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不同应力下的InxGa1-xAs薄膜表面形貌

郭祥 , 王一 , 魏文喆 , 黄梦雅 , 赵振 , 王继红 , 胡明哲 , 丁召

材料导报 doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.02.005

利用分子束外延技术,通过反射式高能电子衍射仪实时监控InGaAs薄膜生长状况,在InAs(001)基片上生长In0.86Ga0.14As,在GaAs(001)基片上生长In0.14 Ga0.86As(厚度均为20原子层)单晶薄膜.采用扫描隧道显微镜对原位退火后的InGaAs样品进行扫描,发现不同组分的InGaAs呈现不同的表面形貌.虽然生长的初始表面都是原子级平坦,但是由于晶格常数差异触发不同类型的表面应力,促使In0.14Ga0.86 As/GaAs薄膜中台阶边缘平滑扭曲,而在In0.86Ga0.14As/InAs薄膜表面台阶却呈锯齿状;同时,由于不同类型表面应力的作用,低In组分薄膜形成更多的二维(2D)岛.

关键词: MBE , InGaAs , 表面形貌

工艺因素对Bi2O3、MnO2掺杂[(Pb,Ca)La](Fe,Nb)O3陶瓷体系微波介质性能的影响

胡明哲 , 周东祥 , 黄静 , 姜胜林 , 王浩 , 章天金 , 顾豪爽

功能材料

研究了烧结工艺对Bi2O3及MnO2掺杂[(Pb0.5Ca0.5)0.92 La0.08](Fe0.5 Nb0.5)O3陶瓷体系显微结构及介电性能的影响.研究表明Bi2O3及MnO2的加入可降低体系的烧结温度100～140℃,同时提高体密度.XRD图谱、SEM及微波介电性能证明950℃是最佳的煅烧温度.烧结温度对晶粒形貌有显著影响,随烧结温度的增加晶粒尺寸不断增加,但超过一定值后不断减小的气孔率又会增加.当掺杂物的质量比(Bi2O3/MnO2)K=1,掺杂物质量百分含量W=1%,烧结条件为1050℃,保温4h,体系微波介电性能可达:εr=91.1,Qf=4870GHz,τf=1.85×10-5/℃.

关键词: 低温烧结 , 掺杂 , 显微结构 , 微波介电性能

超磁致伸缩单晶微位移致动器特性研究

王昌 , 李强 , 李银祥 , 张一玲 , 胡明哲

材料开发与应用 doi:10.3969/j.issn.1003-1545.2002.03.005

采用高性能Tb0.3Dy0.7Fe2单晶材料,通过优化微位移致动器的机械、磁路参数,研制出了具有非水冷结构的新型微位移致动器.致动器的最大线性工作区间为0.5～35.5μm,工作电压为2～24V,饱和驱动量可达39.5μm.

关键词: 超磁致伸缩 , Tb0.3Dy0.7Fe2 , 微位移致动器

新型微位移致动器的研究

王昌 , 李强 , 李银祥 , 张一玲 , 胡明哲

机械工程材料 doi:10.3969/j.issn.1000-3738.2003.01.010

用提拉法磁悬浮冷坩埚技术生长的RFe2(Tb03Dy0.7Fe195)单晶材料,其室温下的饱和磁致伸缩系数λs可达2 ×10-3以上,优于同成分的定向结晶材料.采用自制的高性能RFe2单晶材料,通过优化微位移致动器的机械、磁路参数,研制出具有非水冷结构的新型微位移致动器.

关键词: 磁致伸缩 , Tb-Dy-Fe , 微位移致动器

AlN薄膜体声波谐振器研究

李位勇 , 顾豪爽 , 张凯 , 胡明哲 , 胡光

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.05.016

采用一维Mason模型,研究了体声波谐振器的频率特性,探讨了压电薄膜AlN和上电极膜厚对谐振频率的影响,压电参数d33及压电薄膜与电极的厚度比率对机电耦合系数的影响,同时研究了谐振区域的面积和声能在衬底中的损耗对品质因数的影响.测量的体声波谐振器频率特性曲线与模拟结果吻合的较好.

关键词: 体声波谐振器 , Mason模型 , 压电薄膜 , 频率特性

高介电常数微波介质陶瓷的研制及其同轴型滤波器的仿真

罗春娅 , 黎慧 , 顾豪爽 , 马智超 , 胡明哲

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.04.001

本文研制了一种由双镧系元素组成的BaO-Ln2O3-TiO2(BET)系高介电常数、低损耗材料,并以该材料为基础,设计并研究了其独石型同轴滤波器.滤波器采用新颖的凹槽式电感耦合和一端金属面短路的λ/4结构.利用HFSS高频仿真软件对该滤波器的传输特性进行了仿真,表明其具有中心频率为1.83GHz、带宽43MHz、插入损耗小于0.5dB、带内纹波为1.5dB的优异的通带特性.

关键词: BLT系微波介质材料 , 同轴型带通滤波器 , 耦合结构 , HFSS仿真