童良怀
腐蚀与防护
某电站锅炉水冷壁发生爆管泄漏,通过水冷壁厚度、材质、金相分析及腐蚀产物成分分析,确定水冷壁失效的直接原因是锅炉水质不合格导致的严重腐蚀.根据事故原因提出了具体的应对措施.
关键词:
水冷壁
,
酸性腐蚀
,
失效分析
,
处理措施
程军
,
杨学明
,
杨晓勇
,
王昌燧
,
王巨宽
稀土
doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2000.04.001
本文利用ICP-MS对新石器时代良渚文化瑶山遗址出土的古玉器进行了稀土元素分析,并与产于新疆和阗玉石矿的软玉进行了对比.结果表明,瑶山古玉器的稀土元素配分型式、特征比值均明显不同于和阗玉,说明良渚文化玉器的玉石应选自当地,这与李约瑟[1]教授认为中国古玉器都源于新疆和阗的论点不同.
关键词:
良渚玉器
,
ICP-MS
,
稀土元素(REE)
,
产地分析
刘晓伟
,
郭会斌
,
李梁梁
,
郭总杰
,
郝昭慧
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142904.0548
纯铝薄膜被广泛用作TFT LCD的金属电极,但纯铝薄膜在热工艺中容易产生小丘,对TFT的阵列工艺的良率有较大影响.本文用磁控溅射的方法在不同温度下沉积纯铝薄膜作为薄膜晶体管的栅极,并通过电学检测、扫描电子显微镜和应力测试等方法对不同温度下沉积的纯铝薄膜的小丘生长情况进行了研究.实验结果表明:纯铝成膜温度提高,薄膜的晶粒尺寸增大,退火后产生小丘的密度和尺寸明显降低,温度应力曲线中屈服点温度也相应提高.量产中适当提高成膜温度,可以有效抑制小丘的发生,提高TFT阵列工艺的量产良率.
关键词:
薄膜晶体管阵列工艺
,
磁控溅射
,
纯铝薄膜
,
小丘
,
量产良率
韩火年
,
李强
,
洪昱斌
,
丁马太
,
何旭敏
,
蓝伟光
功能材料
通过沉淀法制备碳酸铝按超细粉体均匀包襄的氧化铝粉体,煅烧后,继令其与纳米二氧化硅按一定比例球磨混合,预烧,添加适当的粘结剂和造孔剂,再经捏合、陈腐、挤出成型、烘坯、烧结,制备膜支撑体.结果表明,二氧化硅加入-1为12%(质童分数)、1550℃烧结所得的膜支撑体综合性能较好:纯水通童为22.2 m3 /(M2·h) ;爆破压力为3.40MPa,开孔率为40.21;经10%(质量分数)HZ SO;或5%(质童分数)NaOH于100℃下浸渍36h后,爆破压力仍分别为2.67和2.89MPa,表明它还具有良好的耐酸碱性能.
关键词:
沉淀法
,
多孔陶瓷膜支撑体
,
挤出成型