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氧化对 GaN 基LED透明电极接触特性的影响

, , 于彤军 , 张昊翔 , 胡晓东 , 杨志坚 , 李忠辉 , 张国义

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.01.001

研究了热退火对InGaN/GaN 多量子阱LED的Ni/Au-p-GaN欧姆接触的影响.发现在空气和 N2气氛中交替地进行热退火的过程中Ni/Au接触特性显示出可逆现象. Ni/Au-p-GaN接触的串联电阻在空气中随合金化时间逐渐减小,在随后的 N2 中的热退火后会使该串联电阻增加,但在空气中再次热退火能使接触特性得到恢复.同时对Ni/Au-p-GaN 接触在空气中合金化过程中的层反转的成因进行了讨论.

关键词: 氮化镓基LED , 欧姆接触 , 氧化

大功率白光LED的制备和表征

, , 胡晓东 , 于彤军 , 杨志坚 , 章蓓 , 姚光庆 , 邱秀敏 , 张国义

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.02.002

用1 mm×1 mm的大尺寸GaN基蓝光发光二极管(LED)芯片和YAG∶Ce黄光荧光粉在食人鱼支架上封装大功率白光LED.其200 mA下的发光功率为13.8 mW,约为相同LED外延片制备的普通尺寸LED的10倍.同时改变注入电流,发现功率曲线直到200 mA仍没有出现饱和或下降的趋势,白光的色温从5 300 K下降至4 800 K.同时研究了不同荧光粉混合比例对白光色度的影响.

关键词: 白光LED , 大功率 , 荧光粉 , 色温

退火对Mg离子注入 p-GaN薄膜性能的影响

罗浩俊 , 胡成余 , 姚淑德 ,

材料研究学报

在用MOCVD方法生长的p--GaN薄膜中注入Mg离子, 然后在N$_{2}$气氛下在850$\sim$1150℃之间快速退火, 研究了Mg$^{+}$离子注入后样品退火前后的结构、光学和电学性质. 结果表明, 离子注入使GaN晶体沿着$a$轴和$c$轴方向同时膨胀. 在离子注入后的p--GaN薄膜的拉曼散射谱中出现波数为300 cm$^{-1}$和360 cm$^{-1}$两个新峰, 其强度随着退火温度而变化. 这两个新峰分别对应于布里渊区边界的最高声学声子支的 振动模式和局域振动模式. 消除这两个损伤引起的峰的临界温度是不同的. 注入剂量1$\times$10$^{14}$cm$^{-2}$是一个临界值, 对于注入剂量高于这个临界值的样品, 高温退火不能使其晶体质量全部恢复.

关键词: 无机非金属材料 , null , null

退火对Mg离子注入p-GaN薄膜性能的影响

罗浩俊 , 胡成余 , 姚淑德 ,

材料研究学报 doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2006.02.002

在用MOCVD方法生长的p-GaN薄膜中注入Mg离子,然后在N2气氛下在850~1150℃之间快速退火,研究了Mg+离子注入后样品退火前后的结构、光学和电学性质.结果表明,离子注入使GaN晶体沿着a轴和c轴方向同时膨胀.在离子注入后的p-GaN薄膜的拉曼散射谱中出现波数为300 cm-1和360 cm-1两个新峰,其强度随着退火温度而变化.这两个新峰分别对应于布里渊区边界的最高声学声子支的振动模式和局域振动模式.消除这两个损伤引起的峰的临界温度是不同的.注入剂量1×1014cm-2是一个临界值,对于注入剂量高于这个临界值的样品,高温退火不能使其晶体质量全部恢复.

关键词: 无机非金属材料 , p-GaN , 离子注入 , 拉曼散射

圆锥反光面与抛物面反光面组成的边发射型LED及其在LCD背光源中的应用

易业文 , , 于彤军 , , 何仲恺 , 张国义

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2008.04.013

设计了一种边发射型的白光LED封装结构,通过全反射和反光镜的反射使LED发出的光由两侧出射,并且可以通过调节锥形反光镜的锥顶角来控制光强角分布中峰值的位置.利用光路追迹软件对所设计的结构进行模拟,并将所设计的边发射型LED用于直下式背光源中.通过对模拟结果的分析,当背光源灯箱大小为228 mm×150 mm,灯箱厚度在20~30 mm时,均匀度可以达到85%以上.利用具有表面布点的导光板结构,使侧向出射的光线经过导光板底面的锥形网点时,经历一次折射和一次全反射.这样将侧向出射的光线导向正向出射,提高了背光源正向的亮度.

