范汝良
,
张勇
,
张隐西
,
孙康
,
范永忠
高分子材料科学与工程
分别用平衡溶胀法、平衡弹性模量E′和应力-应变方法对3种硫化体系的NR硫化胶的交联密度进行了测定和估算,同时借助化学探测剂方法测定了3种硫化胶中各种交联键型浓度分布,并研究了交联键类型对硫化胶动态力学性能的影响.结果表明,用平衡弹性模量E′估算的交联密度值最高,用平衡溶胀方法的估算值最低.3种NR硫化胶具有相似的交联密度,但交联键型密度不同,多硫键含量最多的CV硫化体系具有稍低的玻璃化转变温度Tg(-57.1 ℃)以及Tg以上区域内较低的动态损耗因子tanδ;SEV和EV体系的Tg分别为-55.6 ℃和-53.5 ℃,但EV体系具有最高的动态损耗因子tanδ.
关键词:
天然橡胶
,
硫化胶
,
交联密度
,
动态力学性 能
,
玻璃化转变温度
温昶
,
赵会仙
,
李融武
,
李国霞
,
郭培育
,
高正耀
,
赵维娟
,
孙洪巍
,
郭敏
,
谢建忠
原子核物理评论
采用能量色散X射线荧光(EDXRF)技术测试了若干严和店窑汝瓷和钧台窑钧官瓷样品胎和釉的化学组成,利用多元统计中的因子分析方法分析了两窑场胎和釉的差异.结果表明:严和店窑汝瓷和钧台窑钧官瓷能较好地加以区分.再次证明了钧瓷和汝瓷是有区别的.
关键词:
钧官瓷
,
严和店窑汝瓷
,
能量色散X射线荧光
,
化学组成
,
因子分析
邱霞
,
赵维娟
,
李国霞
,
郭敏
,
谢建忠
,
孙洪巍
,
承焕生
,
孙新民
,
赵青云
,
赵文军
,
鲁晓珂
原子核物理评论
doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2006.03.009
将84个清凉寺窑汝官瓷和钧台窑钧官瓷样品进行质子激发X射线荧光分析,得到每个样品胎和釉的7种主量化学组分.将所有样品的7种主量化学组成数据进行散布分析,以确定汝官瓷和钧官瓷原料来源是否相同.从散布分析图可以看出,汝官瓷釉和钧官瓷釉样品的原料产地和配方明显不同,汝官瓷胎和钧官瓷胎样品的原料产地和成分接近,但有所不同.
关键词:
主量化学组成
,
散布分析
,
质子激发X射线荧光分析
程军
,
杨学明
,
杨晓勇
,
王昌燧
,
王巨宽
稀土
doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2000.04.001
本文利用ICP-MS对新石器时代良渚文化瑶山遗址出土的古玉器进行了稀土元素分析,并与产于新疆和阗玉石矿的软玉进行了对比.结果表明,瑶山古玉器的稀土元素配分型式、特征比值均明显不同于和阗玉,说明良渚文化玉器的玉石应选自当地,这与李约瑟[1]教授认为中国古玉器都源于新疆和阗的论点不同.
关键词:
良渚玉器
,
ICP-MS
,
稀土元素(REE)
,
产地分析
蔡敏敏
,
李国霞
,
赵维娟
,
李融武
,
赵文军
,
承焕生
,
郭敏
硅酸盐通报
利用质子激发X射线荧光分析(PIXE)测试分析汝官瓷、张公巷窑青瓷和刘家门窑青瓷样品的主要化学组成,用多元统计判别分析方法对数据进行分析,以确定它们的分类和起源关系.结果表明:汝官瓷、张公巷窑青瓷和刘家门窑青瓷釉基本能很好的区分；但是胎区分得不是很理想,张公巷窑青瓷的胎可以和汝官瓷、刘家门窑青瓷胎很好的区分,汝官瓷胎和刘家门窑青瓷胎有个别样品不能分开.
关键词:
汝官瓷
,
张公巷窑青瓷
,
刘家门窑青瓷
,
判别分析
肖朋飞
,
赵红梅
,
李融武
,
赵文军
,
李国霞
,
赵维娟
,
承焕生
硅酸盐通报
本文采用质子激发X射线荧光分析(PIXE)技术测试了34个汝官瓷样品、30个蓝色系列钧官瓷样品(不含红釉系列)和17个刘家门窑青瓷样品的主量化学组成含量,根据这些样品的主量化学组成含量数据,应用多元统计分析方法进行分析.结果表明:汝官瓷、钧官瓷和刘家门窑青瓷的釉样品能够较好的区分开;但是3种瓷胎并不能很好的分开.
关键词:
汝官瓷
,
钧官瓷
,
刘家门窑青瓷
,
PIXE
,
因子分析
张雪华
,
赵维娟
,
孙洪巍
,
邱霞
,
孙新民
,
李国霞
,
郭敏
,
谢建忠
,
郭木森
硅酸盐通报
显微结构分析是研究古陶瓷结构和烧制工艺的重要方法.本文选取清凉寺窑汝官瓷样品5片,汝州张公巷窑青瓷样品5片,利用场发射扫描电子显微镜(scanning electron microscope,SEM)观察所选青瓷釉的显微结构,并进一步探讨了两窑的青瓷釉析晶-分相结构,结果表明:清凉寺窑和张公巷窑出土的青瓷釉都具备析晶-分相结构特征,釉的分相结构与钙长石析晶相伴生,分相的形貌有孤立液滴状和三维连通状.从而揭示青瓷釉迷人外观下所隐含的科学规律.
关键词:
清凉寺窑汝官瓷
,
张公巷窑青瓷
,
显微结构
,
析晶
,
分相
刘晓伟
,
郭会斌
,
李梁梁
,
郭总杰
,
郝昭慧
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142904.0548
纯铝薄膜被广泛用作TFT LCD的金属电极,但纯铝薄膜在热工艺中容易产生小丘,对TFT的阵列工艺的良率有较大影响.本文用磁控溅射的方法在不同温度下沉积纯铝薄膜作为薄膜晶体管的栅极,并通过电学检测、扫描电子显微镜和应力测试等方法对不同温度下沉积的纯铝薄膜的小丘生长情况进行了研究.实验结果表明:纯铝成膜温度提高,薄膜的晶粒尺寸增大,退火后产生小丘的密度和尺寸明显降低,温度应力曲线中屈服点温度也相应提高.量产中适当提高成膜温度,可以有效抑制小丘的发生,提高TFT阵列工艺的量产良率.
关键词:
薄膜晶体管阵列工艺
,
磁控溅射
,
纯铝薄膜
,
小丘
,
量产良率
张海
,
于辉
,
姚风臣
,
刘德富
机械工程材料
doi:10.3969/j.issn.1000-3738.2001.06.005
利用逐步回归分析的方法,确定了40MnBH钢的淬透性与化学成分之间的回归方程,以便分析化学成分对淬透性的影响程度,并应用概率论推导出求解成分内控规范的联立方程,使淬透性合格概率大于97.5%.
关键词:
逐步回归
,
淬透性
,
联立方程
,
概率
