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单晶硅掺杂类型对化学镀Ni -P膜的影响

麻华丽 , 张新月 , 杜银霄 , 陈雷明 , , 张锐 , 曾凡光 , 刘波 , 刘凯 , 梁浩

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.06.007

本文采用化学镀的方法分别在P型、N型Si(100)表面制备了Ni -P膜,通过扫描电镜(SEM)及电子能谱仪(EDS)分析考察了同种制备条件下,在不同基底上镀膜的表面形貌和不同基底对镀层组分的影响;并用原子力显微镜(AFM)对不同基底上镀膜的平整度进行了研究.结果发现两种基底上的镀膜形貌、元素含量及镀膜平整度明显不同,以P型Si(100)作为基底时,膜层颗粒度及平整度较好.

关键词: 化学镀 , N型Si , P型Si , Ni -P膜

关于执行《材料保护》投稿须知的通知

材料保护

为尽快推广科技成果,及时介绍作者的经验,使文章可读性更强,被读者全面而完整地接受,本刊对稿件提出了一些要求(参见本刊2011年任一期杂志中的“投稿须知”)。

关键词: 材料保护 , 投稿 , 科技成果 , 可读性

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材料保护

各位作者: 感谢您多年来对《材料保护》的信任和支持! 为尽快推广科技成果,及时介绍作者的经验,使文章可读性更强,被读者全面而完整地接受,本刊对稿件提出了一些要求(参见本刊2011年任一期杂志中的“投稿须知”)。

关键词: 材料保护 , 投稿 , 科技成果 , 可读性 , 作者

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关键词: 材料保护 , 投稿 , 科技成果 , 可读性 , 作者

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材料保护

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关键词: 材料保护 , 投稿 , 科技成果 , 可读性 , 作者

导电聚氨酯泡沫塑料的成型方法

陈丹青 , 陈国华

材料导报

介绍了导电聚氨酯泡沫塑料的4种成型方法(添加法、吸附法、化学共混法及涂覆法)的最新进展,并对其进行了综合比较,其中添加法最好.指出其主要发展方向为降低导电填料用量及选用新型导电填料,使用纳米石墨微片作为导电填料非常有叉.

关键词: 导电 , 聚氨酯 , 泡沫 , 成型

镁合金废料回收与再生技术研究现状

陈刚 , 范培耕 , 彭晓东 , 曹鹏军 , 蔡苇

兵器材料科学与工程 doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2007.05.021

镁合金废料回收再生对于提升镁合金废料自身价值和镁资源的可持续发展及环保等方面都具有及其重要的忖义.介绍镁合金废料的回收方式、分类和预处理,回顾国内外镁合金废料的回收与再生方法.简单介绍镁合金废料回收质量控制与检测.指出下阶段的研究发展方向.

关键词: 镁合金废料 , 回收与再生工艺 , 综述 , 质量控制 , 检测

物理气相传输法制备SiC单晶中碳包裹物研究

杨昆 , 杨祥龙 , 崔潆心 , 彭燕 , 陈秀芳 , 胡小波 , 徐现刚

人工晶体学报

使用物理气相传输方法(PVT)生长出3英寸4H-SiC单晶.在生长过程中通过在粉料表面放置分布有多个贯穿孔的石墨片,在粉料表面有引入具有一定分布规律的碳颗粒.在生长后的单晶中能够观察到与石墨片贯穿孔分布相似的包裹物分布.通过对实验结果分析,提出了碳包裹物的形成机制,作者认为生长过程中生长腔内产生的碳颗粒是单晶中碳包裹物的重要来源.并根据该分析进一步提出了减少PVT方法制备SiC单晶中碳包裹物的方法.

关键词: 物理气相传输 , 4H-SiC , 碳包裹物 , 质量输运 , 形成机制

基于参数变分原理的含夹杂Voronoi单元法及非均质材料弹塑性计算

张洪武 , 王辉

复合材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-3851.2007.04.026

含夹杂Voronoi单元通过在基体单元中引入一任夹杂,可以更好地反映非均质材料中微结构特性.基于参数势能和余能原理,推导了无夹杂和含夹杂Voronoi单元有限元列式,并在此基础上形成二次规划求解模型.将含夹杂Voronoi单元应用于非均质材料宏观弹塑性性能预测计算中,分析了非均质材料中夹杂对其宏观等效弹塑性力学性能的影响.数值结果与其它方法所得结果的比较证明了本文中所给出模型的正确性和工程可适用性.

关键词: Voronoi单元法 , 参数变分原理 , 二次规划法 , 弹塑性分析

(111)A InP衬底上MOCVD外延InGaAsP的表面形貌和光学特性

刘瑞东 , 于丽娟 , 芦秀玲 , 黄永箴 , 张福甲

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.02.003

为了研究(111)衬底的特性以及实现等边三角形微腔激光器,利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)研究了(111)A InP衬底上InGaAsP外延层的表面形貌和光学特性.考虑到(111)A InP衬底的悬挂键密度比较低,在生长过程中有提高了V/Ш比.通过扫描电子显微镜(SEM)和光荧光(PL)谱分别研究了外延层的表面形貌和光学特性.实验发现,表面形貌和光学特性随V/Ш比和温度的变化非常大.最佳V/Ш比和温度分别为400和625 ℃.

关键词: V/Ш比 , 表面形貌 , 光学特性 , (111)A , InGaAsP

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