杨曜源
,
李卫
,
张力强
,
蔡以超
,
王向阳
,
肖红涛
,
田鸿昌
,
东艳萍
,
方珍意
,
郝永亮
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.01.020
本文报道了用化学气相沉积(CVD)法生长ZnS透明多晶体的实验结果,对生长的晶体的物理化学性能进行了测试,讨论了化学气相沉积工艺中影响ZnS晶体质量的因素.结果表明:选用固体硫作原料,用化学气相沉积方法,可以沉积出透明ZnS多晶体;它的透过性能极其优异,在6.2μm处无吸收峰,在中、长波红外透过率可达70%以上.
关键词:
化学气相沉积法
,
硫化锌
,
红外材料
杨曜源
,
蔡以超
,
东艳苹
,
张力强
,
王向阳
,
肖红涛
,
田鸿昌
,
李卫
,
郝永亮
,
方珍意
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.02.026
本文报道了CVD法制备ZnS晶体的制备工艺,系统地研究了气体流量、工作气压、基板温度等主要工艺参数对沉积速率的影响规律.实验表明,随着H2S(s)/Zn摩尔流量比的增加,沉积速率逐渐增大;基板温度升高,沉积速率加快;工作气压增大,沉积速率变化不大.在本实验研究的条件下认为,采用合适的H2S(s)/Zn摩尔流量比和沉积温度,在较低的工作气压下生长晶体,能保证较稳定的沉积速率,生长出高质量的晶体.
关键词:
红外材料
,
ZnS
,
CVD
,
沉积速率
周育先
,
方珍意
,
潘伟
,
杨曜源
,
张力强
,
王向阳
,
肖红涛
稀有金属材料与工程
以单质Zn,Se和H2为原料,采用低压化学气相沉积方法在温度为630℃～750℃,压力为300Pa～1000 Pa条件下制备出了性能优异的ZnSe多晶材料.性能测试表明,制备出的CVD ZnSe多晶材料在0.55 μm～22 μm,及8μm～14μm波段的平均透过率超过70%(1 mm厚),在3.39μm处的应力双折射为54 nm/cm.其光学透过性能与美国采用Zn和H2Se气体为原料制备出的CVD ZnSe多晶非常接近.
关键词:
ZnSe
,
红外
,
化学气相沉积
,
CVD
,
透过
王向阳
,
方珍意
,
蔡以超
,
张力强
,
肖红涛
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.02.025
采用单质Se为原料(Zn-Se-H2-Ar体系)来生长CVD ZnSe,初步分析了这种工艺的机理,并详细分析了各种工艺参数对生长ZnSe的影响.这些工艺参数包括沉积腔的温度和压力,Zn坩埚和Se坩埚的温度,各路载流气体的流量.对这些工艺参数进行调整和精确控制,并控制好Zn蒸气和Se蒸气气嘴处的ZnSe生长形态,生长出了质量良好的ZnSe多晶体,透过率超过70%.
关键词:
化学气相沉积
,
硒化锌
,
工艺分析
方珍意
,
潘伟
,
祝海峰
,
张力强
,
肖红涛
,
李子涛
稀有金属材料与工程
分别用真空热压、H2S模式的化学气相沉积以及S模式的化学气相沉积3种工艺方法制备了红外透过性能良好的ZnS材料.比较了不同的工艺过程对ZnS显微结构的影响,并且分析了不同制备方法形成的缺陷对光学性能的影响.探讨了热等静压工艺改善光学性能的原因和机理.透过谱图的测试表明,S模式的化学气相沉积法制备的ZnS具有最高的可见光至远红外的透过率.对3种方法制备的ZnS分别进行了热等静压后处理,发现对材料的光学透过性能都有不同程度的提高.
关键词:
ZnS
,
真空热压
,
化学气相沉积
,
H2S模式
,
S模式
崔洪梅
,
滕祥红
,
钱纁
,
肖红涛
,
张旭
人工晶体学报
对利用化学气相沉积(CVD)制备的ZnS/ZnSe复合材料进行了显微结构和光学性质的测试和分析.研究表明,热等静压过程使得CVD ZnS/ZnSe晶体内部晶粒尺寸明显增大,减少或消除了内部缺陷,提高了材料的光学透过率.
关键词:
化学气相沉积
,
ZnS/ZnSe复合材料
,
热等静压
,
光学透过率
钱纁
,
滕祥红
,
肖红涛
,
崔洪梅
硅酸盐通报
对经热等静压(HIP)处理前后的S模式CVDZnS进行了光学和力学测试和分析.研究表明,热等静压过程使得CVDZnS的光学性能,特别是可见光及近红外波段的透过率有了很大提高,同时减少了材料内部缺陷,但材料力学性能有所降低.
关键词:
S模式CVDZnS
,
热等静压
,
光学透过率
,
力学性能
滕祥红
,
崔洪梅
,
高明
,
钱纁
,
肖红涛
,
张旭
硅酸盐通报
本文主要通过对CVDZnS表面进行不同的表面处理技术后经二次沉积ZnSe制备了ZnS/ZnSe复合材料,研究了ZnS/ZnSe复合材料的两相界面结合机理以及对红外透过率的影响.结果表明:采用等离子清洗后的ZnS有利于两相界面的结合,通过在ZnS表面刻蚀处理使两相界面形成牢固的镶嵌结构,有利于提高两相界面的结合强度.
关键词:
ZnS
,
ZnSe
,
界面
,
结合
王向阳
,
钱(纁)
,
蔡以超
,
何莉
,
肖红涛
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.04.028
本文详细分析了用单质硫或单质硒为原料,在Zn-S-H2-Ar体系或Zn-Se-H2-Ar体系中化学气相沉积生长 ZnS和ZnSe晶体所发生的化学反应,认为在这两种化学气相沉积过程中所发生的化学反应是以锌蒸汽与硫或硒蒸汽反应来实现的.计算出了上述反应的△H、△S和△G这些热力学函数,并将该△G与采用H2S气体(Zn-H2S-Ar体系)和H2Se气体(Zn-H2Se-Ar体系)为原料的CVD ZnS和ZnSe做了对比.实验结果表明,以单质Se为原料生长的CVD ZnSe比以H2Se为原料的CVD ZnSe的努普硬度有显著的提高.
关键词:
CVD
,
ZnS
,
ZnSe
,
化学反应
陈化宝
,
陈林森
,
肖红涛
钢铁研究
对理论燃烧温度公式进行修正,从而更加准确的研究了高炉超高富氧对理论燃烧温度的影响。并计算出富氧、鼓风湿度、喷煤量与理论燃烧温度所对应的关系。在不考虑其他因素对理论燃烧温度影响的前提下,富氧率每增加1%,理论燃烧温度Tf升高约30.6℃;鼓风湿度每提高1%,Tf降低4.6℃;喷煤量每提高10 kg/t,Tf降低约6℃。计算结果为提高理论燃烧温度提供了一定的参考价值。
关键词:
超高富氧
,
理论燃烧温度
,
鼓风湿度
,
喷煤
