欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

  • 论文(1128)
  • 图书()
  • 专利()
  • 新闻()

等离子体辅助有机金属(CH_3)_3Ga化学气相沉积GaN薄膜

郭超峰 , 陈俊芳 , , 薛永奇 , 王燕 , 邵士运 , 赵益冉

材料导报

采用ECR等离子体辅助技术,融合化学气相沉积法,在450℃的相对低温条下于Si(100)衬底上生长出GaN薄膜.对样品进行了XRD、FT-IR和AFM表征,并在制备过程中采集到反应室中N_2-(CH_3)_3Ga等离子体的发射光谱.结果表明,所制备的多晶体GaN薄膜是由N_2-(CH_3)_3Ga等离子体中的活性成分通过复杂的反应生成的,其生长过程符合岛状生长机制.

关键词: 等离子体 , 化学气相沉积 , GaN , 反应 , 生长机制

高压强下GaN的结构相变及电子结构的第一性原理研究

李健翔 , , 蒋联娇 , 马娟娟 , 詹吉玉

材料导报 doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.22.031

基于密度泛函理论的平面波赝势方法,选择广义梯度近似(GGA)下的PBE算法-关联泛函对GaN晶体结构、能带结构以及电子态密度随压强的变化进行了研究,并计算出GaN材料的相变点压强值.研究结果表明:随着压强增加,常见的纤锌矿与闪锌矿GaN会发生结构相变成岩盐矿结构,并且其能带结构均由直接带隙转变成间接带隙.其中,通过焓相等原理得到纤锌矿到岩盐矿结构的相变压强为44.4 GPa,而闪锌矿到岩盐矿结构的相变压强为43.6 GPa.此外,随着压强增大,GaN纤锌矿、闪锌矿和岩盐矿的价带态密度均向低能方向偏移,而导带态密度向高能方向偏移,从而导致GaN共价性增强及带隙随压强增大而展宽.

关键词: 第一性原理 , GaN , 结构相变 , 电子结构

用ECR氮等离子对纳米TiO2薄膜光谱响应改性的研究

孔令红 , 熊予莹 , , 陈俊芳 , 吴先球 , 唐吉玉

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.03.022

采用ECR氮等离子对纳米TiO2薄膜表面进行氮注入处理来改善纳米TiO2催化剂的光谱响应范围.处理后表面颜色变成微黄色,说明氮离子已注入到TiO2薄膜里;AFM观察处理前后的薄膜,发现表面形貌没有很大改变;紫外-可见光谱分析结果表明,TiO2薄膜催化剂的光谱响应红移了12-18nm;通过不同功率、不同处理时间研究显示,在微波功率为400W、处理60min改性效果最理想.

关键词: ECR氮等离子体 , 光谱响应 , TiO2薄膜 , 紫外-可见光谱分析 , AFM

N空位、Ga空位对GaN∶Mn体系电磁性质和光学性质影响的第一性原理研究?

蒋联娇 , , 秦盈星 , 李健翔

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.12.023

基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势法分别计算了 VGa和 VN 距掺入 Mn 原子为近邻、次近邻、远近邻各3种情况下GaN体系的电子结构和光学性质,分析比较了空位的不同位置对 Mn 掺杂 GaN 体系磁性的影响。计算结果表明,Mn掺杂会导致GaN体系带隙增大且体系表现为半金属铁磁性;VN 的存在会增强缺陷复合物体系的铁磁性,且随着VN 相对杂质Mn距离越近,体系总磁矩增加;而VGa的存在会降低缺陷复合物体系的铁磁性,且随Ga空位相对杂质Mn距离越近,体系总磁矩减少。不同位置的VGa和VN 均会导致缺陷复合物体系主吸收峰和光吸收边相对于单Mn掺杂而言向低能方向移动,出现红移现象。

