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高温固相法合成R2-x (MoO4)3∶xEu3+(R=Y,Gd)红色荧光粉的研究

胡金江 , 张礼刚 , 谢革英 , 李晨璞 , 曲蛟 , , 马丽红

影像科学与光化学

采用高温固相法合成R2-x(MoO4)3:xEu3+ (R=Y,Gd)系列红色荧光粉.研究了煅烧温度、助熔剂的含量和Eu3+的掺杂量对样品发光性能的影响,并对样品的物相组成、激发和发射光谱进行分析.结果表明,样品Gd0.6(MoO4)3:1.4Eu3+在800℃左右煅烧时呈单斜晶结构,当煅烧温度提高到950℃左右,呈正交斜晶结构;样品Y0.2(MoO4)3:1.8Eu3+在800℃左右煅烧时已经完全形成了正交结构,当煅烧温度升高到1000℃左右时,其正交结构得到保持,没有发生相变.其中,助熔剂NH4 C1的含量占样品总量的3%,煅烧温度为1000℃,保温3h得到的样品Gd0.6 (MoO4)3:1.4Eu3+和Y0.2 (MoO4)3:1.8Eu3+的发光性能达到最佳.另外,由激发和发射光谱分析表明,该荧光粉可以被近紫外光(395 nm)和蓝光(465 nm)有效激发,发射峰值位于612 nm的红光,对应于Eu3+离子的5 D0→7F2跃迁,是一种可应用在紫外光和蓝光芯片激发产生白光LED的红色荧光粉.

关键词: 红色荧光粉 , 高温固相法 , LED , 发射光谱 , 激发光谱

洛宁庄金银多金属矿床地质特征及找矿潜力分析

王宏运

黄金 doi:10.11792/hj20150804

庄金银多金属矿床位于熊耳山西段,通过对矿床地质特征及化探异常研究,认为本区金银矿脉分布具有分带性,且与异常分布相吻合,受区内拆离断层和北东向脆性断裂控制,矿床类型为构造蚀变岩型矿床,并对区内找矿标志进行了总结,对区内找矿潜力进行了分析。

关键词: 矿床特征 , 化探异常 , 金银矿床 , 找矿标志 , 找矿潜力 , 庄金银多金属矿床

40MnBH的研究

张海 , 于辉 , 姚风臣 , 刘德富

机械工程材料 doi:10.3969/j.issn.1000-3738.2001.06.005

利用逐步回归分析的方法,确定了40MnBH钢的淬透性与化学成分之间的回归方程,以便分析化学成分对淬透性的影响程度,并应用概率论推导出求解成分内控规范的联立方程,使淬透性合格概率大于97.5%.

关键词: 逐步回归 , 淬透性 , 联立方程 , 概率

重离子弹性散射中的角分散研究

白真 , 王琦 , 韩建龙 , Sergey Yu Kun

原子核物理评论

简要评述了重离子弹性散射角分散研究的内容、方法及物理意义.通过前角区重离子弹性散射产物微分截面的角分布测量,作出角分散图ln(dσ/dθ)-θ2.分析经典偏转函数,从而在实验上确定了反应系统的核角.在低能、重靶的重离子反应系统中,核角远小于擦边角.晕核及弱束缚核比稳定核具有更小的核角和更大的核相互作用范围.经典偏转函数的计算有助于提供一套光学势参数,以便于拟合弹性散射产物的微分截面.

关键词: 重离子弹性散射 , 角分散 , 经典偏转函数 ,

陶瓷表面负载纳米镍颗粒的研究

胡光辉 , 潘湛昌

材料保护

用催化剂制备负载金属镍受温度的影响较大,为了减轻温度的影响,提出了低温下陶瓷表面离子镍活化、化学沉积镍工艺.离子镍活化是通过陶瓷表面吸附柠檬酸后,吸附Ni2+,再以KBH4还原吸附的镍离子.用外漫反射、扫描探针显微镜(AFM)、扫描电亍显微镜(SEM)和XRD对前处理过程、镍表面形貌、晶体结构进行了探测.结果表明:在陶瓷表面引入的羧基,可以化学吸附Ni2+,Ni2+还原后在基体表面形成催化活性中心,从而引发化学沉积镍过程;沉积镍后的陶瓷表面为亮黑色,归因于陶瓷表面形成了分散的纳米镍颗粒.

关键词: 离子镍活化 , 化学沉积镍 , 陶瓷 , 纳米颗粒

激波内部的导热问题

黄为民 , 刘夷平

工程热物理学报

本文从实际气体有粘流的激波厚度解,用分子运动论讨论了激波内部导热问题,并且通过重组诺流和瑞利流的迭加提出了激波中导热问题的物理模型和相应的定态激波非平衡态不可逆过程的模型.证明了激波是一种负熵流波,是依靠激波波速输运热流的热波.

关键词: 激波 , 导热 , 不可逆 , 非平衡态 , 热波

Hg1-xMnxTe晶片电学参数的测量及分析

王泽温 , 介万奇 , 李宇杰 , 谷智

功能材料

采用德堡法分别在77K和室温下对多个Hg1-xMnxTe晶片的电学性能进行了测量,发现部分晶片在77K下的导电类型为p型,而在室温下却为n型.通过理论分析对此现象进行了解释.分析表明:Hg1-xMnxTe晶片中电子迁移率与空穴迁移率的比值较大和Hg1-xMnxTe的禁带较窄是造成晶片导电类型转变的主要原因.对所测其它电学参数的理论分析表明德堡法不适合用于Hg1-xMnxTe晶片室温时的载流子浓度和迁移率的测量,但仍可用其对晶片室温时的电阻率和霍尔系数进行测量.

关键词: Hg1-xMnxTe , 德堡法 , 导电类型 , 霍尔系数

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