于灵敏
,
祁立军
,
范新会
,
刘建刚
,
严文
机械工程材料
doi:10.3969/j.issn.1000-3738.2005.04.008
在外加电场的条件下,利用物理热蒸发法制备出定向排列的非晶硅纳米线,借助扫描电镜、X射线能谱分析仪和透射电镜等对硅纳米线进行了研究.结果表明:定向排列的硅纳米线以两种形式存在,一种是分散的平行排列,另一种是象麻花状的定向排列.同时,硅纳米线一般都处在两个结点之间;当电场不稳定时,可得到部分分叉的硅纳米...
关键词:
硅纳米线
,
定向排列
,
外加电场
于灵敏
,
范新会
,
岳苗
,
祁立军
,
严文
功能材料
以不同金属掺杂的ZnO纳米线为气敏材料,在350℃下对不同浓度的H2气体进行了气敏性能测试.结果表明,掺杂Ag的ZnO纳米线在H2浓度为2.52×10(-3)时具有较高的气体灵敏度28.549.同时,利用Origin软件对测得的气敏性能曲线进行线性拟合,对未知的H2浓度进行了有效判定.还对金属掺杂提...
关键词:
ZnO纳米线
,
气体灵敏度
,
气体浓度
,
线性拟合
陈建
,
严文
,
苗健
,
彭渝莉
,
范新会
稀有金属材料与工程
采用TEM系统分析了OCC技术制备的单晶铜线材在冷拔过程中形成的位错胞、几何必须界面以及孪晶,发现当真应变小于0.94时,冷拔单晶铜线材的微观组织为位错胞.当真应变大于0.94时,其微观组织主要包括位错胞和几何必须界面两类组织.其中位错胞沿冷拔方向拉长,横界面上为等轴状.随变形量的增加,位错胞尺寸减...
关键词:
单晶铜线材
,
冷拔变形
,
位错胞
,
几何必须界面
,
孪晶
李炳
,
李艳红
,
王鑫
,
范新会
,
严文
表面技术
doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2011.03.005
单晶铜线材具有优异的力学、电学性能,但其表面易氧化,影响外观和表面质量.以聚氨酯、甲苯二异氰酸酯(TDI)、环氧树脂E-20为原料,制备出一种新型的单晶铜线材表面防氧化涂料,并对涂料的各项性能进行了测试.测试结果表明:所研制的涂料具有良好的力学性能和耐腐蚀性能,将其涂覆于单晶铜线材表面,在室温下能有...
关键词:
单晶铜线材
,
表面氧化
,
聚氨酯
,
表面防护
范新会
,
蔡英文
,
魏朋义
,
李建国
,
傅恒志
材料研究学报
利用自制的小型单晶连铸设备,成功的制造出自径8mm,长8—10m的单晶Al线材.该技术的关键是用一个加热铸型和一个与之分离的冷却器代替传统连铸中的水冷结晶器使加热铸型内壁温度保持在熔点以上某一温度,避免型壁形核,同时在冷却器与铸型出口之间造成一个轴向温度梯度,形成定向凝固条件铸锭在离开铸型出口后的一...
关键词:
连续铸造单晶金属
,
null
,
null
,
null
张克良
,
范新会
,
于灵敏
,
马雪红
,
严文
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2007.03.022
采用物理热蒸发ZnS粉的方法,制备出了大规模的线状和棒状ZnO纳米结构.借助扫描电子显微镜、透射电子显微镜、激光拉曼光谱仪以及荧光光谱仪研究了ZnO纳米线的表面形貌、内部结构及其光学性能.结果表明,所得到的ZnO纳米线是六方的单晶结构,而且具有较好的发光性能和良好的结晶性.纳米线长约2～5μm,直径...
关键词:
热蒸发法
,
氧化锌纳米线
,
光学性能
陈建
,
严文
,
范新会
,
刘海明
兵器材料科学与工程
doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2003.02.008
根据晶界的电阻率大于晶界两侧晶粒的电阻率,提出晶界对传输信号影响的电容模型.通过不同温度退火,得到含晶界数不同的铜导线,将含不同晶界数的铜导线制备成标准的高保真同轴电缆,并测量其电容值以及损耗正切值.测量结果表明:导线的电容值以及正切损耗值随晶界数的增加而降低,其数值关系满足关系式.垂直于信号传输方...
关键词:
晶界
,
电容
,
失真度
,
电阻率
于灵敏
,
朱长纯
,
岳苗
,
范新会
,
祁立军
功能材料
利用浸渍法将ZnO纳米线浸渍于AgNO3溶液中制备了Ag 掺杂的ZnO纳米线.借助X射线衍射仪(XRD)和场发射扫描电子显微镜(FESEM)对纳米线的晶体结构和形貌进行了表征.结果表明纳米线既含面心立方结构的Ag又含有六方纤锌矿结构的ZnO.三维网络结构的ZnO纳米线被一层致密的Ag颗粒包裹并在其表...
关键词:
掺杂
,
ZnO纳米线
,
气敏传感器
刘建刚
,
范新会
,
陈建
,
于灵敏
,
严文
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2005.04.030
研究发现,热蒸发铜粉即可在硅衬底上直接生长出硅纳米线.场发射电子扫描电镜和透射电镜分析表明,纳米线的形貌、结构及生长机制,随沉积区域的不同而变化.在高温沉积区,硅纳米线高度弯曲且相互缠绕,按气-液-固机制生长;在低温沉积区,高度定向生长的直硅纳米线,规整地排列在硅衬底表面,其生长机制是氧化辅助生长机...
关键词:
热蒸发
,
硅纳米线
,
气-液-固机制
,
氧化辅助生长机制
