王豪
,
范煜
,
石冈
,
刘海燕
,
鲍晓军
催化学报
提出了一种用于制备高分散型W/Al2O3加氢脱硫催化剂的水热沉积法. 该方法利用钨酸钠和盐酸在水热条件下的沉积反应生成纳米WO3, 通过加入表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵可防止WO3颗粒的团聚,从而实现了WO3在Al2O3载体上的高分散负载. 采用X射线光电子能谱、高分辨率透射电镜、 N2物理吸附以及氢气程序升温还原等技术对W/Al2O3催化剂进行了表征,并以二苯并噻吩的加氢脱硫作为模型反应评价了催化剂的催化性能. 结果表明,与采用常规浸渍法制备的具有相同活性组分含量的催化剂相比,采用水热沉积法制备的催化剂具有更高的WO3分散度(表面W/Al原子比从0.051提高到0.061)、更大的比表面积和孔体积;活性组分与载体间的相互作用减弱, WO3的最高还原温度从 1 030 ℃降低到 1 015 ℃, 预硫化后催化剂上的活性物种WS2具有更短的片层长度和更高的堆积程度, WS2片层的平均长度从7.78 nm减小到5.71 nm, 平均堆积层数从1.23增加到1.41;催化剂对二苯并噻吩的加氢脱硫活性比浸渍法制备的催化剂高15%～18%.
关键词:
水热沉积
,
钨
,
氧化铝
,
二苯并噻吩
,
加氢脱硫
,
高分散
,
弱相互作用
葛善海
,
刘长厚
,
范煜
,
王连军
催化学报
采用浸渍法制备了V-Mg-O催化剂,利用XRD和BET对催化剂进行了表征.比较了固定床反应器(FBR)、惰性膜反应器(IMR)与混合式惰性膜反应器(MIMR)用于丁烷氧化脱氢制丁烯和丁二烯反应的性能.采用在陶瓷膜上部分涂釉的方法获得渗透率符合实验要求的惰性膜,利用惰性膜沿反应器轴向分布氧气,降低反应区氧气分压,从而提高目的产物的选择性.通过优化进料方式,在20MIMR反应器中得到了66%的C4烯烃选择性和33%的C4烯烃收率.
关键词:
原钒酸镁
,
陶瓷膜
,
膜反应器
,
丁烷
,
氧化脱氢
,
丁烯
,
丁二烯
石冈
,
韩伟
,
袁珮
,
范煜
,
鲍晓军
催化学报
doi:10.1016/S1872-2067(11)60516-0
以硫代乙酰胺为硫源,钼酸钠为钼源,乙醇为分散剂,采用化学沉积法制备了MoS3/Al2O3催化剂前驱体,再用H2高温处理得到高分散硫化型MoS2/γ-Al2O3催化剂,运用N2吸附-脱附、X射线光电子能谱以及高分辨透射电子显微镜等技术对MoS2/γ-Al2O3催化剂进行了表征,并以二苯并噻吩作为模型化合物评价了催化剂的加氢脱硫(HDS)活性.结果表明,与浸渍法相比,所制催化剂具有更大的比表面积和孔体积、更高的活性金属分散度、更佳的Mo物种硫化度以及更短的MoS2片层长度和更高的堆积度,因而在二苯并噻吩HDS反应中表现出远优于浸渍法所制催化剂的活性.乙醇可通过S...H-O氢键吸附至MoS3纳米粒子表面,可有效防止其生长和团聚,起到分散剂的作用.
关键词:
加氢脱硫催化剂
,
水解
,
乙醇辅助
,
三硫化钼
,
二硫化钼
张海
,
于辉
,
姚风臣
,
刘德富
机械工程材料
doi:10.3969/j.issn.1000-3738.2001.06.005
利用逐步回归分析的方法,确定了40MnBH钢的淬透性与化学成分之间的回归方程,以便分析化学成分对淬透性的影响程度,并应用概率论推导出求解成分内控规范的联立方程,使淬透性合格概率大于97.5%.
关键词:
逐步回归
,
淬透性
,
联立方程
,
概率
黄为民
,
刘夷平
工程热物理学报
本文从实际气体有粘流的激波厚度解,用分子运动论讨论了激波内部导热问题,并且通过重组范诺流和瑞利流的迭加提出了激波中导热问题的物理模型和相应的定态激波非平衡态不可逆过程的模型.证明了激波是一种负熵流波,是依靠激波波速输运热流的热波.
关键词:
激波
,
导热
,
不可逆
,
非平衡态
,
热波
王泽温
,
介万奇
,
李宇杰
,
谷智
功能材料
采用范德堡法分别在77K和室温下对多个Hg1-xMnxTe晶片的电学性能进行了测量,发现部分晶片在77K下的导电类型为p型,而在室温下却为n型.通过理论分析对此现象进行了解释.分析表明:Hg1-xMnxTe晶片中电子迁移率与空穴迁移率的比值较大和Hg1-xMnxTe的禁带较窄是造成晶片导电类型转变的主要原因.对所测其它电学参数的理论分析表明范德堡法不适合用于Hg1-xMnxTe晶片室温时的载流子浓度和迁移率的测量,但仍可用其对晶片室温时的电阻率和霍尔系数进行测量.
关键词:
Hg1-xMnxTe
,
范德堡法
,
导电类型
,
霍尔系数
武明义
,
孙强
,
贾瑜
,
梁二军
中国材料进展
doi:10.7502/j.issn.1674-3962.2015.07.04
二维材料由于存在“膜效应”,即在垂直于薄膜方向的热涨落,使得沿着二维薄膜面内方向出现反常的负热膨胀现象.这种热效应对薄膜的稳定性及电子性质可产生重要影响.基于第一性原理计算和准谐近似,系统地研究了二维单层石墨烯、h-BN和石墨烯/h-BN异质结构的电子、声子以及热膨胀性质,计算了3种结构不同振动模式的格林奈森参数,讨论了引起这3种结构负热膨胀的振动模式.计算表明,由于垂直薄膜方向的热振动,石墨烯和h-BN在薄膜面内均具有较大的负热膨胀系数;它们形成的异质结构依靠弱的范德瓦尔斯相互作用结合在一起,这种层间弱相互作用对薄膜垂直方向的热振动产生影响,使得形成的异质结构的负膨胀系数介于石墨烯和h-BN之间.通过分析异质结构的振动模式,发现引起面内热收缩的ZA振动模式受到了层间范德瓦尔斯相互作用影响,导致异质结构的负热膨胀系数大于石墨烯而小于h-BN.研究表明,可以在实验中通过范德瓦尔斯相互作用来改变层状结构材料的负热膨胀性质,从而提高薄膜材料结构和电子性质的热稳定性.
关键词:
石墨烯
,
h-BN
,
负热膨胀
,
格林奈森参数
,
范德瓦尔斯相互作用
