欧毅
,
李大勇
,
刘明
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.01.006
LCoS中像素有源驱动电路受到光照后会在p-n结上产生光生漏电流,而光生漏电流的产生会引起LCoS的图像对比度退化,直接影响其成像质量.从光学和半导体器件物理两方面出发,分析了光生漏电流的产生机理,指出了影响漏电流大小的主要因素是入射光功率和挡光层的厚度.以Al膜作为挡光层材料,实际测量了不同厚度Al膜在可见光范围内的反射率,并在测量数据的基础上分别计算了不同情况下的光生电流的大小.当Al膜厚度为50 nm时,光生电流最大仅为5.15×10-10A,可以抑制光生漏电流的产生,满足了LCoS的实际使用时的要求.
关键词:
LCoS
,
p-n结
,
光生漏电流
,
挡光层
韦志仁
,
强勇
,
彭翔宇
,
高平
,
董国义
人工晶体学报
采用气相反应制备了ZnO和ZnO∶Co微晶,并通过热释光研究了材料中的电子陷阱能级(施主能级),采用微波介电谱研究了材料的光生电子瞬态过程.发现纯ZnO热释光谱有两个峰,分别为-183 ℃和-127 ℃,说明存在两个电子陷阱能级;而ZnO∶Co中热释光信号很弱,只有纯ZnO的十分之一.微波介电谱研究表明,由于电子陷阱对导带电子的驰豫作用,纯ZnO材料导带光电子的衰减为一级指数过程,寿命为802 ns.ZnO∶Co微晶体的最大微波介电谱强度低于纯ZnO晶体的五分之一,电子陷阱密度较小,其光生电子快速衰减,过程仅为10~20 ns.结果说明Co掺杂具有明显的抑制电子陷阱能级生成的作用.
关键词:
ZnO
,
电子陷阱
,
掺杂
,
光生电子
王美丽
,
王文广
,
韩元利
,
蒲嘉陵
影像科学与光化学
成功合成了两种新型锍鎓盐类光生酸剂,其结构1HNMR和MS分析确认,并对其基本物性及在405、365nm光下乙腈溶液中的分解及产酸性能进行了研究,通过计算得出了分解及产酸量子产率.结果表明,两种化合物有较高的热分解温度和在常用有机溶剂中有较好的溶解性;在405nm光源下.4-(9'-苯基蒽基)苯基三氟甲磺酸锍锗盐(PAGS1)和4,(4'-N,N-二乙基-1'-苯乙烯基)苯基三氟甲磺酸锍镥盐(PAGS2)的分解量子产率分别为10%和15%,产酸量子产率为8.1%和13%;但在365 nm光源下,分解及产酸量子产率均很低,说明两种光生酸剂对于405nm波长的光较敏感,适宜作为405nm光源下的光生酸剂.
关键词:
光生酸剂
,
锍鎓盐
,
量子产率
,
影像
沈广霞
,
陈艺聪
,
李静
,
云虹
,
林昌健
中国腐蚀与防护学报
doi:10.3969/j.issn.1005-4537.2006.02.010
用溶胶-凝胶法和旋转涂膜技术在导电玻璃(ITO)表面构筑纳米TiO2膜和纳米TiO2-SnO2复合膜,应用AFM、XRD对膜的形貌及晶体结构进行表征.用光电化学和腐蚀电化学相结合技术,通过测试时间-电位曲线和交流阻抗谱研究光生阴极保护状态下316L不锈钢电极在0.5 mol/L NaCl溶液中的微观界面电荷分布及电子传递规律,探讨光生阴极保护的作用机理.结果表明以TiO2-SnO2复合膜作为光生阳极时,在紫外光照下,316L不锈钢电极可处在阴极保护状态,并且在切断光源后,光生电极电位仍可在较长的一段时间内维持在-0.2 V左右,仍具有一定的阴极保护作用.
关键词:
纳米TiO2-SnO2复合膜
,
光生阴极保护
,
腐蚀
,
机理
彭进
,
胡冰
,
胡承勇
,
卞松保
,
杨富华
,
郑厚植
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.04.008
利用GaAs量子阱中Γ谷束缚态与AlAs层中Χ谷束缚态在异质结界面处的共振Γ-X混合,使得光生电子不仅在实空间而且在K空间与光生空穴分离开来,从而在结构中形成了持久的电荷极化.这一效应已被C-V特性上所观察到的电容阶跃和正反方向扫描时所出现的双稳滞迟现象所证实.如果将我们的器件用作光存储单元,预期可以获得很长的存储时间Ts.同时,由于Γ-X混合隧穿速率很快,光子"读出"仍可以保持很快.
关键词:
异质结
,
Γ-X混合
,
C-V特性
柳玲
,
王文广
,
王美丽
,
张伟民
,
蒲嘉陵
影像科学与光化学
制备了5种三氯甲基取代的三嗪类光生酸化合物,其结构经1HNMR、IR等分析确认,分别考察了它们在有机溶剂中的溶解性,通过TG测定确定了其热分解性能,并测定了它们的紫外可见吸收光谱,以及对在405、365 nm光源下的光分解及产酸性能进行了研究.成像实验表明,它们可用于405 nm的成像组成物中.
关键词:
制备
,
三嗪化合物
,
PAG