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ZnO纳米棒的电致发光研究

, 阮永丰 , 张灵翠 , 刘雅丽 , 邱春霞

人工晶体学报

采用化学浴沉积法在ITO导电玻璃衬底上制备了ZnO纳米棒膜层,构建了无绝缘层和添加Alq3为绝缘层的两类ZnO发光器件,测试和比较了两类器件的光致发光与电致发光特性.结果表明,在ZnO和Alq3混合体系的PL谱中,观察到ZnO的380nm发光减弱而Alq3的520 nm发光增强,这表明在ZnO的激子态和Alq3分子之间发生了能量转移.ZnO纳米棒的EL谱表现为随机激光,这主要是由于光在纳米棒内谐振,及纳米棒长短不一、阵列不整齐所致.加入Alq3后,器件的Ⅰ-Ⅴ曲线上出现了约为1.6V的阈值电压,工作电压由30 V降为18 V,且器件的发光颜色由黄绿区移到蓝紫区.

关键词: ZnO纳米棒 , 电致发光 , 随机激光

Li掺杂对ZnO薄膜的晶体结构和光学性能的影响

刘雅丽 , 阮永丰 , , 张灵翠 , 邱春霞

人工晶体学报

采用溶胶-凝胶法在氧化铟锡(ITO)导电玻璃基底上制备了不同掺杂浓度的Li∶ZnO薄膜,并且利用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见-近红外分光光度计(UV-VIS-NIR)、荧光光谱仪(PL)多种测试手段研究了不同掺锂浓度对ZnO薄膜的结构形貌、晶格常数、禁带宽度以及光致发光的影响.结果显示,Li的掺入导致ZnO薄膜的晶格常数减小,同时禁带宽度也减小.光致发光谱表明,掺Li后的ZnO薄膜的可见光发光峰由绿光发光峰和黄光发光峰组成,并且发生红移.我们认为,黄光发射可能是电子由单电离氧空位VO+到缔合缺陷LiZnVO的跃迁引起的,并且提出了缔合缺陷LiZnVO的结构模型.

关键词: Li∶ZnO薄膜 , 溶胶-凝胶法 , 禁带宽度 , 光致发光 , 缔合缺陷

不良分析及改善对策研究

艾雨 , 蒋学兵

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20153004.0566

通过对大量残不良样品进行分析,找到了残不良产生的原因,并基于分析结果设计了改善残的实验.通过分析发现:残不良产生的原因是彩膜侧像素与黑矩阵之间的段差过大,在摩擦工程时段差过大区域形成了摩擦弱区,摩擦弱区内的液晶分子配向较弱,导致不良产生.为降低残不良进行实验,结果显示:在彩膜侧加覆盖层可以有效降低残不良的发生率,但不适用于量产;通过采用高预倾角的配向膜材料,同时控制配向膜工程到摩擦工程的时间,可使残不良发生率由28.2%降低至0.2%,为企业的稳定高效生产奠定了基础.

关键词: , 扭曲向列型 , 预倾角 , 面板

应用先验插值校正 CT 金属伪

李铭 , 卢彦飞 , 袁刚 , 吴中毅 , 张涛

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20153006.1032

针对 CT 系统在实际应用中出现的金属伪问题,提出一种基于先验插值的金属伪校正算法。文中通过预滤波、骨骼分割和软组织恢复步骤计算先验图像,并利用先验图像的正向投影对原始投影中的金属投影区进行插值校正。应用该算法对数值仿真图像和临床 CT 图像分别进行了校正重建实验。数值仿真实验表明,用提出算法校正的结果比线性插值金属伪校正算法、归一化金属伪校正算法校正的结果更接近理想体模。临床数据实验表明:该算法的重建结果有效抑制了金属伪,清晰重建出金属边缘细节,极大地提高了重建图像的质量。

关键词: 金属伪 , 先验图像 , 预滤波 , 软组织恢复

TFT-LCD残不良的研究与改善

范恒亮 , 汤展峰 , 刘利萍 , 李静 , 黄静 , 刘岩龙

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20163103.0270

影像残留是TFT-LCD,特别是TN型产品常见的不良,对产品良率影响很大.本文从产品设计、工艺参数、工艺管控3个方面对残进行分析.发现产品设计时Data线两侧段差过大,是导致残发生的主要原因,通过增加配向膜厚度和摩擦强度值可以有效降低残,实验得出配向膜膜厚高于110 nm,摩擦强度高于5.5N,m时无残发生.通过控制配向膜工程与摩擦工程间的延迟时间在5h,摩擦工程与对盒工程间的延迟时间在10 h,并且严格管控ITO偏移量可以有效减少Panel内部电场,从而降低残.通过以上措施,对于15.6HD产品,良率提升了10%,为企业高效生产奠定基础.

