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花状ZnO微/纳米结构的水热法制备及其发光性质

以Zn(Ac)2、NaOH为初始原料,采用水热法在较低温度下合成了由纳米棒紧聚而成的花状ZnO微/纳米结构.通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、光致发光谱(PL)对样品进行了表征和分析,讨论了反应温度、反应时间对样品物相和形貌的影响,分析了其生长机制.XRD和SEM测试结果表明,ZnO纳米晶为六方纤锌矿结构,反应温度和时间对产物晶相及形貌有重要影响.室温下PL谱显示,样品在346 nm和384 nm处有较强的紫外发射,在450 nm和468 nm处有较弱的蓝光发射,在475～650 nm出现强而宽的可见光发射带.该研究为探讨ZnO微/纳米材料的制备技术及在发光方面的应用提供了可行的方法.

关键词: 花状 , ZnO , 水热法 , 形貌 , 光致发光

少无莱氏体高合金工具钢

戚正风 , 王传雅

材料热处理学报 doi:10.3969/j.issn.1009-6264.2001.01.007

全面介绍了新发展的少无莱氏体高合金工具钢(少无莱氏体高速钢及少无莱氏体高合金冷作模具钢)及其热处理。

关键词: 高速钢 , 冷作模具钢 , 莱氏体钢 , 超饱和渗碳

不饱和聚酯亚胺少胶粉云母带

王丽萍 , 李健 , 张丽宇 , 杨晓彬

功能材料

研制了不饱和聚酯亚胺体系的少胶粉云母带,由它制成的线棒155℃tgδ常态tgδ、△tgδ均达到优等品水平,常态电老化中值寿命为918h,热态电老化中值寿命为1098h.该少胶粉云母带在国内外未见报道.

关键词: 不饱和聚酯亚胺 , 少胶粉云母带 , VPI绝缘

低氯根晶型少钕碳酸稀土研究

范明洋 , 郝先库 , 申俊峰

稀土 doi:10.3969/j.issn.1004-0277.1999.05.001

在不同的工艺条件下能生产出晶型型貌不同的少钕碳酸稀土.在适宜条件下可以生产出氯根含量较低、晶型晶貌为珠菊状的少钕碳酸稀土,可满足客户要求.

关键词: 少钕碳酸稀土 , 晶型 , 型貌 , 氯根

新型系列少胶粉云母带的应用

杨志根 , 袁健 , 崔拥方

绝缘材料 doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2002.05.005

论文介绍丹阳市绝缘材料厂生产的新型系列少胶粉云母带的性能和在铁路牵引电机、高压电机、感应电机的应用情况.

关键词: 少胶粉云母带 , 主绝缘 , 牵引电机 , 模拟线棒 , 绝缘结构

马钢120 t转炉少渣冶炼工艺应用实践

张良明 , 吴发达 , 王爱民 , 石知机

钢铁

介绍了马钢120 t转炉炼钢应用生白云石代替部分石灰和镁球进行少渣冶炼的工艺,分析了少渣冶炼对转炉吹炼过程、脱磷效果以及终点温度控制的影响.研究结果表明,在少渣冶炼工艺条件下,可以降低渣量,能够满足转炉脱磷效果和温度要求.转炉总渣料用量减少22.88 kg/t(钢),由此节约成本12.25元/t(钢);同时还可以降低金属料损失3.76 kg/t(钢),具有较好的经济效益.

关键词: 转炉炼钢 , 少渣冶炼 , 造渣工艺 , 工艺实践

新型单面补强少胶粉云母带研制及应用

杨志根 , 袁健 , 崔拥芳 , 陈静

绝缘材料 doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2001.05.002

本文介绍国内外少胶粉云母带发展概况及我厂少胶粉云母带研制过程、胶粘剂配方设计方案、胶粘剂与浸渍漆相溶性、少胶粉云母带性能和应用情况.

关键词: 少胶粉云母带 , 主绝缘 , 高压交流电机 , 牵引电机

一种新型有机硅少胶云母带的研究

陈晓 , 陈磊 , 周光红 , 陈子荣 , 周升 , 李强军

绝缘材料

用国产有机硅体系胶粘剂制备了一种新型的少胶云母带，并通过绕包线圈浸渍试验与进口少胶带进行对比。结果表明：新型有机硅少胶云母带与200级无溶剂有机硅浸渍树脂的相容性良好，绕包的线圈浸漆固化后具有良好的电气绝缘性能，其水平与进口少胶带相当。

关键词: 有机硅 , 胶粘剂 , 少胶云母带

主绝缘用少胶云母带性能考核评定试验

王伟锋 , 付岚贵 , 陈梁

绝缘材料 doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2010.05.008

为寻找能替代少胶云母带A的其他少胶云母带材料,实现比质比价采购的原则,在国内外少胶云母带材料技术分析基础上,对少胶云母带B进行了材料固化前性能试验及固化后的力学性能试验,制得的真机定子线棒分别在660 MW和1 000 MW真机线圈上进行了应用试验.结果表明,与少胶云母带A的性能相比,少胶云母带B的各项性能均能达到技术要求.

关键词: 主绝缘 , 少胶云母带 , 考核评定试验

碳酸氢铵沉淀法制备少钕碳酸稀土粒度研究

柳凌云 , 刘磊 , 谢军 , 代永久 , 赵军 , 许国华 , 王永利

稀土

研究了碳酸氢铵沉淀法制备中位径D50=20 μm ～ 30.μm少钕碳酸稀土的工艺条件,主要探讨了少钕氯化稀土料液浓度、沉淀温度和晶种添加量对少钕碳酸稀土粒度大小的影响.结果表明,在不添加晶种、少钕氯化稀土浓度0.8 mol/L,碳酸氢铵浓度2.1 mol/L,沉淀温度25 ±2℃的条件下,可以制得D50=20 μm～ 30 μm,且其他指标符合客户要求的少钕碳酸稀土.

关键词: 少钕碳酸稀土 , 碳酸氢铵 , 沉淀 , 粒度

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