庄馥隆
,
陈达
,
徐东
,
程秀兰
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.06.018
以层层自组装单壁碳纳米管网状薄膜为敏感材料,在柔性基底上制作了应变传感器,并对薄膜和器件性能进行了测试.测试结果表明:薄膜组装均匀,电导性良好,电阻随组装层数增加呈指数态下降;器件对应变呈现较好的敏感特性、线性响应和可恢复性,灵敏度为4.25;通过添加防护层屏蔽外界湿度及光照影响,传感器稳定性显著提高.该传感器可用于弯曲表面的应力应变检测.
关键词:
碳纳米管
,
自组装
,
柔性
,
应变
,
传感器
程秀兰
,
蔡炳初
,
徐东
,
王莉
功能材料
形状记忆合金(SMA)薄膜因其特有的形状记忆合金效应、超弹性行为以及薄膜材料所特有的优越性能,而在微机电系统中的微驱动器和微传感器方面极具应用潜力.本文主要介绍了以TiNi基合金为主的形状记忆合金薄膜在微驱动器和微传感器上的国内外应用性研究现状,并展望了其未来的发展趋势.
关键词:
形状记忆合金
,
形状记忆效应
,
超弹性
,
微机电系统
,
微驱动器
,
微传感器
李君
,
程秀兰
,
吕朋雨
,
余旭丰
,
马娣娣
功能材料与器件学报
表面增强拉曼散射(Surface enhanced Raman scattering,SERS)是一种灵敏度很高的生物检测技术.近年来有研究表明,在半导体纳米材料表面用贵金属修饰所得的结构具有很强的SERS效应.本文提出了一种基于负载金纳米颗粒的宽禁带半导体TiO2纳米线的SERS基底.TiO2纳米线的制备采用成本低廉、工艺简单的水热合成法,然后采用原位化学还原生长法负载Au纳米颗粒,最后引入罗丹明6G(R6G)作为探针分子,证明该SERS基底能有效增强拉曼信号,实现最低浓度为10-12mol/L的R6G的检测,适合应用于包括生物分子、有机污染等在内的有机分子的痕迹检测.
关键词:
表面增强拉曼散射
,
TiO2纳米线
,
水热合成
,
金纳米颗粒
,
痕迹检测
周俊卿
,
程秀兰
,
张衍
,
单川
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.06.002
本文建立了相变存储器存储单元的有限元分析模型,对相变材料以及加热电极热电参数对加热效率、功耗的影响进行了研究.模拟研究表明:引入了随温度变化的相变层热导率,能更精确地模拟器件温度场;加热电极电阻率与相变层电阻率越大,加热效率越高,功耗越低;但为了使加热效率更集中在相变材料层中,加热电极电阻率不能大于相变层电阻率.其中,在相变材料设计选择方面,具有较高电阻率的Si_2Sb_2Te_5较传统的Ge_2Sb_2Te_5更适合应用于低功耗相变存储器的应用;而在底部加热电极的选择上,具有较高电阻率和低热导率的TiN较TiW、W或Ti等电极相比,在低功耗方面更具优势.
关键词:
相变存储器
,
有限元分析
,
电学性能
,
热学性能
,
加热效率
尹文
,
程秀兰
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.06.009
相变存储器(PCM)因依靠电阻率的变化来存储的模式,成为65nm以下非易失存储器应用的研究热点.然而,相变存储器的擦写功耗、复位电压、热稳定性和擦写寿命一直是相变存储器发展的几个瓶颈.对此,设计了一种基于相变合金Ga3Sb8Te1的新型嵌入式相变存储器,并建立有限元(FEA)热学,结晶动力学和SPICE宏模型.通过瞬态热学和结晶动力学仿真表明,基于Ga3sb8Te1的相变存储器具有更高的热稳定性和可循环擦写次数、更低的复位功耗,更快的置位频率,是一种较为理想的高性能相变存储器.
关键词:
相变存储器
,
瞬态热学仿真
,
结晶动力学
,
SPICE宏模型
戴永胜
,
陈堂胜
,
杨立杰
,
李辉
,
俞土法
,
陈新宇
,
郝西平
,
陈效建
,
林金庭
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.002
介绍了一种新颖的在5~20GHz频率范围的共享一个兰格耦合器的22.5°和11.25°MMIC多倍频程移相器的设计、制造和性能.选择了工艺变化对电路性能最小的电路拓扑.在5~20GHz频率范围内,以展示出低的峰值相移误差(≤2°);低的输入/输出驻波(≤1.5)和低插入损耗及起伏(≤(2.6±0.4)dB).芯片尺寸为:4.2mm×0.46mm×0.1mm.
关键词:
微波毫米波单片集成电路
,
开关金属半导体场效应晶体管
,
兰格耦合器
,
多倍频程
,
反射型移相器
刘瑜
,
程秀兰
,
谢四强
功能材料
利用激光脉冲法在LaAlO3衬底上沉积制备LaNiO3薄膜作为底电极并外延生长(100) Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜,系统研究了生长温度对PZT外延结构和电学特性的影响.研究发现当生长温度高于550℃时即可得到外延(100)PZT薄膜.在对所制备的PZT薄膜的结构和性能测试表明,650℃下生长的PZT薄膜外延性最佳,并且表现出优异的介电和铁电性能,介电常数ε、剩余极化Pr和矫顽场Ec分别为900、26.5 μC/cm2和52.1kV/cm.试验还证实这种外延PZT薄膜具有优良的抗疲劳特性,可用于铁电存储器的制备中去.
关键词:
PZT
,
异质外延生长
,
激光脉冲沉积
,
LaNiO3
,
铁电