关键词: , 扭曲向列型 , 配向弱区 , 内部电场

及对比度异常在LCOS的解决方法

李任鹏 , 颜莉华

功能材料与器件学报

根据LCOS显示原理,结合实际生产中遇到的状况,介绍了解决LCOS残及对比度异常的方法,为实际生产中解决同类异常提供了依据.

关键词: LCOS , , 对比度

十八辊轧机带材表面条状隐控制方法研究

尤磊 , 徐利璞 , 苏明 , 黄煜

上海金属

分析了十八辊轧机带材表面条状隐产生的原因,在建立侧推力计算模型基础上,提出减小侧推力的方法.利用有限元方法对侧支撑辊、工作辊及带材的受力分布情况进行了分析,排除了作用在带材上不均匀分布的力导致的条状隐.最后给出了该问题治理方案,效果理想.

关键词: 十八辊轧机 , 背衬轴承 , 条状阴影 , 侧推力 , 摩擦热

STN-LCD残显示的原理分析及实验研究

李永忠 , 纪伟丰 , 周炎宏

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20112606.0733

影像残留显示现象存在于各类LCD中,大多为离子效应所引起.针对这一问题,分析了不同配向膜对自由离子电荷的吸附情况,以及选用合适的配向膜搭配不同液晶材料、盒内自由离子电荷的浓度情况等对残显示的影响.实验发现,选用合适的配向膜,增加重配向时间,有利于消除残现象;在一定配向膜基础上,选用低阈值液晶或选用添加抗静电剂液晶,更容易消除残现象.不过,在实际运用中,重配向时间的增加会影响液晶陡度;低阈值液晶会使液晶陡度变差同时使响应速度变慢,且容易出现显示不均;抗静电剂液晶也会导致显示不均.因此在实际运用中,必须平衡以上各条件,才能在不影响其他性能前提下,更有效地改善残现象,提高STN-LCD的显示质量.

关键词: 超扭曲向列相液晶显示器 , 显示 , 离子效应

配向膜材料与面残的关联性研究

刘晓那 , 宋勇志 , 徐长健 , 周波 , 马国靖 , 陈松飞 , 袁剑峰 , 林承武 , 邵喜斌

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20142903.0317

利用mini-cell作为评价平台,从配向膜材料自身特性角度,对配向膜材料与面残之间的关联性进行了综合研究.一方面,配向膜材料自身优异的稳定性有助于维持电压保持率(VHR);另一方面,配向膜材料自身的低电阻率特性有助于存储电荷的释放,利于实现较低的残余电流(RDC).而当配向膜材料的RDC和高低温间VHR变化值同时处于较低水平时,可以获得面残水平较低的TFT-LCD模块.因此,利用mini-cell对配向膜材料进行评估,通过比较RDC以及△VHR数值,可以间接实现对TFT-LCD的残结果评估,为实际生产中产品残的改善提供了基础理论指导,具有重要的指导性作用.

关键词: 配向膜 , 电压保持率 , 残余电流 ,

基于使用负性液晶的边沿场切换模式的局部残分析

许雅琴 , 苏子芳 , 钟德镇 , 关星 , 刘英明

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20153003.0399

随着液晶显示技术的发展,PPI越来越高,像素尺寸越来越小,穿透率的提升是一重要问题。负性液晶相对正性液晶具有高穿透率,较好的画面画质及较低的颜色偏差等优点,使得主流显示模式 IPS、FFS使用负性液晶研究逐渐增多。但由于负性液晶自身特性,其影像残留较正性液晶更为严重,特别是模组粘合附近区域的局部面残。为了改善负性液晶局部影像残留,本文研究了实际样品影像残留严重区域与轻徽区域不同测量数据,如温度、共电压(Vcom )等,发现影像残留严重区域与轻徽区域的公共电压出现漂移现象,分析了影响残的因素,并提出改善方案,实测结果证明本文改善局部残的方法是有效的。

关键词: 负性液晶 , , 公共电极电压

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