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双层复合栅介质膜的制备及电学性能研究

王乐 , 张亚军 , , 钟传杰

功能材料

介电常数分别为2.6的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)及介电常数为16的偏氟乙烯-三氟乙烯共聚物(P(VDF-TrFE))两种不同的有机绝缘材料,通过溶液旋涂的方法在P型硅衬底上制备了不同结构的复合栅介质膜并测试了它们的高频C-V特性及漏电特性。实验结果表明Si-PMMA-P(VDF-TrFE)-Ag结构绝缘膜上单位面积电容达到了35nF/cm2,40V电压下漏电流随着扫描次数的增加逐渐由7.29×10-7 A/cm2降低至3.44×10-7 A/cm2。而Si-P(VDF-TrFE)-PM-MA-Ag结构栅介质膜测得的单位面积电容仅为15nF/cm2,在相同电压下的单位面积漏电流为1.93×10-8 A/cm2。在此基础上分析了电子陷阱以及电场强度对双层栅绝缘膜C-V、I-V特性的影响。

关键词: OTFT , 复合绝缘膜 , 电子陷阱 , 漏电机理

PMMA分子量对其电学特性的影响

张亚军 , 王乐 , , 钟传杰

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2012.02.005

通过分析以PMMA[poly( methyl methacrylate)]为绝缘膜的MIS结构的电学特性,研究了分子量对PMMA薄膜电学特性的影响.PMMA薄膜通过旋涂溶于氯仿的20mg/ml PMMA溶液制成.PMMA薄膜厚度为220nm,临界电场超过1.8MV/cm.测量结果表明:(1)996K分子量PMMA薄膜的单位面积漏电流最小,仅有6.0×10-9/cm2.350K分子量的漏电流较大,为8.5×10 -9/cm2;(2)高电场下决定漏电流与场强关系的物理机制是肖特基发射,通过线性拟合计算出银电极与PMMA之间的势垒高度约为0.5eV;(3)分子量大的PMMA陷阱密度小.996K分子的最小,为4.7×1010/cm2.

关键词: PMMA , 绝缘膜 , OTFTs , 栅绝缘膜陷阱 , C-V特性

关于贝氏体形核和台阶机制的讨论--与徐耀院士等商榷

康沫狂 , 朱明

材料热处理学报 doi:10.3969/j.issn.1009-6264.2005.02.001

一些合金固溶化(或淬水)后在预贝氏体(孕育)期内等温淬水(或时效),既保持高温时形成的晶体缺陷,又产生新的晶体缺陷.母相中由于溶质原子扩散而在缺陷处发生偏聚,则形成贫/富溶质微区,即类拐点(spinodal-like)分解.当贫溶质微区成分作为Ms,其温度等于或高于淬火(或时效)温度时,贝氏体将以马氏体样切变形核,故贝氏体是在溶质原子扩散控制下切变形核.在TEM温台试验中未发现台阶生长机制,界面上巨型台阶是贝氏体增宽(厚)速度差异所致.

关键词: 预贝氏体期 , 扩散偏聚 , 贫/富溶质微区 , 巨型台阶 , 类拐点分解

关于贝氏体铁素体形核的评述——兼复徐耀《评刘宗昌等“贝氏体……”一文》

刘宗昌 , 计云萍 , 任慧平 , 袁长军 , 段宝玉

材料热处理学报

贝氏体铁索体在晶界形核的新观察验证了形核的一般规律.依据试验观察,理论计算得贝氏体临界晶核尺寸和形核功为:a*=16.7 nm;b*=25 nm,△G*=270 J·mol-1,此值合理.奥氏体中贫碳区的存在是普遍事实,试验也测得贝氏体相变孕育期内形成了贫碳区;不能将Spinodal分解与奥氏体中形成贫碳区和富碳区混为一谈.涨落是相变的契机,在孕育期内奥氏体中必由于涨落而形成贫碳区.阐述了非协同热激活跃迁形核机制.大量TTT图分析和实测均表明贝氏体铁索体形核-长大不可能以扩散方式进行.

关键词: 贝氏体铁素体 , 晶界形核 , 扩散 , 切变 , 热激活跃迁

球墨铸铁的密封球化处理

张瑞龙

金属学报

<正> 引言 在社会主义经济建设的大跃进中,钢材和毛坯供不应求,特别是大型铸钢和锻钢生产远远不能满足需要的形势下,让球墨铸铁与钢并肩作战,球墨铸铁广泛的代替钢料的意义是非常深远的。而大量生产球墨铸铁的情况下,就暴露了镁的供应不足。用一般钟罩法处理,大量的镁都燃烧和蒸发消耗掉,劳动条件非常恶劣,而且球化还不稳定。更引起注意的是镁用多了,给国防工业带来了损失。

关键词:

Fe-Mn-C系M_s及马氏体相变驱动力的热力学计算

张鸿冰 , 倪乐民 , 耀

金属学报

经 LFG(ΔG~(γ→a))-Mogutnov(ΔG_(Fe)~(γ→a))、徐耀(Shu-A)(ΔG~(γ→a))-Orr-Chipman(ΔG_(Fe)~(γ→a))、徐耀(Shu-B)(ΔG~(γ→a))-Orr-Chipman(ΔG_(Fe)~(γ→a))组合,均可算得 Fe-Mn-C 合金的 Ms 温度且与实验值十分符合.所得结果经数学处理,得 Fe-Mn-C 系 Ms 与成分的关系为:Ms(K)=817.4-7513.4xc-4141.9x_(Mn)-32083.5x_Cx_(Mn)(LFG)Ms(K)=829.9-7580.5x_C-4166.0x_(Mn)-15727.8x_Cx_(Mn)(SHU-A)Ms(K)=829.2-7276.1x_C-2915.4x_(Mn)-43825.7x_Cx_(Mn)(SHU-B)其线性相关系数均大于0.992.C 和 Mn 浓度均使合金的 Ms 线性地降低,而碳的作用几乎是Mn 的两倍.处理中引入了合金元素交互作用项(x_Cx_(Mn)),表明 C,Mn 相互加剧对 Ms 的影响。随含 C,Mn 量的增加,相变驱动力均单调地增加,而不存在奇异点.Ms 和相变驱动力的计算值均依赖于ΔG_(Fe)~(γ→a)项.

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