籍小兵
,
周旗钢
,
刘斌
,
徐继平
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2008.06.011
研究了在不同温度下生长多晶硅吸杂薄膜,薄膜应力对硅单晶抛光片翘曲参数的影响,并对所得的多晶硅薄膜结构进行扫描电镜观察.实验结果表明,随着沉积温度的不断升高.多晶硅晶粒不断长大,晶界减少,多晶硅薄膜应力逐渐降低.吸杂硅片的翘曲度逐渐减小,综合考虑硅片的吸杂效能与弯曲翘曲度控制,650~680℃为多晶硅薄膜最佳沉积温度.
关键词:
沉积温度
,
多晶硅
,
吸杂
,
晶粒
郝东山
,
马天才
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2003.04.021
籍助等效双波导孤子耦合模型,利用自伴算符方法,通过高阶色散耦合非线性薛定谔方程,分析了光纤通信中孤子的传输与耦合特性,提出了利用强抽运光在非线性光学介质中诱导出的相位孔来补偿探测光的衍射,从而消除光学孤子分裂与变形的方法.
关键词:
非线性
,
群速色散
,
光学孤子
,
非线性薛定谔方程
,
等效双波导
王华磊
,
张玉虎
,
周小红
,
郭应祥
,
雷祥国
,
徐树威
,
谢元祥
,
郑勇
,
柳敏良
,
邢烨炳
,
谢成营
,
宋立涛
,
郭文涛
,
T.Hayakawa
,
M.Oshima
,
Y.Toh
,
J.Katakura
,
Y.Hatssukawa
,
M.Matsuda
,
N.Shinohara
,
T.Ishii
,
H.Kusakari
,
M.Sugawara
,
T.Komatsubara
原子核物理评论
doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2006.01.004
利用在束实验产生具有β+ / EC衰变性质核素176,178Ir,分析了在束实验条件下获得的γ-γ符合数据,识别出了176Os的4条新能级和13条新γ跃迁、178Os的5条新能级和14条新γ跃迁.籍助氦喷嘴快速带传输系统,进一步对176Ir的β+ / EC衰变进行了测量,在确认在束测量新γ射线的同时建议了176Ir的一个低自旋同核异能态.通过两准粒子耦合的半经验计算,建议了176,178Ir基态及同核异能态的组态.
关键词:
低位能级纲图
,
在束测量
,
半衰期