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本研究提出了一种新的制备功能梯度材料方法，采用以脉冲当地惯性力为主动力的粉体脉冲微喷射技术来进行Ti/HA(Hydroxyapatite)功能梯度结构的牙根植入材料粉体按需输送制备实验。搭建了功能梯度材料制备实验系统，并对两种粉体在该系统下的输送率进行标定，利用标定的结果在制备的过程中进行相应的系统参数设定从而实现按需输送，并通过控制三维工作台的运动实现粉体根据设定的路径逐层堆积，最终通过压制与烧结得到所设计的具有一定强度的功能梯度材料。对所制备的功能梯度材料进行初步的力学性能与微观组织结构检测，评价其可行性并为进一步的研究提供一定的理论依据。从实验过程和结果看，利用粉体脉冲微喷射技术制备功能梯度材料具有结构精确、节约成本等优点。

关键词: 粉体脉冲微喷射技术 , 功能梯度材料 , 按需输送

微纳米干粉体脉冲喷射燃烧法制备Y2O3:Eu3+发光材料芯片

王懿 , 侯丽雅 , 章维一

功能材料

采用基于微流体数字化技术的微纳米干粉体脉冲喷射燃烧法制备了Y2O3:Eu3+发光材料芯片,用紫外分析仪和荧光光谱仪对材料芯片进行了分析和表征.与组合液滴喷射法的间接作业不同,微纳米干粉体脉冲喷射燃烧法直接喷射原材料粉体进行材料芯片制备作业,无需配制溶液或悬浮液,简化了制备工艺流程、提高了材料芯片制备效率.

关键词: 组合材料学 , 发光材料 , 脉冲惯性力 , 粉体喷射 , 燃烧法

一维结构中的发光特性

张雷 , 洪广言

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.02.018

具有低维结构尤其是一维结构的物质往往具有较特殊或更优异的性质.本文研究了具有一维结构的发光物质的发光特性与微观结构之间的关系,得到了某些规律,即在一维结构中,只有存在相对较短的M-O键才可能引起电荷迁移产生发光;在该化合物中M应为变价元素且低价态具有发光性质;一维键上的能量传输往往具有很高的发光猝灭浓度和可能存在发光中间体.

关键词: 一维结构 , 电荷迁移 , 发光

一维伊辛模型的相变-Ⅱ

田树旬

低温物理学报

找到了一个能够用矩阵法计算的新序参量,此参量既能给出有限数量格点时一维伊辛模型中存在相变,又能给出无限数量格点时相变消失的结果.利用此序参量求出了一个计算相变点的简洁近似公式.

关键词: 一维伊辛模型 , 相变 , 矩阵法

一维,二维和三维Si基纳米线的制备

胡卫兵 , 史伯安 , 但悠梦 , 谭志斗 , 吴少尉 , 朱艳秋 , 徐文光

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.03.011

在 Ar气氛中,SiC粉末分别在 Fe、 Co、 Fe:Co(1:1)的催化下,经一步反应制备了一维、二维和三维 Si基纳米线. SEM、 HRTEM、 EDX分析表明一维线状和二维网状 Si基纳米线由 C、 Si、 O组成,存在两类纳米线,一类是 SiOx包裹的 Si纳米线;另一类是 SiOx包裹的 SiC纳米线.三维Si基纳米线组成象花一样的结构,仅由 SiOx组成. SiOx和 Si是无定形结构,SiC是β-SiC单晶.

关键词: 一维 , 二维 , 三维 , Si基纳米线 , 制备

SiC一维、准一维纳米材料的制备工艺研究

李镇江 , 范炳玉 , 孟阿兰 , 张猛

功能材料

综述了近年来SiC一维、准一维纳米材料制备工艺的最新研究进展,重点介绍了模板生长法、化学气相沉积法、熔体生长法、碳热还原法和溶胶-凝胶法的工艺特点,并对不同工艺方法制备的SiC一维、准一维纳米材料的微观形貌、优异性能进行了简要概述,总结了现阶段SiC一维、准一维纳米材料制备工艺研究所面临的问题及发展前景.

关键词: SiC , 一维、准一维纳米材料 , 制备工艺

一维固化收缩应力的研究

夏雨 , 薛忠民 , 王继辉 , 单松高 , 周正亮

玻璃钢/复合材料 doi:10.3969/j.issn.1003-0999.2005.01.003

本文利用自制的测试固化应力的仪器测试研究了树脂固化时一维固化收缩应力的产生情况,然后通过低温固化低轮廓添加剂控制收缩,进一步测试研究其产生情况,观察了低收缩对固化应力的影响.

关键词: 树脂 , 固化应力 , 低收缩添加剂

一维β-SiAlON材料可控合成

彭犇 , 邱桂博 , 岳昌盛 , 张梅 , 郭敏

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2014.13559

以 Si 粉、Al 粉和 Al2O3粉为原料压制成条样,在1650~1850 K 氮气和埋 Si3N4颗粒气氛下分别合成了β-SiAlON 晶须、带状和柱状晶,并系统研究了一维β-SiAlON 材料可控合成条件,进而结合热力学分析了一维β-SiAlON材料的生长机制。结果表明：以Si粉、Al粉和Al2O3为原料,在氮气(纯度99.9%)和埋Si3N4颗粒气氛下在1650~1850 K保温6 h,可以合成不同形貌的一维β-SiAlON材料。生长温度是一维β-SiAlON材料形貌控制的关键因素。生长温度为1650 K时,合成了β-SiAlON晶须,晶须直径200~400 nm,长径比100~1000；生长温度在1700~1800 K时,可以合成β-SiAlON带状晶体,厚度为200 nm,宽度为1~4μm,长宽比在10~20之间；生长温度升高至1800 K时,出现大量柱状晶体。结合晶须显微结构形貌和热力学分析,β-SiAlON晶须的生长机制为气-固(VS)生长机制。

关键词: 一维β-SiAlON材料 , 可控制备 , 生长机制 , 热力学