关键词: 白光LED , 边发射 , 直下式 , 均匀性 , 导光板

奥沙拉钙配合物的合成、结构及表征

唐云 , 周漫 , 杨燕明 , 王小卫 , 黄帅

人工晶体学报

本文通过CaCl2·2H2O与药物奥沙拉及辅助配体邻菲罗啉在水热条件下得到了一个的奥沙拉配合物[ Ca(L) (Phen)·4(H2O)]n(H2L=奥沙拉=3,3-azo-bis-6-hydroxybenzoic acid)(1).通过元素分析、红外对配合物进行了表征,并利用X单晶射线衍射仪测定了其结构.结构解析表明,配合物1属三斜晶系,空间群P-1,晶胞参数a=0.8001 (3) nm,b=1.1245(4) nm,c=1.5129(6) nm,α=89.450(6)°,β=86.297(6)°,γ=77.633(6)°,V=1.3268(9) nm3,Z=2,F(000) =636,最终偏差因子(对Ⅰ>2σ(Ⅰ)的衍射点),R1=0.0521,wR2 =0.1538,S=1.045.在该结构中,中心Ca(Ⅱ)离子周围形成了一个稍微扭曲的五角双锥体,分别与一个来自奥沙拉配体的羧基氧原子(单齿)、两个邻菲罗啉中的两个N原子和四个水分子配位.

关键词: 奥沙拉 , 钙配合物 , 晶体结构

3号板坯铸机拉矫机万向联轴器改造

樊星辰 , 孙博 , 贾广顺 , 李松山 ,

连铸

铸机拉矫机万向联轴器主要是将减速机扭矩传递给扇形段驱动辊,为连铸机提供拉矫力.首3号连铸机万向联轴器伸缩位置距离扇形段驱动辊连接法兰较近,在二冷室内极易腐蚀锈死,不易拆卸;同时万向联轴器与扇形段驱动辊法兰连接处螺栓极易松动,造成引锭杆下沉,严重影响生产.对拉矫机万向联轴进行技术改造,解决了万向联轴器伸缩腐蚀锈死和万向联轴器与扇形段驱动辊法兰盘螺栓容易松动的问题.

关键词: 万向联轴器 , 法兰 , 伸缩 , 扭矩

1号高炉降低燃料比和提高喷煤比的工业实践

丁汝才 , 吴铿 , 尹晓莹 , 费三林 , 何海熙 , 韦少华

钢铁

1号高炉的技术装备、工艺水平、自动控制和环保节能等方面的新技术都达到了较高水平。高炉达到设计指标后,在原燃料质量不断提高的同时,采用技术创新与技术进步,解决了高炉单系统流程给生产带来的新问题,使得新技术、新装备能力达到较高水平,生产综合指标不断提高。实现燃料比低于492 kg/t,煤比高于180kg/t,在国内同类高炉中位于领先的水平。

关键词: 高炉;燃料比;喷煤比;高炉操作

1号高炉降低燃料比和提高喷煤比的工业实践

丁汝才 , 吴铿 , 尹晓莹 , 费三林 , 何海熙 , 韦少华

钢铁

1号高炉的技术装备、工艺水平、自动控制和环保节能等方面的新技术都达到了较高水平.高炉达到设计指标后,在原燃料质量不断提高的同时,采用技术创新与技术进步,解决了高炉单系统流程给生产带来的新问题,使得新技术、新装备能力达到较高水平,生产综合指标不断提高.实现燃料比低于492 kg/t,煤比高于180kg/t,在国内同类高炉中位于领先的水平.

关键词: 高炉 , 燃料比 , 喷煤比 , 高炉操作

宽厚板生产线高压水除鳞系统设计及改造

孟祥龙 , 侯宏宙 , 李林 , 王帆 , 王向阳

上海金属

以首4 300 mm宽厚板生产线为例,介绍高压水除磷系统的设计方案,对供水能力进行计算,同时针对在实际生产过程中存在的问题,提出可行的改造方案,给出改造后除磷泵设备的工艺参数及各用水点的压力和流量,最后进行提高系统压力后供水能力核算,验证改造方案的可行性.结果表明,在不改变系统电机容量的前提下,通过改进喷嘴结构和增加除鳞泵的级数可以提高系统的压力,并进一步优化除磷效果.

关键词: 轧钢 , 宽厚板 , 高压水 , 除磷

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