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热轧带钢高铬铸铁轧辊表面氧化膜研究与应用

李长生 , 徐建忠 , 刘相华 , 王国栋 , 何晓明 , 孙国良 , 汪长安 , 朝晖

钢铁

为了解决精轧机组轧辊表面氧化膜引起的带钢表面氧化铁皮细孔质量问题,利用扫描电镜、光学显微镜、显微硬度计及能谱仪等对高铬铸铁轧辊表面氧化膜形成及脱落进行了研究,提出了控制氧化膜脱落减少氧化铁皮细孔的方法,在生产实践中收到良好的效果.

关键词: 轧辊 , 氧化膜 , 热轧 , 带钢

洛宁庄金银多金属矿床地质特征及找矿潜力分析

王宏运

黄金 doi:10.11792/hj20150804

庄金银多金属矿床位于熊耳山西段,通过对矿床地质特征及化探异常研究,认为本区金银矿脉分布具有分带性,且与异常分布相吻合,受区内拆离断层和北东向脆性断裂控制,矿床类型为构造蚀变岩型矿床,并对区内找矿标志进行了总结,对区内找矿潜力进行了分析。

关键词: 矿床特征 , 化探异常 , 金银矿床 , 找矿标志 , 找矿潜力 , 庄金银多金属矿床

40MnBH的研究

张海 , 于辉 , 姚风臣 , 刘德富

机械工程材料 doi:10.3969/j.issn.1000-3738.2001.06.005

利用逐步回归分析的方法,确定了40MnBH钢的淬透性与化学成分之间的回归方程,以便分析化学成分对淬透性的影响程度,并应用概率论推导出求解成分内控规范的联立方程,使淬透性合格概率大于97.5%.

关键词: 逐步回归 , 淬透性 , 联立方程 , 概率

2011年度何梁何利基金获奖科学家年轻化突出

中国材料进展

2011年8日下午,何梁何利基金2011年度颁奖大会在京举行。我国高性能计算机领域杰出科学家、国防科技大学杨学军教授荣获“科学与技术成就奖”,丁伟岳等35人获“科学与技术进步奖”,吴朝晖等15人获“科学与技术创新奖”。中共中央政治局委员、国务委员刘延东向大会发来贺信,全国人大常委会副委员长桑国卫、全国政协副主席万钢出席会议并为获奖代表颁奖。何梁何利基金评选委员会主任朱丽兰向大会作工作报告。

关键词: 科学家 , 基金 , 中共中央政治局 , 全国人大常委会 , 突出 , 国防科技大学 , 计算机领域 , 科学与技术

激波内部的导热问题

黄为民 , 刘夷平

工程热物理学报

本文从实际气体有粘流的激波厚度解,用分子运动论讨论了激波内部导热问题,并且通过重组诺流和瑞利流的迭加提出了激波中导热问题的物理模型和相应的定态激波非平衡态不可逆过程的模型.证明了激波是一种负熵流波,是依靠激波波速输运热流的热波.

关键词: 激波 , 导热 , 不可逆 , 非平衡态 , 热波

Hg1-xMnxTe晶片电学参数的测量及分析

王泽温 , 介万奇 , 李宇杰 , 谷智

功能材料

采用德堡法分别在77K和室温下对多个Hg1-xMnxTe晶片的电学性能进行了测量,发现部分晶片在77K下的导电类型为p型,而在室温下却为n型.通过理论分析对此现象进行了解释.分析表明:Hg1-xMnxTe晶片中电子迁移率与空穴迁移率的比值较大和Hg1-xMnxTe的禁带较窄是造成晶片导电类型转变的主要原因.对所测其它电学参数的理论分析表明德堡法不适合用于Hg1-xMnxTe晶片室温时的载流子浓度和迁移率的测量,但仍可用其对晶片室温时的电阻率和霍尔系数进行测量.

关键词: Hg1-xMnxTe , 德堡法 , 导电类型 , 霍尔系数

二维石墨烯/h-BN异质结构负热膨胀性质的理论研究

武明义 , 孙强 , 贾瑜 , 梁二军

中国材料进展 doi:10.7502/j.issn.1674-3962.2015.07.04

二维材料由于存在“膜效应”,即在垂直于薄膜方向的热涨落,使得沿着二维薄膜面内方向出现反常的负热膨胀现象.这种热效应对薄膜的稳定性及电子性质可产生重要影响.基于第一性原理计算和准谐近似,系统地研究了二维单层石墨烯、h-BN和石墨烯/h-BN异质结构的电子、声子以及热膨胀性质,计算了3种结构不同振动模式的格林奈森参数,讨论了引起这3种结构负热膨胀的振动模式.计算表明,由于垂直薄膜方向的热振动,石墨烯和h-BN在薄膜面内均具有较大的负热膨胀系数;它们形成的异质结构依靠弱的德瓦尔斯相互作用结合在一起,这种层间弱相互作用对薄膜垂直方向的热振动产生影响,使得形成的异质结构的负膨胀系数介于石墨烯和h-BN之间.通过分析异质结构的振动模式,发现引起面内热收缩的ZA振动模式受到了层间德瓦尔斯相互作用影响,导致异质结构的负热膨胀系数大于石墨烯而小于h-BN.研究表明,可以在实验中通过德瓦尔斯相互作用来改变层状结构材料的负热膨胀性质,从而提高薄膜材料结构和电子性质的热稳定性.

关键词: 石墨烯 , h-BN , 负热膨胀 , 格林奈森参数 , 德瓦尔斯相互作用

Bi2Te3与SnBi2Te4的电子结构与热电性能研究

闵新民 , 朱磊 , 邢学玲

功能材料

用离散变分密度泛函分子轨道方法(DFT-DVM)和线性扩展平面波能带方法(LAPW)计算了Bi2Te3与SnBi2Te4,讨论了电子结构与热电性能之间的关系.Te(Ⅱ)-Bi离子键强度和Te(Ⅰ)-Bi差别不大,而Te(Ⅱ)-Bi共价键比Te(Ⅰ)-Bi强.Te(Ⅰ)-Te(Ⅰ)原子层之间的主要相互作用是得华力而最弱.Bi2Te3掺Sn后Te-Bi离子键增强而共价键减弱,且费米能级处带隙变小.Sn主要影响导带结构.

关键词: 碲化铋 , 掺杂 , 电子结构 , 热电性能

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