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新型TFT-LCD黑矩阵的细线化研究

靳福江 , 卢兵 , 朱凤稚 , 罗峰 , 柳星 , 代伟男 , 刘华 ,

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20142904.0521

介绍了新型TFT LCD黑矩阵细线化研究.在原有工艺设备的基础上,突破设备局限和工艺瓶颈,通过引入相掩膜技术和背面曝光设备,达到进一步减小黑矩阵线宽的效果.实验测试结果显示:在普通掩膜板设计上应用相位移掩膜板技术,降低透光区边缘衍射和散射现象,使曝光后黑矩阵线宽降低1.0~1.5 μm.在原有工艺基础上添加背面曝光工艺,使黑矩阵材料在显影后进行背面曝光预固化,改善黑矩阵图形形貌,进一步减小黑矩阵线宽达到0.3~0.5 μm.通过新工艺和新设备的引入和应用,黑矩阵线宽整体降低1.5~2.0 pm,达到5.0~5.5 μm,可以满足目前高PPI(单位面积像素个数)产品对透过率和对比度要求.

关键词: 黑矩阵 , 线宽 , 相位移掩膜板 , 背面曝光

含有柱状隔垫物彩膜基板的剥离技术

靳福江 , 王在清 , , 刘阳升 , 曾望明

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20132802.0220

介绍了一种含有柱状隔垫物彩膜基板的剥离技术.采用层数顺序方法,两步剥离工艺.第一步,采用剥离液,进行260 s,迅速剥离柱状隔垫物层;第二步,刻蚀液进行650 s和剥离液进行650 s共同作用,先后剥离玻璃基板上透明导电氧化铟锡层、颜色层,挡光层.使之剥离后成为可以再次利用的干净白玻璃.

关键词: 剥离技术 , 柱状隔垫物层 , 金属氧化铟锡 , 刻蚀液 , 剥离液

洛宁庄金银多金属矿床地质特征及找矿潜力分析

王宏运

黄金 doi:10.11792/hj20150804

庄金银多金属矿床位于熊耳山西段,通过对矿床地质特征及化探异常研究,认为本区金银矿脉分布具有分带性,且与异常分布相吻合,受区内拆离断层和北东向脆性断裂控制,矿床类型为构造蚀变岩型矿床,并对区内找矿标志进行了总结,对区内找矿潜力进行了分析。

关键词: 矿床特征 , 化探异常 , 金银矿床 , 找矿标志 , 找矿潜力 , 庄金银多金属矿床

40MnBH的研究

张海 , 于辉 , 姚风臣 , 刘德富

机械工程材料 doi:10.3969/j.issn.1000-3738.2001.06.005

利用逐步回归分析的方法,确定了40MnBH钢的淬透性与化学成分之间的回归方程,以便分析化学成分对淬透性的影响程度,并应用概率论推导出求解成分内控规范的联立方程,使淬透性合格概率大于97.5%.

关键词: 逐步回归 , 淬透性 , 联立方程 , 概率

冷轧带钢板形测量方法对比分析

于丙强 , 杨利坡 , 高朋

钢铁

板形是衡量冷轧带钢产品级别的重要指标,在实际生产过程中,因其数量级极小(10-5),难以准确测量和定量评价,因此选择合理的板形检测方法,建立有效的板形检验制度,对于提高板形检测精度、实现板形定量控制以及改善轧机的板形控制特性至关重要.基于板形基本定义,推导了板形与波浪度(或急度)之间的相互转换关系,阐述了板形测量方法的基本步骤和注意事项.对比分析在线和离线2种测量结果,平均误差在±3I以内,部分误差在±1I以内.

关键词: 板形测量 , 板形指标 , 波浪度 , 冷轧带钢 , 冷轧机

基于轧辊凸度优化的冷轧平整机边浪控制技术

孙珏璐 , 林潇 , 张立元

中国冶金 doi:10.13228/j.boyuan.issn1006-9356.20160152

冷轧平整机对成品带钢板形具有直接且重要的影响.针对宝钢某平整机组出口带钢板形普遍存在的边浪缺陷,通过有限元仿真对不同支撑辊辊形进行对比分析,确定在凸度倒角辊形基础上对双机架支撑辊凸度进行试验优化,以增强平整机板形调控能力.经上机试验验证,双机架支撑辊凸度优化后边浪浪高指标改善22.14%,边浪急度指标改善41.67%,取得了明显的应用效果及经济效益.

关键词: 冷轧平整机 , 边浪 , 辊形优化 , 支撑辊 , 有限元仿真

激波内部的导热问题

黄为民 , 刘夷平

工程热物理学报

本文从实际气体有粘流的激波厚度解,用分子运动论讨论了激波内部导热问题,并且通过重组诺流和瑞利流的迭加提出了激波中导热问题的物理模型和相应的定态激波非平衡态不可逆过程的模型.证明了激波是一种负熵流波,是依靠激波波速输运热流的热波.

关键词: 激波 , 导热 , 不可逆 , 非平衡态 , 热波

Hg1-xMnxTe晶片电学参数的测量及分析

王泽温 , 介万奇 , 李宇杰 , 谷智

功能材料

采用德堡法分别在77K和室温下对多个Hg1-xMnxTe晶片的电学性能进行了测量,发现部分晶片在77K下的导电类型为p型,而在室温下却为n型.通过理论分析对此现象进行了解释.分析表明:Hg1-xMnxTe晶片中电子迁移率与空穴迁移率的比值较大和Hg1-xMnxTe的禁带较窄是造成晶片导电类型转变的主要原因.对所测其它电学参数的理论分析表明德堡法不适合用于Hg1-xMnxTe晶片室温时的载流子浓度和迁移率的测量,但仍可用其对晶片室温时的电阻率和霍尔系数进行测量.

关键词: Hg1-xMnxTe , 德堡法 , 导电类型 , 霍尔系数

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