孟凡君
,
茹淼焱
,
刘爱祥
,
刘宗林
,
吴秀荣
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2003.01.021
对前驱体法制备的Si-C-N陶瓷粉末在X波段(8.2～12.4GHz)的雷达波吸收性能进行了研究.通过共氨解甲基氯硅烷和二苯基二氯硅烷(Ph2SiCl2),得到含苯基聚硅氮烷前驱体,经高温裂解和球磨获得Si-C-N陶瓷粉末.实验结果表明,Si-C-N陶瓷能够吸收X波段的雷达波,并且有机硅单体中Ph2SiCl2的摩尔比对最终的Si-C-N陶瓷吸波性能具有显著的影响.当Ph2SiCl2的含量为5%时,Si-C-N陶瓷对X波段雷达波具有最好的反射损耗,在9.1～12.4GHz的范围内,反射损耗R.L.小于-10dB即吸收带宽为3.3GHz, 在10.6GHz处具有的最大反射损耗为-15dB.
关键词:
雷达波吸收材料(RAM)
,
聚硅氮烷
,
Si-C-N陶瓷
,
氨解
孟凡君
,
谭业邦
,
刘宗林
,
茹淼焱
,
刘爱祥
,
孟霞
高分子材料科学与工程
直接法生产甲基氯硅烷的高沸点副产物分离出的甲基氯二硅烷(DS) 与八甲基环四硅氮烷反应形成氯硅烷低聚物,经氨解成为聚硅氮烷 (PSZ) 前躯体,并发现PSZ甲苯溶液为假塑性流体,得到70%(质量)的PSZ甲苯溶液的粘流活化能为18.3 kJ/mol.PSZ在1100 ℃高温裂解后,可得到无氯Si-C-N无定型陶瓷,认为该路线是制备高性能Si-C-N陶瓷的最经济的方法之一.
关键词:
高沸物二硅烷
,
甲基氯二硅烷
,
环硅氮烷
,
氨解
,
聚硅氮烷前驱体
,
粘流活化能
,
裂解
,
Si-C-N陶瓷
盂凡君
,
茹淼焱
,
刘爱祥
,
刘宗林
,
孟霞
高分子材料科学与工程
氨解甲基氯硅烷和苯基氯硅烷单体可得到聚硅氮烷前驱体,其高温裂解和球磨后获得的Si-C-N陶瓷粉末能吸收X波段(8 GHz～12 GHz)的雷达波,其吸收性能随氯硅烷单体的配比不同而变化.当将Si-C-N陶瓷粉末与磁性材料复合后,吸收性能大为改进,厚度2.20 mm的吸收层,面密度仅为2.86 kg/m2,在10.47 GHz处吸收可达-28.84 dB,证明了阻抗匹配在研制雷达吸收材料方面的重要性,并提出Si-C-N陶瓷与μ′、μ″值更高的磁性材料复合,吸收性能将会得到更大的提高.
关键词:
雷达吸收
,
聚硅氮烷
,
Si-C-N陶瓷
,
甲基氯硅烷
,
苯基氯硅烷
,
氨解
,
磁性材料
亓美玲
,
管从胜
,
茹淼焱
材料保护
为了解决现有植酸盐转化膜耐水洗性差的问题，利用植酸的反应活性及酸催化活性，使之与三乙醇胺进行酯化反应，将所得产物与促进剂、配位剂等进行复配，采用正交法优化转化液配比和转化工艺参数，在A3钢表面制备了可水洗的植酸盐转化膜。利用扫描电镜观察其微观形貌，通过电化学测试技术考察其耐蚀性。结果表明：所得植酸盐转化膜光滑平整，晶粒呈麦粒状紧密排列，具有较好的耐蚀性。
关键词:
A3钢
,
植酸盐
,
转化膜
,
耐蚀性
