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为预测60种烯烃类单体（M1）与苯乙烯（M2）的自由基共聚合竞聚率lgr1S值,采用密度泛函理论（DFT）B3LYP方法在6-31G（d）基组水平上对烯烃类单体（C1H2=C2XY）进行了计算。用于构建支持向量机（SVM）模型的最佳参数子集包括：原子R3的Mulliken电荷qMR3,C1的Mulliken电荷QMC-1（H原子电荷全部合并到与之相连的重原子上）,参数QMC-1与qMC-2之比RQq（=QMC-1/qMC-2）,最低未占分子轨道（LUMO）能级（ELUMO）和最高占据分子轨道（HOMO）能级（EHOMO）之差ΔEg。最佳SVM模型为高斯径向基核函数（C=1000,ε=0.0001及γ=0.2）。该模型训练集、验证集及测试集的均方根（rms）误差分别为0.043,0.157及0.192,与现有竞聚率lgr模型相比,本文所得SVM模型具有更好的统计品质。

关键词: 密度泛函理论 , 自由基共聚合 , 竞聚率 , 量子化学 , 支持向量机

聚甲基丙烯酸酯类运动单元结构与玻璃化转变温度的关系

禹新良 , 陈建芳 , 刘万强

高分子材料科学与工程 doi:10.16865/j.cnki.1000-7555.2016.06.010

玻璃化转变温度(Tg)是非晶态高聚物材料的一项很重要的参数.文中采用多元线性回归方法建立了56种聚甲基丙烯酸酯类高聚物Tg的结构-性能定量关系(QSPR)模型.模型所用参数从聚甲基丙烯酸酯类主链包含10个重复单元的运动单元计算得到.模型训练集(包含36种聚甲基丙烯酸酯类高聚物)的相关系数为0.971,标准误差为15.731K;模型测试集(包含20种聚合物)相关系数为0.946,均方根误差(rms)为17.286K;整个数据集(56种聚合物)相对误差为4.065％.结果表明,本文所得模型对聚甲基丙烯酸酯类高聚物Tg有着较强的预测能力.因此从高分子主链段运动单元得到分子参数预测Tg是可行的.

关键词: 玻璃化转变温度 , 运动单元 , 聚甲基丙烯酸酯 , 结构-性能关系

良渚文化玉器的稀土元素特征及其考古学意义

程军 , 杨学明 , 杨晓勇 , 王昌燧 , 王巨宽

稀土 doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2000.04.001

本文利用ICP-MS对新石器时代良渚文化瑶山遗址出土的古玉器进行了稀土元素分析,并与产于新疆和阗玉石矿的软玉进行了对比.结果表明,瑶山古玉器的稀土元素配分型式、特征比值均明显不同于和阗玉,说明良渚文化玉器的玉石应选自当地,这与李约瑟[1]教授认为中国古玉器都源于新疆和阗的论点不同.

关键词: 良渚玉器 , ICP-MS , 稀土元素(REE) , 产地分析

磁控溅射成膜温度对纯铝薄膜小丘生长以及薄膜晶体管阵列工艺良率的影响

刘晓伟 , 郭会斌 , 李梁梁 , 郭总杰 , 郝昭慧

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20142904.0548

纯铝薄膜被广泛用作TFT LCD的金属电极,但纯铝薄膜在热工艺中容易产生小丘,对TFT的阵列工艺的良率有较大影响.本文用磁控溅射的方法在不同温度下沉积纯铝薄膜作为薄膜晶体管的栅极,并通过电学检测、扫描电子显微镜和应力测试等方法对不同温度下沉积的纯铝薄膜的小丘生长情况进行了研究.实验结果表明:纯铝成膜温度提高,薄膜的晶粒尺寸增大,退火后产生小丘的密度和尺寸明显降低,温度应力曲线中屈服点温度也相应提高.量产中适当提高成膜温度,可以有效抑制小丘的发生,提高TFT阵列工艺的量产良率.

关键词: 薄膜晶体管阵列工艺 , 磁控溅射 , 纯铝薄膜 , 小丘 , 量产良率