关键词: GaN晶体 , Mn掺杂 , 空位 , 电子结构 , 光学性质

气压对离子源增强磁控溅射制备氮化铝薄膜的影响

李鹏飞 , 陈俊芳 ,

表面技术 doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2016.04.023

目的 制备性能优异的氮化铝薄膜.方法 采用射频感应耦合离子源辅助直流磁控溅射的方法 制备氮化铝薄膜,在不同的气压下,在Si(100)基片和普通玻璃上生长了不同晶面取向的氮化铝薄膜.使用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)分析氮化铝薄膜的结构、晶面取向、表面形貌及薄膜表面粗糙度,使用紫外可见分光光度计测定薄膜的透过率,并计算薄膜的禁带宽度.研究气压的大小对磁控溅射制备氮化铝薄膜微观结构的影响.结果 在各气压下,薄膜生长以(100)面取向为主.在0.7Pa前,(100)面的衍射峰强度逐渐增强,0.7 Pa之后减弱.(002)面衍射峰强度在0.6Pa之前较大,0.6Pa之后变小.各气压下薄膜表面均方根粗糙度均小于3nm,且随着气压的增大先增大后减小,0.7 Pa时最大达到2.678nm.各气压下所制备薄膜的透过率均大于60%,0.7Pa时薄膜的禁带宽度为5.4eV.结论 较高气压有利于(100)晶面的生长,较低气压有利于(002)晶面的生长;(100)面衍射峰强度在0.7 Pa时达到最大;随气压的增大,薄膜表面粗糙度先增大后减小;所制备的薄膜为直接带隙半导体薄膜.

关键词: 气压 , 磁控溅射 , 氮化铝薄膜 , 离子源 , 粗糙度 , 直接带隙

用自旋波理论研究向相液晶

刘建军 , 刘晓静 , 沈曼 , 杨国琛

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.02.001

采用自旋波理论研究向相液晶.由于液晶分子的长轴取向与分子绕长轴转动的角动量方向一致,可引入算研究向相液晶.通过对两分子作用势进行变换,得到系统哈密顿的表示形式与铁磁自旋波理论的哈密顿形式相同,进而得到序参数与约化温度的关系,在低温区与实验结果符合得较好,在接近于相变点的高温区,利用哈密顿求得相变点,与Maier-Saupe的结果接近.

关键词: 相液晶 , 自旋波 , 序参数

斑斓闪烁"斑金"

宁远涛 , 赵怀志

贵金属 doi:10.3969/j.issn.1004-0676.2000.03.013

利用某些金合金中的马氏体与类马氏体相变所形成的表面浮突与精细层状结构在光线作用下所产生的光栅衍射效应,使合金表面呈现斑斓闪烁的光学效果,称之为"斑效应"(Spangle Effect),具有这种效应的金合金称"斑金"合金("Spangold"alloy).作者评述了"斑"与"反斑"效应的冶金学原理及光学效应,介绍了23KAu-Al和18KAu-Cu-Al斑合金的结构变化、光学特性和其它性能."斑金"合金及其"斑"与"反斑"效应极具美学观赏价值与装饰效果,构成了金合金饰品的新家族.

关键词: 马氏体相变 , 类马氏体相变 , 有序相变 , 金合金 , 饰品材料

用超算方法求解压缩热库中两能级原子的主方程

王晓芹 , 于历 , 刘汉俊

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2003.05.003

利用超算的方法,给出了在压缩热库情况下,两能级原子主方程的超算求解,从而可从任意的初态容易地得到密度算的解析表达式.

关键词: 超算 , 主方程 , 密度算

湮没算k次幂本征态的Wigner函数及其非经典特性

蓝海江 , 韦联福

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2010.02.011

利用Fock态表象下的Wigner函数表达式,重构了湮没算k次幂本征态的Wigner函数,并依据Wigner函数在相空间的分布规律,讨论了湮没算k次幂本征态的非经典特性.数值结果表明:湮没算k次幂本征态Wigner函数的分布与复参数α的取值有关;湮没算1次幂的本征态(即相干态)为准经典态(其Wigner函数值总是非负的),而湮没算大于或等于2次幂的本征态则都具有明显的非经典特性(它们的Wigner函数均出现了负值).

关键词: 量子光学 , 湮没算 , 本征态 , Wigner函数 , 非经典特性

Fock空间算表示在量子swapping研究中的应用

张志军 , 李晋芳 , 黄建华 , 马雷

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2004.06.010

我们利用多模Fock空间线性量子变换理论,讨论了量子信息实验,如swapping,提出了一种研究量子信息实验的有效方法,并利用Fock空间升降算给出了基本实验器件的算表达式.

关键词: 量子光学 , 量子信息 , swapping , Fock空间升降算

  • 首页
  • 上一页
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • 下一页
  • 末页
  • 共113页
  • 跳转 Go

出版年份

刊物分类

相关作者

相关热词