基流延工艺已得到材料界的广泛重视.本文主要概述了国内外水基流延工艺的研究现状,重点介绍了PVA体系、丙烯酰胺凝胶流延体系、纤维素类粘结剂体系及乳胶体系的不同特点;从粘结剂、分散剂、增塑剂等多个角度分析了影响水基流延工艺的技术因素,并提出了很好的解决方法,最后介绍了乳胶体系水基流延工艺在制备片状或层状陶瓷材料方面的应用.
关键词:
水基流延工艺
,
陶瓷
,
粘结剂
,
LOM