苏波
,
崔大付
,
耿照新
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.04.007
采用Protel软件绘制微流控沟道的形状,利用电路板制作技术加工出模具.该芯片由PDMS基片和PDMS盖片组成,微流控沟道位于基片上,深度和宽度分别为75μm和100μm,由盖片对其进行密封.考察了有绝缘漆模具和无绝缘漆模具制作的芯片的电泳分离情况.在所制作的PDMS微流控电泳芯片上对用异硫氰酸酯荧光素标记的氨基酸进行了电泳分离,当信噪比S/N=3时,最小检测浓度达到0.8×10-11mol/L.
关键词:
电路板
,
制备
,
微流控电泳芯片
,
分离
李铸国
,
华学明
,
吴毅雄
,
三宅正司
金属学报
用诱导型等离子体辅助磁控溅射装置在Si(100)表面低温沉积TiN膜, 研究了高密度低能量(≈20 eV)离子束辅照对溅射镀TiN膜生长、结构和性能的影响。结果表明, 高密度低能离子束辅照会改变TiN膜的择优生长方向并使薄膜致密化。即使沉积温度低于150℃, 当入射基板离子数和Ti原子数的比值J/JTi≥4.7时, 沉积的TiN膜仍可具有完全的(200)面择优生长, 薄膜微观结构致密, 硬度达到25GPa, 残余压应力小。
关键词:
TiN薄膜
,
null
,
null
李铸国
,
华学明
,
吴毅雄
,
三宅正司
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2005.10.016
用诱导型等离子体辅助磁控溅射装置在Si(100)表面低温沉积TiN膜,研究了高密度低能量(≈20 eV)离子束辅照对溅射镀TiN膜生长、结构和性能的影响.结果表明,高密度低能离子束辅照会改变TiN膜的择优生长方向并使薄膜致密化.即使沉积温度低于150℃,当入射基板离子数和Ti原子数的比值Ji/JTi≥4.7时,沉积的TiN膜仍可具有完全的(200)面择优生长,薄膜微观结构致密,硬度达到25 GPa,残余压应力小.
关键词:
TiN薄膜
,
物理气相沉积(PVD)
,
择优取向
,
离子照射
凌霄
,
王艺
,
宇波
,
张劲军
,
王凯
,
达鑫
工程热物理学报
针对新大线同沟敷设管道,采用非结构化有限容积法,分析了不同的物性条件下,常温输送原油对加热输送原油的热力影响.
关键词:
同沟敷设
,
新大线
,
热力分析
,
数值模拟
,
有限容积法
秦润华
,
姜炜
,
刘宏英
,
李凤生
材料导报
纳米磁靶向复合材料将纳米技术和磁靶向技术有机结合起来,借助纳米磁性材料的奇异特性,在肿瘤的磁靶向治疗领域具有很大的应用潜力而备受关注.介绍了纳米磁靶向复合材料的组成、制备及应用于肿瘤磁靶向治疗中的研究进展,并对其发展前景进行了展望.
关键词:
纳米
,
磁靶向
,
复合材料
